Способ изготовления контактных растров Советский патент 1991 года по МПК G03F5/16 

Изобретение относится к растровым фоторепродукционным процессам.

Целью изобретения является расширение технологических возможностей способа за счет управления градационными характеристиками растра.

Способ выполняют следующим образом.

Осуществляют многократное поэлементное экспонирование фотоматериала на прозрачной основе световыми импульсами, которые предварительно формируют с заданным шагом изменения их интенсивности и длительности. При этом изменяют размеры поперечного сечения световых импульсов в плоскости фотоматериала.

Для каждого i-ro дозированного экспонирования программно задают конфигурацию и относительную площадь SOTH растрового элемента, рассчитываемую по формуле

SOTH - SOTH Ь

/L, I 1

AS

OTHI.

Заданную конфигурацию элемента контактного растра формируют программой включения модуляторов, управляющих экспонированием. Минимальную освещенность Ei фотоматериала в плоскости записи, обеспечивающую экспозицию Hi дозированного экспонирования, выбирают таким

образом, чтобы Hi , Н0,

Не

1 t4.

s(s

светочувствительность экспонирующего фотоматериала). При этом приращение оптической плотности на фотоматериале составляет A DI Опор, где Опор - пороговая оптическая плотность экспонируемого фотоматериала. Требуемое значение EI обеспечивают регулировкой интенсивности лазерного источника света на этапе его настройки. Линиатуру контактного растра задают линиатурой и масштабом записи.

Градационная характеристика контактного растра, его интервал оптических плотностей и число дискретно воспроизводимых градаций определяют шагом АЗотн изменения 5отинн SOTH SOTHc (который может

Os

00

о чэ

сЈ

быть как постоянным, так и переменным), значением Hi и сенситометрическими характеристиками фотоматериала, используемого для записи.

Изготовление контактного растра осу- ществляют путем многократной записи на фотоматериал растровых элементов с S отн на первом этапе многократной записи с шагом ДЗотн, определяющим число воспроизводимых градаций, до S Отн макс на по- следнем этапе многократной записи. Таким обра зом, формируют элементы контактного растра с заданной градационной характеристикой.

Пример. Осуществляют настройку лазерного источника излучения с учетом сенситометрических характеристик фотоматериала,

Осуществляют выбор экспозиции Н дозированного экспонирования HI EI ti, где EI - освещенность фотоматериала в его плоскости при i-м дозированном экспонировании; ti - время экспонирования каждого элемента растровой точки при i-м дозированном экспонировании.

Для определения этих параметров используют мощность W лазерного источника излучения, эффективность п лазерной оптической системы, линиатуру з записи, линейную скорость V развертки, число m расщепленных лучей лазера, число г прогонов, за которое при электронной реализации растрирования формируют из субзле- ментов одну растровую точку

г

La m V

Е| Емакс Т|,

где Емакс освещенность, создаваемая лазерным источником излучения в плоскости оротоматериала;

т - коэффициент ослабления, обеспечиваю щи и1 за да иное значение EI, который выбирают с учетом сенситометрических характеристик экспонируемого фотоматериала,

W-LS-m -n

Емакс 681 V(A)г2

где V (А) - относительная спектральная световая эффективность излучения.

При изготовлении контактного растра линиатурой Ip 60 лин/см на цветокорректо- ре марки ЭЦМ растровую точку формируют за г - 2 прогонов, следовательно, , лин/см. Число расщепленных лучей m b. Тогда при линейной скорости записи V 100 м/с ti 2,8 .

В ЭЦМ используют аргоновый лазер мощностью W 5 мВт с излучением в сине- зеленой зоне спектра, для которого V (А) 0,17. Эффективность лазерной оптической системы п 0,05.

Для приведенных данных Емакс 0,6 10 лк. Таким образом, значение Нмакс в плоскости записи равно 1,68 лк-с.

Экспонирование осуществляют на фотопленку ФТ-31, которую обрабатывают в мелкозернистом выравнивающем проявителе. Минимальное значение экспозиции составляет НМин 0,16 лк -с. Минимальное значение экспозиции НМин формируют уменьшением экспозиции Нмакс, ослабляя световой поток лазерного источника света в

К

Hf

раз. В примере К 10,5.

Нмин

Таким образом, коэффициент ослабления т излучения лазерного источника света при дозированном экспонировании равен

г, -1-Ы.

Характеристики изготовленного контактного растра приведены в таблице.

Формула изобретения Способ изготовления контактных растров, заключающийся в формировании световых импульсов, отличающихся интенсивностью и длительностью, многократном поэлементном экспонировании фотоматериала сформированными импульсами и его последующей химикофотографической обработке, отличающийся тем, что, с целью расширения технологических возможностей способа за счет управления градационными характеристиками растра, световые импульсы формируют с изменением размеров их поперечного сечения в плоскости фотоматериала.

Продолжение таблицы

Изобретение относится к способу изготовления контактных растров и позволяет расширить технологические возможности способа за счет управления градационными характеристиками растра. Для этого осуществляют многократное поэлементное экспонирование фотоматериала предварительно сформированными световыми импульсами. Причем размеры поперечного сечения формируемых импульсов изменяют перед каждым последующим экспонированием. 1 табл.