Способ обработки диэлектрической пластины в электромагнитном поле Советский патент 1991 года по МПК H05B6/64 

У///////// //7////7/У// ///У/У7//7 /77 //////7////У/////г/Л

Изобретение относится к технике СВЧ- нагрева и может быть использовано в радиоэлектронной промышленности, в частности, при термодублении защитных фоторезистов.

Цель изобретения - повышение качества при термообработке диэлектрической пластины с металлическим проводником и слоем фоторезиста, нанесенными на одну из ее поверхностей.

На чертеже изображена конструкция устройства для осуществления предлагаемого способа.

Устройство содержит заземленную металлическую пластину 1, на которой размещена обрабатываемая диэлектрическая .пластина 2, на одну из поверхностей которой нанесен металлический проводник 3, выполняющий роль токонесущего проводника полосковой линии, и слой фоторезиста 4, дополнительную заземленную металлическую пластину 5, размещенную на расстоянии от диэлектрической пластины 2, определяемом выражением h hi/ VeT

где hi и Јi- соответственно толщина и эффективная диэлектрическая проницаемость диэлектрической пластины 2.

Способ осуществляют следующим образом.

Обрабатываемую диэлектрическую пластину 2, установленную в кассете, образо- ванной заземленной металлической пластиной 1 и дополнительной металлической пластиной 5, размещают в резонансную камеру микроволновой печи, например Электроника. Затем подают питающее напряжение на магнетрон. Между металлическим проводником 3 и металлическими пластинами 1 и 5 возбуждается поперечная электромагнитная волна типа квази ТЕМ, которая осуществляет равномерный нагрев

диэлектрической пластины 2 и защитного слоя фоторезиста 4 за счет равномерного распределения СВЧ-поля.

Равномерность распределения поверхпостного тока и температуры по объему обрабатываемой диэлектрической пластины 2- обеспечивается в данной конструкции, представляющей собой как бы параллельное соединение двух линий передачи, одна

из которых образована металлической пластиной 1, диэлектрической пластиной 2 и металлическим проводником 3, а другая - металлической пластиной 5 и металлическим проводником 3. Выбранное расстояние h обеспечивает выравнивание поверхностных токов на верхней и нижней поверхностях проводника 3.

Способ позволяет повысить выход годных изделий за счет оптимизации температурно-временных параметров процесса.

Формула изобретения Способ обработки диэлектрической пластины в электромагнитном поле, включающий размещение диэлектрической пластины на заземленной диэлектрической пластине и воздействие на диэлектрическую пластину полем ТЕМ-волны, отличающийся тем, что, с целью повышения

качества при обработке диэлектрической пластины с металлическим проводником и слоем фоторезиста, нанесенными на одну из ее поверхностей параллельно поверхности диэлектрической пластины, на которую

5 нанесен металлический проводник, устанавливают дополнительную заземленную металлическую пластину на расстоянии h, удовлетворяющем условию vЈT,

0 где hi и ei- соответственно толщина и эффективная диэлектрическая проницаемость диэлектрической пластины.

Изобретение относится к технике СВЧ-нагрева. Цель изобретения - повышение качества при обработке диэлектрической пластины с металлическим проводником слоем защитного фоторезиста. Способ обработки диэлектрической пластины в электромагнитном поле реализуется в устройстве, которое содержит токозаземленную пластину 1, на которой размещена обрабатываемая диэлектрическая пластина 2 с проводником 3, дополнительную металлическую пластину 5, размещенную параллельно поверхности обрабатываемой диэлектрической пластины 2, слой защитного фоторезиста 4. При этом зазор между дополнительной металлической пластиной 5 и поверхностью диэлектрической пластины 2 выбираются в зависимости от толщины и эффективной диэлектрической проницаемости обрабатываемой диэлектрическо пластины. 1 ил.