Полевой полупроводниковый прибор Советский патент 1991 года по МПК H01L29/80 

Изобретение относится к области полупроводниковой электроники и может быть использовано в усилителях и генераторах сигналов несинусоидальной (Ьормы.

Целью изобретения является повышение параметрической надежности.

На чертеже приведена структура полевого прибора, разрез.

На подложке 1 р-типа проводимости толщиной 450-500 мкм расположен р эпитаксиальный слой 2 толщиной 7- 12 мкм, в котором расположена диффузионная область 3 канала n-типа проводимости толщичой 1,0-1,2 мкм с поверхностным сопротивлением 200 - 2500 Ом на квадрат. В канале расположена область 4 и 5 истока, область стока и первый управляющий р-п-пере- ход затвора 6. Вне области канала

расположен второй управгчющий р-п-пе- р еход 7.

Второй управлякл1 ;т р-п череход 7 расположен на расетод пш от области истока 4, превышающем ширину области пространственного заряда управляющего p-n-перехода, во избежание ее короткого замыкания с областью истока и невозможности получения режима лавинного пробоя.

Полупроводниковый полевой прибор работает следующем образом.

Области i и 5 к 6 подключаются к электронной схеме Сне покаяа- на) в соответствии с функциональным назначением прибора, а к т,ополнитель- жму р-п-перйхоцу 7 подключают источник пробивного напряженир, с помощью которого управпяют мавинного пробоя. Изменением тока „ яьичного

о со оо

CD

пробоя p-n-пейвхода 7 достигается управление током канала полевого прибора без изменения задающих режим напряжений на истоке, стоке и затворе. Наличие тока пробоя влечет за собой генерацию горячих электронов, которые, распространяясь по области 3, становятся компонентой тока стока прибора.

Горячие электроны, испытывая при своем движении сопротивление, меньшее чем холодные электроны, обусловливают эффект увеличения тока стока. Таким образом, может быть скомпенсировано ухудшение дополнительных свойств полевого прибора при дестабилизирующих воздействиях и повышена параметрическая надежность.

Полевой полупроводниковый прибор может быть изготовлен по данной планарно-эпитаксиальной технологии.

Формула изобретения

Полевой полупроводниковый прибор, содержащий размещенные в области канала области истока, стока и управляющие p-n-перёходы, отличающийся тем, что, с целью повышения параметрической надежности, один из управляющих p-n-переходов размещен

вне области канала на расстоянии

от области истока, превышающем ширину области пространственного заряда, управляющего р-п-перехода,

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано в усилителях и генераторах несинусоидальной формы. Цель изобретения повышение параметрической надежности полевого транзистора с управлякщкм р-п-первходом. Расположение дополнительного р-п-перехода на определенном расстоянии от истока позволяет за счет генерации горячих электронов при обратном напряжении на этом переходе увеличить ток стока без увеличения напряжения на электродах сгока и затвора. 1 ил.

J 4 В 5

.-T. . A-r.

Р п- r/Tj

1

гп

п

Р+

. A

Р п-

гп