| название | год | авторы | номер документа |
|---|---|---|---|
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНОЙ МЕТАЛЛИЧЕСКОЙ СТРУКТУРЫ ВОЛЬФРАМА НА КРЕМНИИ | 2008 |
|
RU2375785C1 |
| ПАРОГАЗОВАЯ СМЕСЬ ДЛЯ ОСАЖДЕНИЯ ВОЛЬФРАМА НА КРЕМНИЙ | 1991 |
|
SU1823712A1 |
| СПОСОБ РЕАКТИВНОГО ИОННОГО ТРАВЛЕНИЯ СЛОЯ НИТРИДА ТИТАНА СЕЛЕКТИВНО К ДВУОКИСИ КРЕМНИЯ, ПОЛИКРЕМНИЮ И ВОЛЬФРАМУ | 2013 |
|
RU2533740C1 |
| Способ формирования пленки нитрида кремния | 1990 |
|
SU1718302A1 |
| Способ формирования межслойной изоляции в производстве интегральных микросхем | 1990 |
|
SU1711269A1 |
| СПОСОБ УВЕЛИЧЕНИЯ ПОРОГОВОГО НАПРЯЖЕНИЯ ОТПИРАНИЯ GaN ТРАНЗИСТОРА | 2016 |
|
RU2642495C1 |
| СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР ДЛЯ ПРЕОБРАЗОВАНИЯ ЭНЕРГИИ РАДИОХИМИЧЕСКОГО РАСПАДА С-14 В ЭЛЕКТРИЧЕСКУЮ | 2019 |
|
RU2714783C2 |
| СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ СИСТЕМЫ МНОГОУРОВНЕВОЙ МЕТАЛЛИЗАЦИИ НА ОСНОВЕ ВОЛЬФРАМА ДЛЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ | 2015 |
|
RU2611098C1 |
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СОСТАВНОЙ МИШЕНИ ДЛЯ РАСПЫЛЕНИЯ ИЗ СПЛАВА ВОЛЬФРАМ-ТИТАН-КРЕМНИЙ | 2010 |
|
RU2454481C2 |
| СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ МНОГОУРОВНЕВЫХ МЕДНЫХ МЕЖСОЕДИНЕНИЙ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ВОЛЬФРАМОВОЙ ЖЕСТКОЙ МАСКИ | 2013 |
|
RU2523064C1 |
Способ изготовления контактно-барьерной металлизации, включающий предварительное удаление естественного окисла с поверхности кремниевых подложек путем обработки в водном растворе фтористоводородной кислоты, нанесение на поверхность подложек диэлектрического слоя и формирование в нем контактных окон, размещение кремниевых подложек в реакторе, вакуумирование реактора, продувку реактора водородом и селективное осаждение вольфрама при 270-350°C из парогазовой смеси гексафторида вольфрама и водорода при соотношении компонентов 1:(10-100) и общем давлении 13,3-66,5 Па, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности контактно-барьерной металлизации на основе слоев вольфрама путем повышения селективности процесса осаждения, продувку реактора водородом проводят при 450-750°C и давлении 13,3-133,3 Па в течение 30-90 мин.
