Газоразрядный знакосинтезирующий индикатор постоянного тока с внутренней памятью Советский патент 1991 года по МПК H01J17/49 

Иэобретение относится к области газоразрядной техники и может быть использова о при разработке и производстве устройств отображения инфор мации.

Целью изобретения является увеличение электропрочности резисторов, повышение плотности их расположения и уменьшение разброса величины сопротивления резисторов.

Указанная цель достигается тем, что в индикаторе, содержашем обкла- дочные стеклянные пластины, системы

катодных и анодных электродов, резистивный узел выполнен в виде комплекта вертикально расположенных диэлектрических пластин, с одной стороны которых нанесены тонкопленочные резисторы в виде полос длиной до 10 мм, электрически соединенных с анодными электродами.

Таким образом, ток в ячейке проходит по цепи: катод - разрядный промежуток, заполненный инертным газом, - пленочный резистор - анод.

с&

00 4ь

оо ю

00

В ичпестных конструкциях газоразрядных знакосинтезчруюпгих индикаторов (ГЗСИ) постоянного тока с внутренней памятью резисторы расположены тремя основными способами.

Тонкопленочные резисторы расположены горизонтально (в плоскости экрана индикатора и нанесены на обкла- дочную стеклянную пластину, на ней же находится электродная система, контактирующая с резисторами (анодная или катодная).

Функции резистора выполняет сплошной тонкий слой полупроводникового материала, нанесенный поверх анодных электродов. Ограничение тока происходит за счет объемного сопротивления тонкой пленки.

Объемные резисторы запрессованы в отверстия диэлектрической матрицы и являются толстопленочными.

Предлагается конструкция вертикального расположения протяженных тонкопленочных резисторов, нанесенных вместе с эле-ктродной системой на тонкие диэлектрические пластины, благодаря чему появляется новое свойство - повышение электропрочности и плотности расположения ячеек.

фиг.1 показаны один из вариантов конструкции индикатора на фиг. 2 - вольт-амперная характеристика ячейки.

Йа верхней стеклянной пластине 1 расположены прозрачные катодные электроды 2. На расстоянии 10 мкм от катодных электродов вертикально расположены диэлектрические пластины 3 с резисторами А и анодными электродами 5. Расстояние выдерживается с помощью прокладки 6, замыкает объем стеклянная пластина 7. Нижние торцы диэлектрических пластин закруглены для обеспечения надежного контакта анодных электродов с резисторами и предотвращения замыкания между соседними анодными электродами.

Изготовленный и испытанный индикатор имеет 50 диэлектрических пластин с резисторами (соответственно 50 анодов) и 120 катодных электродов. Толщина каждой пластины с резисторами 0,5 мм, высота 8 мм. Резисторы расположены на пластине с шагом 0,5 мм, нанесены методом вакуумного

10

При работе ГЗСИ постоянного тока с внутренней памятью между анодными и катодными электродами поддерживается постоянная разность потенциалов Ее величина выбирается меньше напря жения возникновения разряда, но больше напряжения прекращения разряда. При одновременной подаче импульсов записи информации на выбранный анод и катод в ячейке зажигается разряд, ток которого ограничивается резистором. Наличие резистора в каждой ячейке индикатора обеспечивает свойства памяти.

Расположение резисторов на отдель ных диэлектрических пластинах позволяет проводить контроль и отбраковку резистивных элементов по величине сопротивления перед сборкой индика- ора. В предлагаемой конструкции отпадает необходимость использования дорогостоящей матрицы с отверстиями, так как переход разряда на соседнюю ячейку невозможен из-за высокого дав ления наполняющих индикатор газов и малой площади вершины тонкопленочного резистора, выхоттпгцей в разрядный

15

20

25

30

35

40

промежуток (0,3 10йм2), разряд лока лизован.

Вертикальное расположение тонкопленочных резисторов позволяет добит ся высокой плотности их расположения что увеличивает разрешающую способность индикатора. В предлагаемой конструкции возможно увеличение длин резисторов настолько, насколько это необходимо для обеспечения запаса электропрочности без ухудшения других параметров.

