Способ изготовления тензопреобразователя Советский патент 1986 года по МПК G01L9/04 

12

Изобретение относится к приборостроению, а точнее к способам изготовления тензопреобразователей.

Целью изобретения является повы шение метрологических характеристик тензопреобразователя.

На чертеже схематично показан тензопреобразователь,

Тензопреобразователь содержит мембрану 1, на которой закреплена диэлектрическая подложка 2 с тензоре- зисторами 3. На подложке 2 образованы трещины 4, направление которых задано рисками 5. Трещины 4 пересекают тензорезисторы 3, по крайней мере, в одной точке 6 по максимальной тензочувствительности;

Способ осуществляется следующим . образом

Изготавливают тензорезисторы 3 на

диэлектрической подложке 2 по известной технологии, например, путем изготовления эпитаксилльных кремниевых тензорезисторов на сапфировой подложке по интегральной полупроводниковой технологии. Далее прикрепляют подложку 2 к поверхности мембраны 1, например, пайкой.

Затем в мембране 1 создается нарастающая деформация от нуля. Полу чить требуемый процесс деформации в мембране 1 можно, например, подачей жидкости или газа под давлением в подмембранную полость, образованную мембраной 1 и кольцом 7. Давление в подмембранной полости увеличивают до образования трещин 4 в подложке 2 под тензорезисторами 3, что можно определить, например, визуально шш по скачкообразному изменению сопротивления тензорезисторов 3.

Изменения сопротивления тензоре- зистора можно контролировать с -помощью самопишущего омметра, подключенного к соответствующему тензорезис- тору 3.

Для того, чтобы надежно отличить скачкообразное изменение сопротивления тензорезистора от импульсного., в момент предполагаемого скачка нарастание деформации прекращают и вьщер- живают период, необходимьй для уста

ВНИИПИ Заказ 2758/4J ираж 778

Произв.-полигр. пр-тие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4

5

0

5

0

5

0

5

новления значения сопротивлен ия тензорезистора. Если установившееся значение сопротивления не равно величине Р в момент, предшествукщий опознаваемому скачку, то скачкообразный характер изменяется и сопротивление долйсно считаться подтвержденным. Для з правления процессом образования трещины 4 на подложке 2 выпо.1 няют риски 5, например, алмазным резцом. Ри:ски 5 выполняют в непосредственной близости от тензорезистора 3 в напрэллении, пересекающем тензоре- зистор по крайней мере в одной точке их максимальной тензочувствительности. Трещина 4 выполняет рол ь концентратора и уменьшает жесткость упругого элемента.

Таки:м образом, использование этого способа позволяет повысить метрологические характеристики преобразователя, например, чувствительности.

Формула изобретения

f .Способ изготовлениятензопр еобра- . зователя, включаняций изготовление тензорезисторов на диэлектрической подложке и закрепление ее на поверх- носГти упругого элемента, о т л и ч а ю щ и и с я тем, что, с целью повышения мет рологических характеристик тензопреобразователя, в упругом элементе создают нарастающую деформацию от нуля до растрескивания.диэлектрика по крайней мере под одним из тензорезисторов, после чего деформацию уменьшают до нуля.

2.Способ по п.1, о тличаю- щ и и с я тем, что перед деформацией упругого элемента около тензорезистора на подложке выполняют риску в направлении, пересеканлцем активную часть тензорезистора.

3.Способ по Ш1. 1 и 2, о т л и - ч а ю ш; и и с я тем, что о растрескивании ди- лектрика судят по скачкообразному изменению сопротивления тензорезистора на величину, превышающую амплитуду шумоподобных колебаний сопротивления этого тензорезистора .

Подписное

Изобретение относится к приборостроению и позволяет повысить метрологические характеристики тензо- преобразователей. Изготавливают тен- зорезисторы (Т) 3 на диэлектрической подложке 2, которую прикрепляют затем к поверхности мембраны 1. Созда- .ют в мембране 1 нарастающую деформацию от нуля путем зтвеличения давления в подмембранной полости до появления трещин 4 в подложке 2 под ТЗ, после чего деформацию уменьшают до нуля. Для управления процессом образования трещин 4 на подложке 2 в непосредственной близости от ТЗ выполняют риски 5. Момент образования трещин определяют, например, по скачкообразному изменению сопротивления ТЗ на величину, пpeвьшIaюD yю амплитуду шумоподобных колебаний сопротивления этого ТЗ. 2 з.п. ф-лы, 1 ил. с ( (Л to со О5 00