Нелинейное устройство на магнитостатических волнах Советский патент 1991 года по МПК H01P1/23 

Изобретение относится к технике СВЧ и предназначено для подавления слабых и ограничения уровня сильных сигналов при их обработке.

Целью изобретения является увеличение разноса пороговых уровней мощности ограничения сильных сигналов и подавление слабых сигналов.

На чертеже приведена конструктивная схема нелинейного устройства на магнитостатических волнах.

Нелинейное устройство на магнитостатических волнах содержит магнитную систему 1, состоящую из первого и второго магнитов 2 и 3, включенные последовательно и установленные в зазоре соответствующих магнитов 2 и 3 первый и второй отрезки

4 и 5 микрополосковой линии передачи, на которых установлены соответственно первая и вторая ферритовые пластины 6 и 7 и полоски которых выполнены в виде меандра, причем продольная ось меандра первого отрезка 4 параллельна полюсам 8 первого магнита 2, а продольная ось меандра второго отрезка 5 перпендикулярна полюсам 9 второго магнита 3, ширина полоска второго отрезка 5 выбрана больше ширины полоска первого отрезка 4, а напряженность поля в зазоре первого магнита 2 выбрана больше, но не более чем в два раза, напряженности поля в зазоре второго магнита 3.

Нелинейное устройство на магнитостатических волнах работает следующим образом.

QS

о со о ел

СВЧ-сигнал поступает на первый отрезок 4. и если его уровень мощности лежит ниже порогового уровня первой феррито- вой пластины б, то в ней возбуждаются поверхностные магнитостатические волны (ПМСВ), что и приводит к ослаблению проходящего сигнала. Если же уровень мощности сигнала лежит выше этого порога, то для ПМСВ наступает насыщение, относительные потери для такого сигнала снижа- ются и он поступает на второй отрезок 5, который и проходит практически без потерь в том случае, когда уровень сигнала меньше порога параметрического возбуждения во второй ферритовой пластине 7 об- ратной объемной магнитостатической волны (ООМСВ) на частоте, равной половине частоты сигнала. Для сильных сигналов, уровень которых превышает порог параметрического возбуждения во второй феррито- вой пластине 7 ООМСВ, вносится значительное ослабление при прохождении второго отрезка 5.

Выбор ширины полоска второго отрезка 5 больше ширины полоска первого от- резка 4, приводит к снижению высокочастотной магнитной составляющей поля СВЧ-сигнала на втором отрезке 5, что и обеспечивает больший разнос между порогом насыщения ПМСВ в пер- вой ферритовой пластине б и порогом параметрического возбуждения ООМСВ во второй ферритовой пластине 7.

Формула изобретения Нелинейное устройство на магнитоста- тических волнах, содержащее установленные в зазор магнитной системы и включенные последовательно первый и второй отрезки микрополосковой линии передачи, на которых соответственно размещены первая и вторая ферритовые пластины, причем полосок второго отрезка микрополосковой линии передачи выполнен в виде меандра, продольная ось которого перпендикулярна полюсам магнитной системы, отличающееся тем, что, с целью увеличения разноса пороговых уровней мощности ограничения сильных сигналов и подавления слабых сигналов, полосок первого отрезка микрополосковой линии передачи выполнен в виде меандра, продольная ось которого параллельна полюсам магнитной системы, напряженность поля магнитной системы в области размещения в зазоре первой ферритовой пластины выбрана больше, но не более чем в два раза напряженности поля в области размещения в ее зазоре второй ферритовой пластины, а ширина полоска второго отрезка микрополосковой линии передачи выбрана больше ширины полоска первого отрезка.

Изобретение относится к технике СВЧ. Цель изобретения - увеличение разноса пороговых уровней мощности ограничения сильных сигналов и подавление слабых сигналов. Устройство содержит включенные последовательно отрезки 4 и 5 микрополосковой линии передачи, на которых размещены ферритовые пластины 6 и 7 намагниченные соответственно магнитами 2 и 3. Отрезок 4 выполняет функцию подавителя слабых сигналов, а отрезок 5 - ограничителя сильных сигналов. Выбор ширины полоска отрезка 5 больше ширины полоска отрезка 4 приводит к снижению амплитуды высокочастотного магнитного поля на отрезке 5, что обеспечивает повышение порога параметрического возбуждения обратных объемных магнитостатических волн в ферритовой пластине 7. 1 ил.