ВЕЩЕСТВО ДЛЯ АКТИВНЫХ СРЕД И ПАССИВНЫХ ЛАЗЕРНЫХ ЗАТВОРОВ Советский патент 1994 года по МПК H01S3/16 H01S3/11 

Описание патента на изобретение SU1695801A1

Изобретение относится к области квантовой электроники, в частности к твердотельным активным материалам оптических квантовых устройств и пассивным модуляторам добротности резонаторов лазеров, и может быть использовано при изготовлении активных элементов плавно перестраиваемых по частоте оптических квантовых генераторов и усилителей ближнего инфракрасного диапазона, а также нелинейных насыщающихся фильтров для модуляции добротности, широко используемых в технике неодимовых твердотельных лазеров, для пассивной синхронизации мод, развязки усилительных каскадов.

Цель изобретения - повышение концентрации рабочих F2--центров.

На чертеже приведены дозовые зависимости накопления рабочих F2--центров окраски.

Увеличение концентрации рабочих центров обусловлено следующим процессом. Примесные ионы водорода H- в процессе облучения кристаллов служат эффективными поставщиками электронов, тем самым способствуя более быстрому накоплению отрицательно заряженных F-агрегатных центров окраски. Примесные магниевые центры способствуют стабилизации положительных центров окраски и дырочных центров, повышая тем самым уровень термодинамического равновесия между положительными и отрицательными радиационными дефектами, а, следовательно, и уровень концентрации рабочих F2--центров окраски.

Монокристаллы фторида лития синтезировались методом Стокбаргера из сырья LiF квалификации "ОСЧ". В шихту добавлялись примеси гидрида лития и фторида магния и выращивание проводилось в атмосфере водорода. Для создания центров окраски выращенные кристаллы облучались рентгеновским излучением дозой (0,1-3) ˙ 106 Гр при температуре, близкой к комнатной.

В кристаллах фторида лития с содержанием водорода LiH ниже 0,02 мол.% и ионов магния MgF2 ниже 0,004 мол.% концентрация рабочих F2--центров меньше или такая же, как в кристаллах без примеси фторида магния. Эти данные определяют нижний предел концентрации примесей.

В кристаллах с содержанием водорода выше 0,1 мол.% происходит постепенное уменьшение эффективности образования всех F-агрегатных центров и при концентрации 0,32 мол.% эффективность накопления F2--центров окраски становится низкой. Концентрация примеси ионов магния более 0,08 мол.% приводит к нежелательному увеличению неактивных потерь в образцах. Средняя концентрация примесей 0,004 мол.% LiH и 0,045 мол.% MgF2 дает максимальный положительный эффект.

На чертеже показаны дозовые зависимости D накопления рабочих F2--центров окраски в различных образцах активных сред, измеренные по оптическим спектрам поглощения (кривая 1 представляет собой кривую накопления рабочих центров в кристалле фторида лития беспримесного, кривая 2 - в кристалле фторида лития с добавкой 0,12 мол.% MgF2, кривая 3 - в кристалле фторида лития с добавкой 0,004 мол.% LiH и 4 - кривая накопления F2- -центров окраски в лазерном веществе - фториде лития с 0,045 мол.% MgF2 и 0,04 мол.% LiH (средние концентрации примесей).

Из сопоставления кривых видно, что коэффициент поглощения К в области поглощения F2- -центров окраски, который прямо пропорционален их концентрации, в предложенном лазерном веществе значительно выше (примерно в 3-4 раза). Особенно заметное превышение наблюдается при малых дозах облучения 103-2 ˙ 106 Гр.

