1
Изобретение относится к технологическому оборудованию для производства нолуироводниковых приборов и может быть применено при маркировке негодных кристаллов и некоторых приборов на полупроводниковых нластинах при производстве интегральных микросхем.
Известен способ маркировки негодных элементов после замера зондами их электрических параметров, при котором алмазным наконечнико.м ставят метку в виде царапины или точки на поверхности полупроводникового кристалла между контактными площадками. Недостатками известного способа являются сложность механических устройств для его реализации, а также нанесение метки на полупроводниковом кристалле, из-за чего он целиком бракуется. Однако при изготовлении ряда ириборов, например многоканальных коммутаторов на МОП-транзисторах, выход из строя одного канала не влияет на работоспособность остальных каналов, поэтому практически можно использовать все кристаллы, имеющие хотя бы один годный канал.
Предложенный способ маркировки элементов интегральных схем отличается тем, что после измерения их электрических параметров риску наносят острием электроизмерительио2
го зонда на контактной площадке, соответствующей негодному элементу.
Способ реализуется следующим образом. При обнаружении негодного элемента во время измерения электрических параметров на измерительный зонд, упирающийся в контактную площадку, подают механические колебания, вызывающие перемещение острия зонда по контактной площадке. В результате на контактной площадке остается риска, легко различимая под микроскоиом при разбраковке кристаллов с приборами.
Поеле разбраковки кристаллы поступают на сборку, причем с выводами корпуса соединяют только контактные нлощадкн, не имеющие метки, т. е. соответствующие годным элементам.
Предмет изобретения
Сиособ маркировки элементов интегральных схем после измерення их электрических параметров путем нанесения метю в виде риски, с т л и ч а ю 1Ц и и с я тем, что. с целью упрощения процесса и обеспечения выделения годных элементов для псслелуюн его их использования, рпску наносят острием электроизмерительного зонда на контактной площадке, соответствующей негодному элементу.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Способ разбраковки полупроводниковых структур на пластине по группам годности | 1989 |
|
SU1704194A1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ | 1971 |
|
SU323057A1 |
Способ разбраковки по электрическим параметрам структур стабилитронов на пластине | 1991 |
|
SU1820425A1 |
УСТРОЙСТВО ДЛЯ КОНТРОЛЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ БЕЗВЫХОДНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ | 1993 |
|
RU2083024C1 |
ЗОНДОВАЯ ГОЛОВКА | 1971 |
|
SU317133A1 |
СПОСОБ РАЗБРАКОВКИ ПАРТИИ ИНТЕГРАЛЬНЫХ ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ ПО РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТИ | 1998 |
|
RU2149417C1 |
СПОСОБ НАНЕСЕНИЯ НАНОМАРКИРОВОК НА ИЗДЕЛИЯ | 2008 |
|
RU2365989C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КОРПУСА ПО РАЗМЕРАМ КРИСТАЛЛА ИНТЕГРАЛЬНОЙ МИКРОСХЕМЫ | 2008 |
|
RU2410793C2 |
СПОСОБ ТРЕХМЕРНОГО МНОГОКРИСТАЛЬНОГО КОРПУСИРОВАНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ ПАМЯТИ | 2019 |
|
RU2705229C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ | 2012 |
|
RU2511054C2 |
Авторы
Даты
1974-04-05—Публикация
1971-12-07—Подача