Накопитель информации на вертикальных блоховских линиях Советский патент 1991 года по МПК G11C11/14 

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке запоминающих устройств большой емкости на вертикальных блоховских линиях (ВБЛ).

Цель изобретения является упрощение накопителя.

На чертеже изображена конструкция накопителя.

Накопитель информации на ВБЛ содержит монокристаллическую подложку 1, на одну сторону которой нанесена магнитоодноосная пленка 2 с элементами стабилизации полосовых доменов в виде вытравленных на всю глубину пленки канавок 3, ширина и расстояние между которыми равны полупериоду полосовой доменной структуры в пленке. На поверхности пленки 2 расположены элементы создания потенциального рельефа для стабилизации ВБЛ в виде параллельных друг другу и перпендикулярных канавкам тонкопленочных полос 4. На другой стороне подложки-1 расположен источник вращающегося магнитного поля в виде однородного слоя проводника 5 с большим коэффициентом отражения света и двумя парами взаимно ортогональных контактов, подключенные к источникам 6 и 6/ переменного тока со сдвигом фаз л II (контакты для простоты не показаны).

Накопитель работает следующим образом.

о со

±

со

о

Через проводящий слой пропускается ток от источников переменного тока 6 и б , сдвинутых по фазе на п 12. Суммарный ток, протекающий в слое 5, имеет постоянную амплитуду I и вращается с частотой со, рав- ной частоте переменного тока. Создаваемое током магнитное поле Н параллельно плоскости проводящего слоя и перпендикулярно направлению тока, .т.е. вращается с той же частотой ш. Величины Н и I связаны следующим соотношением:

,

где Н)Э, 1 мА/мкм - линейная плотность тока в металлическом слое.

Вращающееся магнитное поле Н про- двигает ВБЛ вдоль границы полосового домена. Ограничением на линейную плотность тока I является условие, чтобы создаваемое им магнитное поле Н должно быть больше поля коэрцитивности Не:

Ј

Тонкопленочные полосы 4 обеспечивают стабилизацию положения ВБЛ во время их движения..

П р и м е р . На монокристаллическую подложку из гадолиний-галлиевого граната размером 5x5x0,5 мм нанесена пленка толщиной 5 мкм. Период полосовой доменной структуры в пленке мкм. В пленке на всю ее глубину вытравлены канавки шириной 3 мкм. Расстояние между канавками 3 мкм. На поверхность пленки нанесены полосы, перпендикулярные канавкам. На другую свободную поверхность подложки нанесен однородный по толщине проводящий слой. Он содержит слои Cr-Cu-Cr. Первый слой Сг (толщина 0.02 мкм) обладает большим коэффициентом отражения. Второй проводящий слой Си имеет толщину 0,5

мкм. Третий наружный слой Сг (толщина 0,02 мкм) предназначен для улучшения контакта между слоем проводника и токопрово- дами. Источники переменного тока подключены к двум парам ортогональных контактов на четырех сторонах проводящего слоя и создают вращающийся ток с линейной плотностью мА/мкм. Вращающийся ток создает вращающееся магнитное поле амплитуды , ,1Э. Рабочий участок пленки, в котором магнитное поле планарно и однородно, имеет размеры 4x4 мм2 и отстоит от краев пленки на 0,5 мм со всех сторон.

Формула изобретения Накопитель информации на вертикальных блоховских линиях, содержащий монокристаллическую подложку, наоднусторону которой нанесена магнитоодноосная пленка с элементами стабилизации полосовых доменов в виде канавок, вытравленных на всю высоту магнитоодноосной пленки, причем ширина канавок и расстояние между ними равны полупериоду полосовой доменной структуры в магнитоодноосной пленке, элементы создания потенциального рельефа для стабилизации вертикальных блоховских линий в виде параллельных друг другу и перпендикулярных канавкам тонкопленочных полос, нанесенных на поверхность магнитоодноосной пленки, источник вращающегося магнитного поля и источник переменного тока со сдвигом фаз п /2, о т л и ч а- ю щ и и с я тем, что, с целью упрощения накопителя, источник вращающегося магнитного поля выполнен в виде однородного слоя проводника с двумя парами взаимно ортогональных контактов, нанесенного на другую сторону подложки, и подключенного к источникам переменного тока.

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке запоминающих устройств большой емкости на вертикальных блоховских линиях (ВБЛ). Целью изобретения является упрощение накопителя. Накопитель информации содержит монокристаллическую подложку, на одну сторону которой нанесена магнитоодноосная планка с элементами стабилизации полосовых доменов в виде вытравленных на всю глубину пленки канавок, ширина и расстояние между которыми равны полупериоду полосовой доменной структуры в пленке. На поверхности пленки расположены элементы создания потенциального рельефа для стабилизации ВБЛ в виде параллельных друг другу и перпендикулярных канавкам тонкопленочных полос На другой стороне подложки расположен источник вращающегося магнитного поля в виде однофазного слоя проводника с большим коэффициентом отражения света и двумя парами взаимно ортогональных контактов, подключенных к источникам переменного тока со сдвигом фаз я/2. 1 ил. (Л