Способ изготовления полупроводникового преобразователя механических перемещений Советский патент 1992 года по МПК H01L21/34 

фотолитографией формируют контактные площадки.

На пластину из стекла марки типа Пиреке, например, С-52 напыляют алюминий толщиной 1,0 мкм и формируют фотолитографией обкладку и контактную площадку. На поверхность пластины напыляют адгезионный слой ванадия толщиной 0,03-0,1 мкм и слой меди толщиной 0,3-0,8 мкм. Фотоли- тографией создают защитный слой из фоторезиста марки ФП-383 с окнами под выступы. Электрохимическим осаждением (гальванопластикой) наносят в областях выступов утолщенный слой меди толщиной 30-80 мкм. Затем удаляют фоторезист и стравливают напыленный слой меди в травителе состава: 450 г оксида хрома (VI), 50 мл серной кислоты, до 100 мл деионизованной воды и ваяадия в 33%-ном растворе перекиси водорода. Разделяют пластину на отдельные платы резкой дисками. Совмещают кремниевый кристалл со стеклянной платой по выступам и проводят электростатическое соединение в вакууме при подаче напряжения постоянного тока величиной 0.5-1,5 кВ и температуре 400-500°С. Далее удаляют медные выступы травлением в холодной концентрированной азотной кислоте, не воздействуя на алюминиевые слои кристалла и платы.

Использование способа позволяет упростить сборку деталей преобр.азователя, так как не требует применения специальной центрирующей оснастки.

Формула изобретения

Способ.изготовления полупроводникового преобразователя механических перемещений, включающий изготовление кремниевого кристалла с алюминиевыми контактными площадками и-корпуса, установку кристалла в корпус; соединение кристалла с корпусом и присоединение выводов к контактным площадкам, отличающийся тем. что. с целью упрощения способа и повышения выходатодных. перед установкой кристалла в корпус на одной из

соприкасающихся поверхностей кристалла или корпуса формируют последовательным напылением, фотолитографией и гальванопластикой медные центрирующие выступы, при помощи которых при установке кристалла осуществляют его центровку, а перед присоединением выводов центрирующие выступы удаляют травлением в концентрированной азотной кислоте.

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано приизгот'овлении полупроводниковых преобразователей механических величин. Целью изобретения является упрощение способа и повышение выхода годных. Сущность изобретения заключается в том, что на поверхности кристалла или корпуса со стороны их соприкосновения при сбррке формируют методами напыления, фотолитографии и гальванопластики медные центрирующие выступы, расположение которых соответствует габаритам противостоящей детали, или кристалла, в процессе сборки кристалла в корпусе центрируют их между собой по выступам, а после соединения кристалла с корпусом удаляют выступы в концентрированной азотной кислоте.СОсИзобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых преобразователей механических величин, в частности давления и ускорения.Цель изобретения - упрощение способа и повышение выхода годных.Сущность изобретения заключается в том, что изготавливают кремниевый кристалл с алюминиевыми контактными площадками и корпус, на одной из соприкасающихся поверхностей кристалла или корпуса формируют последовательным напылением, фотолитографией и гальванопластикой Медные центрирующие выступы,. устанавливают кристалл в корпус с помощью медных выступов, осуществляя его центровку, соединяют кристалл с корпусом, удаляют центрирующие выходы травлением в концентрированной азотной кислоте иприсоединяют выводы к контактным площадкам.. 'Пример. На пластинке кремния толщиной 300 мкм, диаметром 60 мм, ориентации (100) термическим окислением выращивают пленку двуокиси кремния толщиной 0,2-0,3 мкм, затем двусторонней фотолитографией вскрываются в ней окна под области для зазора и травится кремний в КОН на глубину 15*1 мкм, равную величине зазора. Вторым окислением создают пленку Si02 толщиной 0,4-0,5 мкм, вытравливают окна под щели с обоих сторон пластины и травят в них кремний на глубину 125^ мкм. После третьего окисления на глубину 0,2- 0,3 мкм формируют в щелях участки Sr02, соотетствующие перемычкам, и травят кремний с двух сторон пластины до образования сквозных щелей и утоньшенных перемычек толщиной 20t2 мкм. Напылением иVI..i.^ю ю 00 о>&