Похожие патенты SU1695801A1

название год авторы номер документа
ЛАЗЕРНОЕ ВЕЩЕСТВО ДЛЯ АКТИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ И ПАССИВНЫХ ЗАТВОРОВ 1987
  • Непомнящих А.И.
  • Егранов А.В.
  • Черняго Б.П.
  • Отрошок В.В.
  • Чернов В.Г.
  • Татаринов А.Г.
RU1528278C
ЛАЗЕРНЫЙ МАТЕРИАЛ 1986
  • Мартынович Е.Ф.
  • Соцердотова Г.В.
  • Барышников В.И.
  • Григоров В.А.
  • Перунина Л.М.
SU1538846A1
МАТЕРИАЛ ДЛЯ АКТИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ЛАЗЕРОВ, ПАССИВНЫХ ЛАЗЕРНЫХ ЗАТВОРОВ И АПОДИЗИРУЮЩИХ ДИАФРАГМ 1982
  • Лобанов Б.Д.
  • Максимова Н.Т.
  • Парфианович И.А.
  • Цирульник П.А.
  • Волкова Н.В.
  • Исянова Е.Д.
  • Васильев С.Г.
  • Симин Б.А.
SU1123499A1
КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ МОДУЛЯТОРЫ ДОБРОТНОСТИ ДЛЯ ЛАЗЕРОВ ВИДИМОГО СПЕКТРАЛЬНОГО ДИАПАЗОНА 2022
  • Юсим Валентин Александрович
  • Саркисов Степан Эрвандович
RU2798465C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЛАЗЕРНОГО ЭЛЕМЕНТА 1985
  • Иванов Н.А.
  • Михаленко А.А.
  • Хулугуров В.М.
  • Непомнящих А.И.
SU1331394A1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ АКТИВНОГО ЭЛЕМЕНТА ТВЕРДОТЕЛЬНОГО ЛАЗЕРА 1979
  • Лобанов Б.Д.
  • Максимова Н.Т.
SU807961A1
СПОСОБ СОЗДАНИЯ РАБОЧЕЙ СРЕДЫ ДЛЯ ТВЕРДОТЕЛЬНЫХ ПЕРЕСТРАИВАЕМЫХ ЛАЗЕРОВ 1995
  • Смольская Л.П.
  • Иванов Н.А.
  • Хулугуров В.М.
RU2146726C1
ЛАЗЕРНОЕ ВЕЩЕСТВО 1980
  • Хулугуров В.М.
  • Иванов Н.А.
  • Кузаков С.М.
  • Парфианович И.А.
SU845721A1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ АКТИВНОГО ЭЛЕМЕНТА ТВЕРДОТЕЛЬНОГО ЛАЗЕРА 1979
  • Хулугуров В.М.
  • Шнейдер А.Г.
  • Иванов Н.А.
  • Бубнова Л.И.
SU814225A1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЛАЗЕРНОЙ СРЕДЫ ДЛЯ АКТИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ И ПАССИВНЫХ ЗАТВОРОВ 1981
  • Иванов Н.А.
  • Михнов С.А.
  • Хулугуров В.М.
  • Чепурной В.А.
  • Шкадаревич А.П.
  • Янчук Н.Ф.
SU1064835A1

Иллюстрации к изобретению SU 1 695 801 A1

Реферат патента 1994 года ВЕЩЕСТВО ДЛЯ АКТИВНЫХ СРЕД И ПАССИВНЫХ ЛАЗЕРНЫХ ЗАТВОРОВ

Изобретение относится к области квантовой электроники, в частности к твердотельным активным материалам и пассивным модуляторам добротности резонаторов лазеров. Цель изобретения - увеличение концентрации рабочих F-2

центров окраски. В лазерное вещество на основе фторида лития с примесью гидрида лития с F-2
центрами окраски введен в процессе его подготовки фторид магния в концентрации 0,004 - 0,08 мол.% при концентрации гидрида лития 0,02 - 0,3 мол.% с последующим облучением ионизирующим излучением дозой (0,1-3)·106 при температуре, близкой к комнатной. 1 ил.

Формула изобретения SU 1 695 801 A1

ВЕЩЕСТВО ДЛЯ АКТИВНЫХ СРЕД И ПАССИВНЫХ ЛАЗЕРНЫХ ЗАТВОРОВ на кристаллах LiF с F-2

-центрами окраски, содержащее ионы Mg++ и водорода, отличающееся тем, что, с целью повышения концентрации рабочих F-2
-центров, оно содержит водород в концентрации 0,02 - 0,32 мол.% и Mg++в концентрации 0,004 - 0,08 мол.%.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1994 года SU1695801A1

Авторское свидетельство СССР N 1561783, кл
Печь для непрерывного получения сернистого натрия 1921
  • Настюков А.М.
  • Настюков К.И.
SU1A1

SU 1 695 801 A1

Авторы

Непомнящих А.И.

Егранов А.В.

Черняго Б.П.

Отрошок В.В.

Даты

1994-10-15Публикация

1989-01-13Подача