Способ разбраковки полупроводниковых структур на пластине по группам годности Советский патент 1992 года по МПК H01L21/66 

Изобретение относится к полупроводниковой технологии, и может быть использовано в производстве полупроводниковых приборов для разбраковки структур по номенклатурным группам.

Известен способ разбраковки структур на пластине по группам годности путем нанесения различительных меток на структуры по результатам проверки их электрических параметров.

Недостатком известного способа является то, что метку наносят на активную часть структуры и, таким образом, разбраковка по номенклатурным группам ограничивается только двумя: годная и негодная.

Известен также способ, заключающийся в формировании специальной контрольной области вне активной части структуры, нанесении на эту область различительных

меток и маркировке структур по результатам проверки электрических параметров.

Недостатком прототипа является то, что для разбраковки необходимы две операции: сначала на контрольную область наносят все метки, соответствующие общему числу групп годности, а после проверки электрических параметров ненужные метки стирают лазерным лучом. Кроме того, способ рассчитан только на визуальный внешний контроль, не обеспечивая возможности машинного считывания результата разбраковки. Этот недостаток является следствием того, что лазерный луч может стирать лишние метки только в одной контрольной области, что не позволяет разместить такие метки на расстояниях, разрешающих машинное считывание.

VI

О j

Ю

J

Цель изобретения - повышение надежности разбраковки.

Указанная цель достигается тем. что согласно способу, заключающемуся в форми- ровании контрольных областей вне активной части структур, нанесение на эти области различительных меток, маркировке структур по результатам проверки электрических параметров на структуре, формируют контрольные области в количестве, соответствующие количеству групп годности, а маркировку производят нанесением меток, причем нанесение проводят электроэрозионным путем.

Пример. Разбраковка по трем труп- пам годности осуществляется на кремниевых пластинах со структурами приборов типа КТ-3108.

Контрольные области сформированы вне активной части структуры фотолитогра- фией. одновременно с формированием топологии прибора на свободной от защитной окисной пленки поверхности полированного кремния, по двум углам структуры.

Размеры контрольных областей и рас- стояния между ними выбраны исходя из следующих условий.

Размеры и конструкция электрода-маркировщика те же, что и у зонда для проверки электрических параметров структур. Поэто- му размер контрольных областей и расстояния между ними имеют тот же порядок, что и контактные площадки. Контактные площадки имеют размеры 100x100 мкм, а контрольные области 80x80 мкм.

Обеспечение машинного считывания результата, т.е. расстояния между контрольными областями также должны быть того же порядка,чтои расстояния между контактными площадками.

В конкретном случае расстояния между контактными площадками 160 мкм, а между контрольными областями 280 мкм.

Метку на контрольную область наносят по результатам проверки электрических параметров электроэрозионным путем, беспечивая перенос материала электрода-маркировщика при разряде, возникающем в воздушном зазоре между поверхностью пластины и электродом, при подаче на него напряжения пробоя.

В конкретном случае указанный зазор составляет 0,1-0.2 мм, что определяется фокусировкой метки. При этом напряжение пробоя равняется 600-700 В.

При пробое образовывается контрастная метка, различимая визуально и для машинного зрения.

Преимущества описываемого способа заключаются в следующем: не требуется дорогостоящего оборудования (в прототипе используется лазер); упрощается процедура разбраковки; обеспечивается возможность машинного считывания результата (метки, наносимые в прототипе на одну контрольную область, не обеспечивают необходимого разрешения).

Формула изобретения

1. Способ разбраковки полупроводниковых структур на пластине по группам годности, включающий формирование контрольных областей вне активной части структур, проверку электрических параметров указанных областей, маркировку структур ло результатам проверки, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности разбраковки, контрольные области формируют на поверхности, свободной от защитных пленок, в количестве, соответствующем числу групп годности, а маркировку производят нанесением меток на эти области.

2. Способ по п.1, о т л и ч а ю щ и и с я тем, что нанесение меток производят элек- троэрозионным путем.

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано в производстве полупроводниковых приборов для разбраковки структур по номенклатурным группам. Целью изобретения является повышение надежности разбраковки. Способ заключается в том, что на поверхности пластины, свободной от защитных пленок, формируют контрольные области в количестве, соответствующем числу групп годности. Затем осуществляют проверку электрических параметров контрольных областей. После чего производят маркировку структур путем нанесения меток. Нанесение производят электроэрозионным путем. 1 з.п. ф-лы. т е