Накопитель информации для запоминающего устройства на цилиндрических магнитных доменах Советский патент 1991 года по МПК G11C11/14 

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при создании доменных запоминающих устройств с произвольным доступом к регистрам хранения информации

Цель изобретения - упрощение накопителя информации

На фиг,1 изображена блок схема предложенного накопителя, на фиг 2 - процесс перемещения цилиндрических магнитых доменов (ЦМД) во время работы накопителя

Накопитель информации содержит маг- нитоодноосную пленку 1, на которой расположены регистры 2 хранения информации в виде параллельных линеек магнитосвязан- ных ферромагнитных элементов 3 хра- репия информации расположенных вдоль управляющих шин 4, генератор и расширитель ЦМД, выполненные в виде общей петли

5, в зазоре которой расположены тонкопленочный детектор доменов 6 и соответствующие ферромагнитные элементы 3 связывающие между собой смежные линейки Вход генератора ЦМД является информационным входом накопителя выход детектора доменов 6 является информационным входом накопителя, выводы управляющих шин 4 являются управляющими входами накопителя и подключены к выходам дешифратора 7 первый вход которого подключен к выходу адресного регистра 8 а на второй вход подаются импульсы тока типа меандр Накопитель содержит также источник поля смещения Нсм направленного нормально к плоскости пленки источник управляющего поля Hv направленного вдоль управляющих шин в плоскости пленки, и источник постоянного поля Нп, направО

ел о

СП

о ы

ленного перпендикулярно управляющим шинам в плоскости пленки,

Предложенный накопитель информации работает следующим образом

Запись информации.

При поступлении адреса записываемого слова в адресный регистр 8, возбуждается соответствующая шина дешифратора 7, через которую в одну из управляющих шин 4 регистров хранения информации 2 подаются импульсы тока. При поступлении нп общую петлю 5 генератора и расширителя импульсов тока на элементах регистров хранения, расположены ix в зазоре общей г ;.тли, генерируются ЦМД. В perncipe r возбужденной управляющей шиной 4 ЦМД продвигаются чдоль линеек магнитосвязнч- ны элемент ев 3 хранения информации за

Счет ДЬИЖуЩЗРС 3 Г КНИТОГТЯГИЧесКПИ 1 П

вушки (f/.СЛ) созд мной ч рс эулиы1е наго | ОПИЯ ПОЛ(,И 1Ь Ч Hi, И 3 ЩРР КИ Ч 1Д )

межэп(Ч ,:нгном зазоре с помощью ммп/л( - сов тэка LI управляющей шине 4 После окончания задержки ПРОИСХОДИ г перемещение ЦМД с одного чл тнчпя ранени 3 на соседний Прч этом задер кка ЦМД t можэле ментных зазорях дву соседних линеек одного п тот же рсмистра осуществляется

НМПуЛЬ аМИ Гь ОВ ПрОТИЬ л.ОЛРЧОЧ Г . ПО

направление и f{ зе В осгопьмыл ромигг pax 2 (с не by гш шинами I1 г гене pnpoBdHHh; ЦМП остаются на элементе регистра находящемся ч зазоре петли 5 и аннигилируют пг-ч ПОДЗЧР н,ч общую i етлю 5 тока обра ной поаярнпсти

Нг фиг 2 a fi в,i изображен решстр хра нения информации п разные моменты времени ti-t/i, ошибающиеся из Т/4, где Т период управляющего пплл 1|у V -фавллю- щие шины 4 имеют переменную ширину с цчлью обеспечения пленарное т и расположения ферромагнитных элементов 3

В момент i огд; Ну приближается ну- леп )му значению, a rot- D шине - максима лен и награплйч, как показано фиг а i в общу-о петлю 5 подается импульс тока d генерации ЦМД П результате на всех vie- ментах, расположенных в зазоре общей петли 5, генерируется ЦМД 9. При и в Сраи- ном, как показано на фиг.2а, направлении тока, в верхней линейке регистра хранения этот то создает МСЛ т межэлементных а- зорях. куда переходят ЦМД я п нижней линейке, наоборот, ЦМД выталкиваются из зазора в МСЛ, созданную плоское1 НУМ постоянным полем Нп, направленным пемпен- дикулярно шинзи 4. В результате ЦМД прм оказываются в положении, п экячэчном на 2а.

