ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ НА МНОГООТВЕРСТНОЙ ФЕРРИТОВОЙПЛАСТИНЕ Советский патент 1965 года по МПК G11C11/00 G11C11/06 

Известны элементы намяти на многоотверстной ферритовой .пластине с двумя парами отверстий, через которые пропущены разрядный и чистовой нровода.

Отлич ием предложенного элемента является то, что числовой и разрядный провода пропущены через одно отверстие каждой пары, а второе отверстие служит только для ограничения магнитного потока. Это позволяет повысить быстродействие элемента и устойчивость его работы.

На чертеже изображены три элемента памяти.

Элементы памяти вьгполнеиы на многоотверстной ферритовой пластине /. Каждый элемент имеет две пары отверстий 2, 3 т 4, 5. Ширина .перемычки между отверстиями 2, 3 (4, 5) определяется необходимой .величиной

выходного сигнала. Расстояние между отверстиям1И 2, 3 элемента и отверстиями 4, 5 определяется удобством нанесения печатной обмотки. Числовой провод 6 « разрядный провод 7 пропущены через отверстия 2 н 4 элемента. Отверстия 3 и 5 являются ограничителем магнитного потока.

Предмет изобретения

Элемент памяти на многоотверстной ферритовой пластине с двумя нарами отверстий, через которые пропущены разрядный и числовой провода, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия элемента и устойчивости его работы, числовой и разрядный провода пропущены через одно отверстие каждой пары, а второе отверстие служит ограничителем магнитного потока.