Полупроводниковый прибор Советский патент 1991 года по МПК H01L23/00 

Изобретение - полупроводниковый прибор для усилителей распределенного усиления (УРУ) СВЧ - относится к электронике и может быть использовано в СВЧ-технике, широкополосных усилителях, приемниках.

Цель изобретения - улучшение электрических параметров путем снижения последовательной индуктивности и параллельной емкости.

На чертеже представлена конструкция основания прибора с полевым транзистором с общим источником.

Полупроводниковый прибор состоит из керамического основания 1 с металлизацией в виде низкоомной ммкрополосковой линии (МПЛ)2, кристалла 3, соединенного микро проволокой 4 с соответствующими выводами входа МП Л 2, а выводы выхода кристалла подключены к проходящим через корпус транзистора высокоомным МПЛ 5 и 6 микропроволокой 7 и 8 соответственно, металлизированных боковых граней 9 основами

Полупроводниковый прибор работает следующим образом.

Транзисторы собираются боковыми металлизированными гранями г последующим заземлением, при этом образуются входная и выходная передающие линии, штоки оказываются заземленными, и при подключении соответствующих нагрузок образуется УРУ с уменьшенными элементами.

Частотные свойства его при этом определяются величиной корпуса (шага между транзисторами) и свойствами самого кристалла. Это позволяет значительно расширить полосу усиливаемых частот по сравнению с использованием в гибридных УРУ транзисторов с известными конструкциями корпусов.

Пример Корпус был изготовлен из поликора. Металлизация выполнена по типовому технологическому процессу. Применение корпуса размером 1x1,5x0,25 мм позволило на чипе АП339А5 изготовить гибридный УРУ, работающий до 12 ГГЦ.

Формула изобретения

Полупроводниковый прибор, преиму- щес веино усилитель распределенного усиления СВЧ, содержащий керамическое

сл

с

сь

Ј

основание, на лицевой поверхности которого симметрично его боковым граням расположена низкоомная микрополосковая линия, кристалл, симметрично расположенный на микрололосковой линии и соединенный с ней общим выводом, и входной и выходной выводы, расположенные зеркально-симметрично относительно микрополо- сковой линии, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрических параметров путем снижения последовательной ин0

дукгивиостм и параллельной емкости системы выводов, выводы входа и выхода выполнены в виде трапецеидальных микрополосковых участков металлизации, обращенных к кристаллу меньшими основаниями трапеций, а две боковые грани, перпендикулярные микро- полосковой линии, и нижняя поверхность керамического основания выполнены металлизированными и электрически соединены между собой и с микрополосковой линией.

Изобретение относится к электронике и может быть использовано в СВЧ-технике, широкополосных усилителях, приемниках. Цель изобретения - улучшение электрических параметров путем снижения последовательной индуктивности и параллельной емкости - достигается тем, что выводы входа и выхода выполнены в виде трапецеидальных микрог-олосковых участков металлизации, обращенных к кристаллу меньшими основаниями трапеций, а две боковые грани, перпендикулярные микрополосковой ли- нич, и нижняя поверхность керамического основания выполнены металлизированными и электрически соединены между собой и с микрополосковой линией. 1 ил.

%ШЗШ

ч -s

ч -s