При ц t t2 ti + Т/4 Ну увеличивается, а 1У уменьшается до 0. При этом МСЛ находится на левых (фиг.26) сторонах элементов 3. Поэтому в верхней линейке происходит

переход ЦМД из межэлементного зазора на элементы, т.е. продвижение ЦМД. В нижней линейке ЦМД перемещаются на левые края . пементов (фиг.26).

При t2 t тз t2 + Т/4 (фиг.2в) происходит процесс перемещения ЦМД с элементов 3 в межэлементные зазоры в нижней линейке регистра хранения. На элементах, соединяющих верхнюю и нижнюю линейки, ЦМД находятся всего лишь четверть перио5 да, двигаясь за это время вдоль внутреннего по отношению к соединяемым линейкам края элемента. При t 14 - ti + ЗТ/4 сгенерированный ЦМД продвигается на один элемент. Перемещение ЦМД на соседние

0 элементы происходит и во всем регистре хрсжения с возбужденной управляющей шиной (фиг 2г) Таким образом, за один период поля Ну происходит сдвиг информации В регистрах с невозбужденными

5 управляющими шинами 4 ЦМД остаются на тех же элементах хранения. Поэтому при пропускании в момент времени t ti через общую петлю обратного тока (фиг.2г) ЦМД, сгенерированные при t ti на элементах,

0 находящихся в зазоре общей петли 5, анни- i илиоуют.

Считывание информации. При считывании информации ЦМД с верхней линейки регистра, у которого воз5 буждена управляющая шина 4, через элемент, находящийся в зазоре общей петли 5, переходит на нижнюю линейку. При этом через каждый период Ну в общую петлю 5 подаются импульсы тока Ip/lp lr) расшире0 ния ЦМД После расширения и считывания ЦМД с помощью датчика 6 на всех элементах, находящихся в зазоре общей петли 5, остаются ЦМД. Далее процесс продвижения ЦМД и аннигиляция лишних ЦМД

5 происходит аналогично описанному. В результате после детектирования информации сохраняется.

Таким образом, за счет совмещения в одном узле, выполненном в виде петли

0 (шпильки) генератора, расширителя и аннигилятора достигается упрощение конструк- циии накопителя за счет уменьшения номенклатуры его узлов. Это позволяет увеличить надежность накопителя за счет боль5 шего совпадения ОУР узлов накопителя и повысить выход годных. Кроме того, общая петля выполняет функцию репликатора и, таким образом, отпадает необходимость регенерации информации через внешнюю

П ЗПЬ.

Формула изобретения Накопитель информации для запоминающего устройства на цилиндрических магнитных доменах, содержащий магнито- одноосную пленку, на которой расположены регистры хранения информации в виде параллельных линеек магнитосвязанных ферромагнитных элементов хранения информации, расположенных вдоль соответствующих управляющих шин, являющихся управляющими входами накопителя информации, генератор цилиндрических магнитных доменов, вход которого является информационным входом накопителя информации, расширитель и тонкопленочный детектор цилиндрических магнитных доменов, выход которого является информационным выходом накопителя информации,

источник управляющего магнитного поля, направленного вдоль управляющих шин, и источник постоянного магнитного поля.направленного перпендикулярно управляющим шинам в плоскости пленки, отличающийся тем. что, с целью упрощения накопителя информации, смежные пары линеек ферромагнитных элементов хранения информации соединены последовательно в

кольцевые регистры, а управляющие шины этих пар линеек соединены последовательно, генератор и расширитель цилиндрических магнитных доменов выполнены в виде общей токовой петли, в зазоре которой расположены тонкопленочный детектор доменов и соответствующие ферромагнитные элементы хранения информации смежных линеек

Изобретение относится к вычислительной технике, может быть использовано при создании ЗУ на ЦМД, оно позволяет увеличить надежность и выход годных ЦМД-микросхем за счет упрощения конструкции ia- копителя В накопителе на ЦМД с произвольным доступом к регистрам хранения информации генератор ЦМД и расширитель детектора совмещают в одном узле, выполненном в виде петли (шпильки), соседние пары линеек ячеек хранения информации регистров хранения магнитосвязывают между собой последовательно в общий кольцевой регистр, а управляющие шины этих пар линеек соединяют последовательно. Общая петля (шпилька) одновременно является и аннигилятором ЦМД Таким образом, упрощается конструкция накопителя, что позволяет увеличить его надежность за счет большего совпадения областей устойчивой работы его узлов и повышается выход годных за счет уменьшения номенк латуры технологических приемов для фор мирования его узлов 2 ил СО

J

Фиг.1