Магнитная муфта Советский патент 1991 года по МПК H02K49/10 

Изобретение относится к электро- i технике, а именно к магнитным экранированным муфтам, и можед1 быть использовано в химической, микробиологической и других отраслях промышленности для привода быстроходного вала герметичного аппарата

Цель изобретения - повышение динамической устойчивости муфты0

На фиг о 1 показана магнитная муфта с магнитами переменной полярности как в окружном, так и в продольном направлении, продольное сечение; на фигс2 - сечение А-А на фиг„ 1; на фиг. 3 - участок наружной полумуфты с ячеистой обоймой„

Магнитная муфта состоит из наружной полумуфты 1, коаксиальной ей внутренней полумуфты 2, разделяющего их неподвижного экрана 3 0 Наружная 1 и внутренняя 2 полумуфты содержат постоянные анизотропные магниты 4 в виде таблеток с направлением оси легкого намагничивания, перпендикулярном поверхности полумуфт0 Постоянные магниты 4 установлены в виде переменно- полюсной системы (фиг„ 1) Наружная полумуфта содержит также ячеистую обойму 5 из электропроводного немагнитного материала, при этом каждый магнит наружной полумуфты размещен в отдельной ячейке обоймы Магнитопро- воды 6 и 7 полумуфт 1 и 2 могут быть составными из колец с шириной, равной длине магнитов 4С

Муфта работает следующим образом„ При вращении с помощью какого-либо приводного устройства наружной полумуфты 1 происходит рассогласование взаимного положения магнитов 4 наружной 1 и внутренней 2 полумуфт0 При этом возникает магнитная реактивная сила, обеспечивающая вращение внутренней полумуфты 2 синхронно с наружной полумуфтой 1 о Герметизирующий металлический немагнитный экран 3 обеспечивает герметизацию полости, в которую передается вращениеt

При вращении 1 и 2 в экране 3 индуцируются выходные токи, связанные с пронизывающим экран переменным магнитным полемо Однако благодаря выполнению полумуфт 1 и 3 в осевом направлении в виде переменно-полюсной системы с количеством магнитов 4 по длине кратным двум, ЭДС, наводимые по длине муфты, компенсируют друг друга и суммарная величина токов вдол

5

0

5

Q

0

5

0

45

50

55

всей длины экрана 3 равна нулю Отношение ЭДС локальных токов к длине их замыкающей мало, а значит и малы локальные вихревые токи в экране 3, что освобождает от необходимости применения специальных устройств для охлаждения экрана и увеличивает передаваемую мощность с

При резких изменениях в относительном положении полумуфт 1 и 2 в случае разгона или изменения нагрузки в ячеистой обойме 5, охватывающей каждый магнит 4 наружной полумуфты 1, индуцируются токи, пропорциональные скорости изменения магнитного потока в каждом магните 4„ Возникающие при этом дополнительное магнитное поле увеличивает синхронизирующую силу при увеличении рассогласования и уменьшает при уменьшении рассогласования, т,е„ препятствует быстрому изменению относительного положения наружной 1 и внутренней 2 полумуфто

Проведенные исследования показали, что по сравнению с прототипом момент в динамических режимах возрастает на 25%, при этом почти в два раза уменьшается температура нагрева экрана

Выполнение демпфирующей обмотки в виде ячеистой обоймы из электропроводного немагнитного материала и размещение элементарных магнитов в ячейках этой обмотки приводит к повышению динамического момента муфты в переходных режимах, поскольку в охватывающих каждый магнит обмотках индуцируются токи, компенсирующие изменение магнитных потоков в системе с, Это создает также дополнительные удобства при изготовлении и креплении магнитной системы,, Разделение магнитопровода на кольцевые участки с шириной, равной длине магнитов, позволяет без увеличения габаритов муфты снизить потоки рассеяния между соседними кольцевыми слоями магнитов вследствие увеличения магнитного сопротивления участка между кольцевыми слоями за счет удвоения суммарной ширины зазоров между слоя- ми0 Это также приводит к улучшению динамических свойств муфты„

Формула изобретения

1„ Магнитная муфта, содержащая наружную и внутреннюю коаксиальные полумуфты, разделенные немагнитным металлическим экраном, обойму на наружной

Фиг.1

А -А

4

Изобретение относится к электротехнике о Цель изобретения - повышение динамической устойчивости муф- тыо Магнитная муфта содержит наружную 1 и коаксиальную ей внутреннюю полумуфты, разделенные неподвижным немагнитным металлическим экраном. На наружной 1 и внутренней полумуфте расположены радиально намагниченные постоянные магниты 4 в виде отдельных таблеток„ Число слоев магнитов 4 по длине муфты кратно двум, постоянные магнитны 4 образуют переменно-полюсную магнитную систему в окружном и оксиальном направлениях На наружной 1 полумуфте постоянные магниты 4 расположены в ячеистой обойме 5, выполненной из электропроводного материал а с На полумуфтах размещены магни- топроводы, в частности на наружной полумуфте 1 магнитопровод 70 Магнито- проводы могут быть выполнены составными из колец с шириной, равной длине магнита 4С Выполнение демпфирующей обмотки в виде ячеистой обоймы 5, охватывающей каждый магнит, приводит к увеличению демпфирующего момента при переходных процессах и к повышению динамической устойчивости муфты. 1 з,п„ ф-лы, 3 ил« Л с Ј (/ о ел со о 00 1 фиг з