Устройство управления силовым транзистором Советский патент 1992 года по МПК H03K17/60 

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в преобразователях энергии во вторичных источниках электропитания

Цель изобретения - повышение надежности работы устройства путем подачи напряжения обратного смещения на базу силового транзистора с задержкой после снятия напряжения прямого смещения.

На чертеже приведена схема устройства.

Схема содержит силовой транзистор 1, первый и второй транзисторы 2 и 3 прямой проводимости, первый-третий резисторы 4-6, диод 7, конденсатор 8, источники 9 и 10 положительного и отрицательного напряжения, защитную RCD-цепь 11.

База транзистора 2 соединена с его эмиттером и с источником 9 через резистор

4, а его коллектор соединен через резистор 5 с базой транзистора 1 и с эмиттером транзистора 3, база которого соединена с его коллектором и с источником 10 через резистор 6.

Параллельно резистору 5 включены диод 7 и конденсатор 8, совместная точка сое- динения которых подключена к базе транзистора 3.

Устройство работает следующим образом.

Когда на выходе транзистора 2 низкий уровень сигнала, он и транзистор 1 открыты. В этом случае конденсатор 8 заряжен. При повышении уровня входного сигнала транзистор 2 запирается и ток базы транзистора 1 прекращается, транзистор 1 выходит из режима насыщения, а эмиттерный ток (ток нагрузки) уменьшается

(Л

4 О

После запирания транзистора 2 конденсатор 8 разряжается по цепи: резистор 6, источник 10, переход эмиттер-база транзистора 1. При заданной величине сопроУив- ления резистора б постоянная разряда конденсатора определяется величиной его емкости. В этом случае он заряжается практически мгновенно через диод 7, что необходимо, так как транзисторы 2 и 1 по условиям работы могут быть открыты и на непродолжительное, короткое йремя (миллисекунды). При этом величина сопротиёле- ния резистора 6 относительно большая по сравнению с величиной резистора 5, а поэтому разрядный ток конденсатора 8 практи- чески е сказывается на процессе рассасывания избыточных зарядов транзистора 1 и он не запирается от этого тока,

После разряда конденсатора эмиттер- иый переход транзистора 3 смещается в прямом направлении, он открывается, а через эммттерный переход транзистора 1 от источника 10 кратковременно потечет ток в обратном направлении, при котором интенсивно рассасывается избыточный заряд в базе силового транзистора, после чего переход смещается в обратном направлении До того, как коллекторное напряжение на транзисторе достигнет максимального значения.

Предложенное устройство имеет большую надежность за счет расширения области безопасной работы силового транзистора, благодаря уменьшению его эмиттерного тока от момента времени уменьшения базового тока до нуля и до момента времени подачи напряжения обратного смещения на базу силового транзистора, что повышает его стойкость к вторичному пробою.

Формула изобретения Устройство управления силовым транзистором, содержащее первый и второй транзисторы, причем база первого транзистора через первый резистор соединена с эмиттером и плюсом источника питания, а коллектор соединен через второй резистор с базой силового транзистора и с эмиттером второго транзистора, база которого соединена с его коллектором и минусом источника питания через третий резистор, отличающееся тем, что. с целью увеличения надежности в работе, введена цепочка последовательно соединенных диода и конденсатора, анод диода подключен к первому выводу второго резистора, второй вывод которого подключен к первой обкладке конденсатора, точка соединения катода диода и второй обкладки конденсатора подключена к базе второго транзистора.

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в преобразователях энергии, во вторичных источниках питания. Цель изобретения - повышение надежности работы. Оно содержит два транзистора прямой проводимости, три резистора, причем база первого транзистора к его эмиттеру и полюсу источника питания через первый резистор, а коллектор соединен через второй резистор с базой силового транзистора и эмиттером второго транзистора, база которого соединена с его коллектором и минусом источника питания через третий резистор. Дополнительно включены параллельно второму резистору диод и конденсатор, совместная точка соединения которых подключена к базе второго транзистора. 1 ил.