Полупроводниковый тензопреобразователь Советский патент 1992 года по МПК G01L9/04 

Описание патента на изобретение SU1719940A1

Похожие патенты SU1719940A1

название год авторы номер документа
Способ компенсации температурного дрейфа нуля интегрального кремниевого тензомоста 1989
  • Суханов Владимир Иванович
SU1647235A1
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ДАВЛЕНИЯ 2007
  • Озаренко Александр Валентинович
  • Брусенцов Юрий Анатольевич
  • Фесенко Александр Иванович
  • Королёв Андрей Павлович
RU2343589C1
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ТЕНЗОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ 2005
  • Суханов Владимир Иванович
RU2284074C1
ТЕНЗОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ДАВЛЕНИЯ 2005
  • Клитеник Олег Вадимович
  • Первушина Татьяна Федоровна
RU2293955C1
ТЕНЗОМЕТРИЧЕСКИЙ ПЕРВИЧНЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ДАВЛЕНИЯ С КОМПЕНСАЦИЕЙ ДРЕЙФА НУЛЯ И МЕМБРАНА ДЛЯ НЕГО 2004
  • Воробьев Дмитрий Леонидович
RU2286555C2
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МЕМБРАННО-РЫЧАЖНОГО ДАТЧИКА СИЛЫ 2022
  • Цывин Александр Александрович
RU2797134C1
Полупроводниковый тензопреобразователь 1978
  • Белоглазов Алексей Васильевич
  • Бейден Владимир Емельянович
  • Иордан Георгий Генрихович
  • Карнеев Владимир Михайлович
  • Папков Владимир Сергеевич
  • Стучебников Владимир Михайлович
  • Хасиков Виктор Владимирович
  • Суровиков Михаил Васильевич
SU934257A1
Полупроводниковый тензопреобразователь 1978
  • Стучебников Владимир Михайлович
SU934258A1
Способ изготовления тензопреобразователя 1983
  • Бушланов Вячеслав Павлович
  • Евдокимов Владимир Иванович
  • Котляревская Елена Борисовна
  • Хасиков Виктор Владимирович
SU1232968A1
МНОГОТОЧЕЧНОЕ ЧАСТОТНОЕ УСТРОЙСТВО ИЗМЕРЕНИЯ ДАВЛЕНИЯ, МАССЫ И ДЕФОРМАЦИЙ 2015
  • Сухинец Жанна Артуровна
  • Сапельников Валерий Михайлович
  • Сухинец Антон Валерьевич
RU2584341C1

Иллюстрации к изобретению SU 1 719 940 A1

Реферат патента 1992 года Полупроводниковый тензопреобразователь

Изобретение относится к полупроводниковым тензопреобразователям и позволяет повысить точность за счет уменьшения температурной погрешности и повысить стабильность выходного сигнала. Тензопре- образователь содержит сапфировую подло- ку 1, жестко соединенную с металлической мембраной 3, выточенной заодно с корпусом 4. На поверхности сапфировой подложки 1 у контура мембраны расположены кремниевые тензорезисторы 5, ориентированные параллельно и перпендикулярно радиусу мембраны. Тензорезисторы 5 находятся на расстоянии от края сапфировой подложки 1 не менее 10 толщин подложки. С помощью токопроводящих дорожек тензорезисторы 5 соединены в тензомост. Контактные площадки обеспечивают подключение тензомоста к источнику питания и регистрацию напряжения разбаланса тензомоста при изменении давления.5 ил.

Формула изобретения SU 1 719 940 A1

cpus.i

cpus.Z

7

Фиг. 5

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1992 года SU1719940A1

Полупроводниковый тензопреобразователь 1978
  • Белоглазов Алексей Васильевич
  • Бейден Владимир Емельянович
  • Иордан Георгий Генрихович
  • Карнеев Владимир Михайлович
  • Папков Владимир Сергеевич
  • Стучебников Владимир Михайлович
  • Хасиков Виктор Владимирович
  • Суровиков Михаил Васильевич
SU934257A1
Печь для непрерывного получения сернистого натрия 1921
  • Настюков А.М.
  • Настюков К.И.
SU1A1
Полупроводниковый тензопреобразователь 1986
  • Евдокимов Владимир Иванович
  • Стучебников Владимир Михайлович
  • Суханов Владимир Иванович
  • Хасиков Виктор Владимирович
  • Черницын Владимир Николаевич
SU1404850A1
Печь для непрерывного получения сернистого натрия 1921
  • Настюков А.М.
  • Настюков К.И.
SU1A1

SU 1 719 940 A1

Авторы

Суханов Владимир Иванович

Даты

1992-03-15Публикация

1990-03-15Подача