Устройство для термостатирования полупроводниковых пластин интегральных микросхем Советский патент 1991 года по МПК G05D23/19 

о

vj ГО

ю

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в устройствах, в которых для поддержания постоянства параметров интегральных элементов устройств вычислительной техники стабилизируется температура пластины, на которой эти элементы расположены.

Целью изобретения является повышение точности термостатирования за счет исключения гистерезиса.

На чертеже изображена принципиальная схема устройства.

Устройство для термостатирования полупроводниковых пластин интегральных микросхем содержит расположенные на пластине 1 датчик температуры, выполненный в виде дифференциального усилителя 2, транзистор 3 подогрева, регулирующий транзистор 4, резисторы 5-7 смещения, компенсирующие резисторы 8 и 9, резистор 10 обратной связи, стабилитрон 11 смещения и две шины 12 и 13 соответственно положительного и отрицательного питающих напряжений.

Коллектор и эмиттер транзистора 3 подогрева подключены непосредственно и через резистор 7 смещения соответственно к шинам положительного и отрицательного питающих напряжений. Коллектор и база регулирующего транзистора 4 соединены соответственно с шиной 12 положительного питающего напряжения и с выходом усилителя 2, а эмиттер регулирующего транзистора 4 подключен через стабилитрон 11 смещения к базе транзистора 3 подогрева. Между базой и эмиттером транзистора 3 подогрева включен резистор 6 смещения. Усилитель 2 подключен своим неинвертирующим входом через компенсирующий резистор 9 к базе транзистора 3 подогрева и через компенсирующий резистор 8 к шине нулевого потенциала. Резистор 5 смещения резистор обратной связи включены между инвертирующим входом дифференциального усилителя 2 и соответственно шиной 12 положительного питающего напряжения и эмиттером транзистора 3 подогрева.

Устройство работает следующим образом.

Изменения температуры пластины, на которой размещены элементы устройства, приводят к изменению управляющего напряжения на выходе усилителя 2, выполняющего функции датчика температуры. Это управляющее напряжение прикладывается через регулирующий транзистор 4 и стабилитрон 11 смещения к базе транзистора 3 подогрева и через компенсирующие резисторы 9 и 8 к неинвертирующему входу дифференциального усилителя 2. Изменения коллекторного тока транзистора 3 подогрева

(и, следовательно, рассеиваемая им энергия) обеспечивают неизменность тепловыделения в пределах пластины. Наличие положительной обратной связи с базы транзистора 3 подогрева через компенсирующие резисторы 9 и 8 на неинвертирующий вход дифференциального усилителя 2 обеспечивает исключение гистерезиса при регулировании температуры.

Формула изобретения

Устройство для термостатирования полупроводниковых пластин интегральных микросхем, содержащее расположенные на пластине датчик температуры, выполнен- .ный в виде усилителя, вход которого через

задающий резистор подключен к шине положительного питающего напряжения, транзистор подогрева, коллектор и эмиттер которого подключены непосредственно и через первый резистор смещения соответственно к шинам положительного и отрица- тельного питающих напряжений, и регулирующий транзистор, коллектор и база которого соединены соответственно с шиной положительного питающего напряжения и с выходом усилителя, а эмиттер подключен через стабилитрон смещения к базе транзистора подогрева, между базой и эмиттером транзистора подогрева включен второй резистор смещения, отличающееся

тем, что, с целью повышения точности термостатирования за счет исключения гистерезиса, в него введены резистор обратной связи и первый и второй компенсирующие резисторы, датчик температуры выполнен в

виде дифференциального усилителя, вывод неинвертирующего входа которого подключен через первый компенсирующий резистор к базе транзистора подогрева и через второй компенсирующий резистор к шине

нулевого потенциала, резистор обратной связи включен между выводом инвертирующего входа дифференциального усилителя и эмиттером резистора подогрева.

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для поддержания постоянства параметров интегральных элементов устройств вычислительной техники. Целью изобретения является повышение точности термостатирования за счет исключения гистерезиса. Устройство содержит датчик температуры, выполненный в виде дифференциального усилителя 1, транзистор подогрева 3, регулирующий транзистор 4, резисторы смещения 5, 6, 7, компенсирующие резисторы 8, 9, резистор обратной связи 10, стабилитрон смещения 11 и шины 12, 13 питания. Поставленная цель достигается благодаря введению в устройство резистора обратной связи, первого и второго компенсирующего резистора и третьего резистора смещения и новым связям между соответствующими элементами устройства. 1 ил.