Запоминающее устройство Советский патент 1992 года по МПК G11C11/14 

не обеспечивает надежной фиксации В Б Л в заданных позициях,

Целью изобретения является повышение надежности запоминающего устройства.

В предлагаемом устройстве на поверх- ности магнитоодноосной пленки перпендикулярно полосовым доменам расположены элементы стабилизации вертикальных бло- ховских линий, которые выполнены в виде локальных участков магнитоодноосной пленки, имеющих форму полос шириной 0,1...0,5 и периодом 0,2...1,0 ширины полосового домена, с намагниченностью насыщения, равной намагниченности насыщения элементов стабилизации поло- совых доменов.

На чертеже показана конструкция запоминающего устройства.

Запоминающее устройство содержит магнитоодноосную пленку 1 с осью легкого намагничивания, перпендикулярной поверхности пленки, На поверхности пленки расположены элементы 2 стабилизации ПД в виде локальных участков магнитоодноосной пленки, имеющие форму полос с намаг- ниченностью насыщения вне участков уменьшенной до 0,5...0,9 Ms, где Ms - исходное значение намагниченности насыщения магнитоодноосной пленки. Перпендикулярно ПД 3 расположены элементы 4 стабили- зации ВБЛ, которые имеют форму полос, с намагниченностью насыщения, имеющей значение, равное значению намагниченности насыщения элементов стабилизации ПД (т.е. 0,5...0,9 Ms). На поверхности пленки расположены генератор ЦМД 5, канал продвижения ЦМД в виде меандрообразных проводников 6, узел записи ВБЛ и узел считывания в виде групп 7 и 8 проводников, расположенных вблизи верхушек полосовых доменов.

Устройство работает следующим образом.

Генератор 5 создает необходимую для записи информации кодовую последовательность ЦМД, которые по каналу продвижения 6 подаются к верхушкам ПД 3. ЦМД располагаются напротив верхушек ПД и с помощью группы 7,8 проводников производится преобразование наличия ЦМД в наличие ВБЛ в верхушках ПД. Далее ВБЛ продвигаются по доменным границам ПД, которые стабилизируются элементами ста- билизации 2. Для считывания информации используют преобразование наличия ВБЛ в наличие ЦМД, которое осуществляется узлом считывания. Надежная стабилизация ВБЛ осуществляется за счет разницы намагниченности насыщения внутри области

4 и вне ее. Эта разница в намагниченности является источником эффективного пленарного поля, экстремумы распределения которого находятся внутри полосы 4 и между полосами 4. Такое распределение эффективного пленарного поля образует периодическую потенциальную ловушку для ВБЛ, тем самым стабилизируя их положение в устройстве.

Элементы 4 имеют форму полос шириной 0,1...0,5 и периодом 0,2...1,0 ширины полосового домена. Минимальная ширина и период полос определяются тем, что минимальное расстояние между ВБЛ, в свою очередь, определяется параметрами магнитоодноосной пленки и не может быть меньше 0,1...0,2 ширины полосового домена. Это объясняется магнитостатическим и обменным взаимодействием между ВБЛ, что определяет минимальное расстояние между ВБЛ 0,1-0,2W, где W - размер ПД. При увеличении периода элементов стабилизации ВБЛ происходит уменьшение надежности стабилизации ВБЛ за счет уменьшения глубины потенциальной ловушки, в которой находится ВБЛ и при периоде элементов стабилизации, превышающем 1,0 ширины ПД могут возникать сбои в продвижении ВБЛ по доменной границе ПД вследствие недостаточной стабилизации ВБЛ. Помимо этого, увеличение периода элементов стабилизации приводит к уменьшению информационной плотности устройства.

Предложенное устройство может быть выполнено следующим образом.

В качестве исходного материала используется феррит-гранатовая пленка состава (BiTm)3(FeGa)sOi2 с равновесной шириной ПД 5 мкм, толщиной 5 мкм и намагниченностью насыщения 195 Гс. Генератор ЦМД, канал продвижения ЦМД, узел записи ВБЛ и узел считывания имеют конструкцию, стандартную для накопителей памяти на ВБЛ и изготавливаются из материала типа Cr-Cu-Cr. Ширина проводников составляет 3...1.8 мкм, толщина 0,2...0,6 мкм. Элементы стабилизации ПД имеют прямоугольную форму. Ширина элементов стабилизации ПД составляет 10 мкм, расстояние между ними 10 мкм. Элементы стабилизации имеют форму полос. Ширина и период элементов стабилизации составляет 1,5 мкм и 3,0 мкм соответственно. Как элементы стабилизации ПД, так и элементы стабилизации ВБЛ изготавливаются посредством термического отжига при температуре 400°С пленки, поверхность которой предварительно покрывается, например, слоем крем- ния толщиной 0,2 мкм. Из этого материала

на поверхности пленки формируется маска, определяющая конфигурацию элементов стабилизации ПД и ВБЛ. После отжига маска стравливается.

Использование в предложенном уст- ройстве таких элементов стабилизации ВБЛ позволяет надежно зафиксировать положение ВБЛ в заданных позициях, снизить вероятность случайного перехода ВБЛ из одной информационной ячейки в другую, и, следовательно, повысить надежность устройства.

Формула изобретения

Запоминающее устройство, содержащее магнитоодноосную пленку с осью легкого намагничивания, перпендикулярной поверхности пленки, на поверхности которой расположены элементы стабилизации полосовых доменов, выполненные в виде локальных участков магнитоодноосной пленки в форме параллельных полос с намагниченностью насыщения, отличной от намагниченности насыщения окружающих участков магнитооднооеной пленки,

причем намагниченность насыщения внутри участков уменьшена до 0,5...0,9 Ms, где Ms - исходное значение намагниченности насыщения магнитоодноосной пленки, генератор цилиндрических магнитных доменов, магнитосвязанный с каналом продвижения цилиндрических магнитных доменов в виде меандрообразных проводников, узел записи вертикальных блохов- ских линий и узел считывания в виде групп проводников, расположенных вблизи верхушек полосовых доменов, отличающе е с я тем, что, с целью повышения надежности запоминающего устройства, оно содержит на поверхности магнитоодноосной пленки перпендикулярно полосовым доменам элементы стабилизации вертикальных блоховских линий, выполненные в виде локальных участков магнитоодноосной пленки, имеющих форму полос шириной 0,1...0,5 и периодом 0,2...1,0 ширины полосового домена, с намагниченностью насыщения, равной намагниченности насыщения элементов стабилизации полосовых доменов.