Полупроводниковый тензорезистор Советский патент 1991 года по МПК G01B7/16 

Изобретение относится к полупроводниковой тензометрии и может быть использовано для измерения деформаций в лабораторных исследованиях. Цель изобретения - повышение чувствительности тензорезистора к измеряемой деформации - достигается таким расположением токовых и потенциальных электродов, при котором питание подается на токовые электроды 2, 3 в средней части монокристалла 1 соединения тетрацианхинондиметана и трифенилметилфосфония общей формулы PH₃MEP(TCNO)₂, а выходной сигнал снимается с потенциальных электродов 4 и 5 на торцах монокристалла 1. Нелинейные эффекты в полупроводнике слоистой игольчатой структуры приводят к увеличению тензочувствительности на 10 - 30%. Тензорезистор позволяет измерять деформации в диапазоне, расширенном в сторону малых значений деформаций. 1 ил.