ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКАЯ ЯЧЕЙКА ДЛЯ ЛЕГИРОВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО МАТЕРИАЛА ИНДИЕМ Советский патент 2016 года по МПК G01N27/406

Похожие патенты SU1722149A1

название	год	авторы	номер документа
СПОСОБ И УСТРОЙСТВО ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКОГО ЛЕГИРОВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СОЕДИНЕНИЙ ИНДИЕМ И ГАЛЛИЕМ	2016	Мамонтова Екатерина Владимировна Поярков Михаил Сергеевич Зяблицева Мария Петровна	RU2645902C2
Электрохимическая ячейка для получения медьсодержащего полупроводникового соединения заданного состава	1988	Леушина Аделаида Пантеллевна Воробьева Нина Николаевна Суворова Ольга Вениаминовна	SU1644016A1
УСТРОЙСТВО ДЛЯ НАНЕСЕНИЯ МЕТАЛЛИЧЕСКОЙ ПЛЁНКИ И СПОСОБ НАНЕСЕНИЯ МЕТАЛЛИЧЕСКОЙ ПЛЁНКИ	2015	Хираока Мотоки Янагимото Хироси Сато Юки	RU2615009C1
ТВЕРДЫЙ ЭЛЕКТРОЛИТ ДЛЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО ЧУВСТВИТЕЛЬНОГО ЭЛЕМЕНТА	1989	Леушина А.П. Воробьева Н.Н. Фролова Л.Н.	SU1626864A1
РАСТВОР ДЛЯ ГИДРОХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛЕНОК СУЛЬФИДА ИНДИЯ	2013	Марков Вячеслав Филиппович Туленин Станислав Сергеевич Маскаева Лариса Николаевна Кузнецов Михаил Владимирович	RU2533888C1
ГИБКИЙ СОЛНЕЧНЫЙ ЭЛЕМЕНТ	2014	Предтеченский Михаил Рудольфович Сайк Владимир Оскарович Кречетова Нина Николаевна	RU2552597C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОНТАЖНОЙ ПЛАТЫ И МОНТАЖНАЯ ПЛАТА	2020	Окамото Кадзуаки Янагимото Хироси Мори Рэнтаро	RU2740383C1
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КОНЦЕНТРАЦИИ ПРИМЕСИ ГАЗА В ВОЗДУХЕ	2004	Симаков Вячеслав Владимирович Кисин Владимир Владимирович Якушева Ольга Владимировна Гребенников Александр Иванович	RU2279066C1
ИСТОЧНИК ЭНЕРГИИ	2000	Комаревский В.М. Сентюрин И.Г.	RU2162259C1
Батареи биомедицинских устройств трубчатой формы с химически осаждаемым уплотнением	2017	Дэвис, Стюарт Майкл Флитш, Фредерик А. Муту, Миллберн Эбензер Пью, Рэндалл Б. Тонер, Адам Вайнштейн, Лоуренс	RU2672572C1

Реферат патента 2016 года ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКАЯ ЯЧЕЙКА ДЛЯ ЛЕГИРОВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО МАТЕРИАЛА ИНДИЕМ

Электрохимическая ячейка для легирования полупроводникового материала индием, включающая анод, выполненный из индийсодержащего материала, мембрану, выполненную из твердоэлектролитного материала на основе индия, и катод, выполненный из бинарного либо тройного полупроводникового материала, расположенные в контакте друг с другом, отличающаяся тем, что, с целью повышения точности дозирования, в качестве анода использован антимонид индия, а в качестве твердоэлектролитного материала использованы системы In₂S₃-InCl₃, InCl₃-CdCl₂ следующего состав, мол.%:

а) система In₂S₃-InCl₃:

InCl₃ 5,5-7,0 In₂S₃ остальное;

б) система InCl₃-CdCl₂:

CdCl₂ 0,5-2 InCl₃ остальное,

причем система InCl₃-CdCl₂ расположена в контакте с катодом.

SU 1 722 149 A1

Авторы

Леушина А.П.

Воробьева Н.Н.

Кардакова Е.Г.

Пазин А.В.

Аминов Т.Г.

Даты

2016-08-10—Публикация

1990-03-26—Подача