Противофильтрационный экран накопителя на льдонасыщенном основании Советский патент 1991 года по МПК E02B7/06 

0V. i

Изобретение относится к гидротехническому строительству, в частности к конструкциям противофильтрационных экранов накопителей твердых отходов, преимущественно шламохранилищ и золоотвалов на льдока- сыщенных мерзлых основаниях.

Цель изобретения - повышение эксплуатационной надежности против9фильтрацион- ного экрана путем повышения его компенсаторной способности при термопросадоч- ных деформациях оттаивающих грунтов.

На фиг. 1 изображен экран, выведенного на верхово.й откос дамбы, начальное состояние; на фиг. 2 - то же, после оттаивания и осадки л ьдонасыщенного основания.

Противофильтрационный экран накопите- ля содержит пленочное полотнище 1, уложенное с образованием компенсаторов 2 на грунт основания 3 и в траншеи 4. На дно и откосы траншей и на поверхность основа- ия между траншеями отсыпан подстилающий слой 5 из сухого сыпучего материала. При этом в качестве сыпучего материала применяют песок или твердые отходы, например хвосты или золу. Полотнище экрана в траншеях и на участках между ними защищено защитным слоем 6 из такого же сыпучего материала, который применен для устройства подстилающего слоя. Первый компенсатор выполнен непосредственно у подошвы верхового откоса ограждающей дамбы 7, на который выведено пленочное полотнище 1. Остальные компенсаторы размерены на экранируемой площади ложа накопителя в соответствии со льдистостью и расчетными осадками оттаивающих грунтов - на участках с повышенной льдистостью компенсаторы расположены ближе один к другому.

Противофильтрационный экран работает следующим образом.

Проводят планировку поверхности ложа и в зимний период выполняют проходку траншей 4 в мерзлом грунте основания 3, после чего на дно и откосы траншей и на поверхность ложа между ними отсыпают подстилающий слой 5 из сухого сыпучего мате

0

5 0 5

0

5

0

риала, укладывают пленочное полотнище 1 с образованием компенсаторов 2, заглубленных в траншеи, затем отсыпают защитный слой 6 из сухого сыпучего материала. После завершения всех работ по устройству экрана в ложе накопителя выполняют работы по устройству экрана на верховом откосе ограждающей дамбы 7, после чего начинают заполнение накопителя. В ходе его эксплуатации происходит постепенное оттаивание и осадка грунтов основания между траншеями и соответствующее опускание экрана; компенсаторы расправляются и происходит выравнивание наружной поверхности экрана без нарушения его водоупорных свойств, продолжающееся до стабилизации термо- просадочных деформаций оттаивающего основания.

Формула изобретения

1 Противофильтрационный экран накопителя на льдонасыщенном основании, включающий подстилающий и защитный слои и пленочное полотнище, отличающийся тем, что, с целью повышения эксплуатационной надежности противофильтрационно- го экрана путем повышения его компенсаторной способности при термопросадоч- ных деформациях оттаивающих грунтов, в основании накопителя выполнены траншеи глубиной, равной толщине поверхностного слоя льдонасыщенных грунтов, на дно и откосы траншей и на поверхность основания между траншеями отсыпан подстилающий слой из сыпучего материала, на него уложено пленочное полотнище с образованием компенсаторов, заглубленных в траншеи, при этом пространство над компенсаторами в траншеях заполнено сыпучим материалом защитного слоя.

2. Экран по п 1, отличающийся тем, что первый компенсатор устроен непосредственно у подошвы верхового откоса ограждающей дамбы накопителя, а пленочное полотнище из него выведено на верховой откос дамбы.

Изобретение относится к гидротехническому строительству. Цель изобретения - повышение эксплуатационной надежности тивофчльтрационного экрана путем повыпк ния его компенсаторной способности при теп мопросадочных деформациях оттаиваюши грунтов. Противофильтрационный экран включает подстилающий слой 5, защитный слой 6 и пленочное полотнище 1. В основании накопителя выполнены траншеи 4 г.п- биной, равной толщине поверхностного слоя льдонасыщенных грунтов. На дно и откосы траншей 4 и на поверхность основания между ними отсыпан подстилающий слой 5 i: , сыпучего материала. На него уложено пленочное полотнище 3 с образованием компенсаторов 2, заглубленных в траншеи 4. пространство над которыми заполнено сымушм материалом защитного слоя 6. 1 з. п. ф-лы, 2 ил.

Шиггв

фиг.2

Составитель В Байдаков Техред А Кравчук Тираж

4

Корректор Н Ревская Подписное