Ф

ормула изобретения

Газоразрядный знакосинтезирующий индикатор постоянного тока с внут- дс ренней памятью, содержащий обкладоч- ные стеклянные пластины, систему анодных и катодных электродов, резисторы, электрически соединенные с анодными электродами, о т л и ч а50

ю щ и и с я тем, что, с целью повышения электропрочности индикатора и плотности расположения ячеек, уменьшения разброса величин сопротивления резисторов, резисторы выполнены в виде протяженных тонкоплеV -/ ГЧЛ , иаи -ч-«-1 Ч1 l-lo f-..jj - liUJin CflDI Ј3 ЖЭП/Д,С 1 /1Л1СГШШЛ I 14

напыления, материал резисторов РС-1004 ночных полос на боковых поверхносвеличина сопротивлений 500 кОм. Ин-тях вертикально расположенных дидикатор наполняют инертным газомэлектрических пластин, а анодные

до 740 мм рт.ст. (Ne + 0,3% Хе) .электроды нанесены на торцы пластин.

.

10

68482Еа

При работе ГЗСИ постоянного тока с внутренней памятью между анодными и катодными электродами поддерживается постоянная разность потенциалов, Ее величина выбирается меньше напряжения возникновения разряда, но больше напряжения прекращения разряда. При одновременной подаче импульсов записи информации на выбранный анод и катод в ячейке зажигается разряд, ток которого ограничивается резистором. Наличие резистора в каждой ячейке индикатора обеспечивает свойства памяти.

Расположение резисторов на отдельных диэлектрических пластинах позволяет проводить контроль и отбраковку резистивных элементов по величине сопротивления перед сборкой индика- ора. В предлагаемой конструкции отпадает необходимость использования дорогостоящей матрицы с отверстиями, так как переход разряда на соседнюю ячейку невозможен из-за высокого давления наполняющих индикатор газов и малой площади вершины тонкопленочного резистора, выхоттпгцей в разрядный

15

20

25

30

35

40

промежуток (0,3 10йм2), разряд локализован.

Вертикальное расположение тонкопленочных резисторов позволяет добиться высокой плотности их расположения, что увеличивает разрешающую способность индикатора. В предлагаемой конструкции возможно увеличение длины резисторов настолько, насколько это необходимо для обеспечения запаса электропрочности без ухудшения других параметров.

Ф

ормула изобретения

Газоразрядный знакосинтезирующий индикатор постоянного тока с внут- ренней памятью, содержащий обкладоч- ные стеклянные пластины, систему анодных и катодных электродов, резисторы, электрически соединенные с анодными электродами, о т л и ч а50

ю щ и и с я тем, что, с целью повышения электропрочности индикатора и плотности расположения ячеек, уменьшения разброса величин сопротивления резисторов, резисторы выполнены в виде протяженных тонкоплеliUJin CflDI Ј3 ЖЭП/Д,С 1 /1Л1СГШШЛ I 14

ночных полос на боковых поверхносц«

Изобретение относится к газоразрядной технике и устройствам отображения информации, Целью изобретения является увеличение электропрочности резисторов, повышение плотности их расположения, стабильности электрических параметров и уменьшение разброса величины сопротивления. Укаэанная цель достигается тем, что в индикаторе, содержащем обкладочные стеклянные пластины и системы анодных и катодных электродов, резистивный узел выполнен как комплект вертикально расположенных диэлектрических пластин, с одной стороны которых нанесены тонкопленочные резисторы в виде полос, электрически соединенных с анодными электродами на торцах пластин. Вертикальное расположение тонко- пленочных резисторов позволяет добиться высокой плотности индикаторных ячеек. Выполненные в виде протяженных полос (до 10 мм), они отличаются высокой электропрочностью. Расположение резисторов на отдельных диэлектрических пластинах позволяет эффективно вести контроль их параметров и отбраковку в процессе сборки индикатора, что уменьшает разброс величин сопротивлений в индикаторе, увеличивая диапазон памяти. 2 ил. I (/)

260 240 220

to го зо но so

ФИГ.2.

Составитель С.Двинин Редактор О.Спесивых Техред А.Кравчук Корректор А.Обручар

Заказ 3510ТиражПодписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

I ,мкА