Способ отбраковки конденсаторов с оксидным диэлектриком Советский патент 1993 года по МПК H01G9/24 

Описание патента на изобретение SU1757367A1

Ток утечки (мкА)

Продолжение таблицы

Похожие патенты SU1757367A1

название год авторы номер документа
Способ отбраковки оксидно-полупроводниковых конденсаторов 1979
  • Палатник Лев Самойлович
  • Копач Владимир Романович
  • Скатков Илья Борухович
  • Поздеев Юрий Леонович
SU942183A1
Способ отбраковки конденсаторов с оксидным диэлектриком 1980
  • Дьяконов Михаил Николаевич
  • Муждаба Валерий Мустафьевич
  • Нетупский Иосиф Вульфович
  • Ханин Самуил Давидович
SU930406A1
Способ отбраковки конденсаторов с оксидным диэлектриком 1981
  • Дьяконов Михаил Николаевич
  • Капшин Юрий Степанович
  • Муждаба Валерий Мустафьевич
  • Нетупский Иосиф Вульфович
  • Носкин Валентин Алексеевич
  • Ханин Самуил Давидович
SU997113A1
СПОСОБ КОНТРОЛЯ КАЧЕСТВА ОКСИДНО-ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КОНДЕНСАТОРОВ 1993
  • Гвильман М.Б.
  • Павлов Ю.М.
  • Рабинович В.Б.
  • Ханин С.Д.
RU2069405C1
СПОСОБ КОНТРОЛЯ КАЧЕСТВА КОНДЕНСАТОРОВ С ДВОЙНЫМ ЭЛЕКТРИЧЕСКИМ СЛОЕМ 2009
  • Горидов Сергей Иванович
RU2406176C1
Устройство для измерения параметров полупроводниковых вентилей 1980
  • Беспалов Николай Николаевич
  • Мускатиньев Александр Валентинович
  • Петров Борис Иванович
SU920586A1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОКСИДНЫХ КОНДЕНСАТОРОВ 1989
  • Александрова И.В.
  • Бочарова В.И.
  • Евсеева Р.П.
  • Карпухина Л.Г.
  • Гурин В.Н.
  • Сосновский С.А.
RU1695770C
СПОСОБ ОТБРАКОВОЧНЫХ ИСПЫТАНИЙ ПОДЛОЖКИ ИЗ ДИЭЛЕКТРИКА ИЛИ ПОЛУПРОВОДНИКА С ТОПОЛОГИЕЙ, ИЗДЕЛИЙ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ НА СТОЙКОСТЬ К ВНЕШНИМ ВОЗДЕЙСТВУЮЩИМ ФАКТОРАМ 1998
  • Борисов Ю.И.
  • Грошев А.С.
  • Юдин Б.Н.
  • Яфраков М.Ф.
RU2138830C1
СПОСОБ НЕРАЗРУШАЮЩЕГО КОНТРОЛЯ КАЧЕСТВА КАТОДОВ ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВЫХ ТРУБОК 1994
  • Воробьев М.Д.
  • Склизнев С.М.
  • Смирнов Л.П.
  • Цветков П.А.
RU2065635C1
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КАЧЕСТВА КОМПАУНДИРОВАНИЯ ОБМОТОК ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МАШИН 2012
  • Наконечный Александр Иосифович
  • Калан Валерий Александрович
  • Науменко Алексей Георгиевич
  • Иванишин Юрий Гавриилович
  • Михайлов Александр Николаевич
  • Вавилов Сергей Васильевич
RU2522177C2

Реферат патента 1993 года Способ отбраковки конденсаторов с оксидным диэлектриком

Изобретение относится к радиоэлектронной технике и может использоваться при производстве конденсаторов с оксидным диэлектриком. Цель изобретения - снижение трудоемкости. Источник 1 постоянного напряжения (ИПН) включен последовательно с испытуемым конденсатором (ИК) 2, резистором 3 и кнопкой 4. шунтирующей микроамперметр (М) 5. Новым в способе является набор напряжения ИПН 1, равным величине номинального напряжения ИК 2, и выбор номинала резистора 3 из условия получения величины постоянной времени цепи заряда ИК 2 в пределах 0,01 - 0,1 с В качестве аномального вида зависимости параметров заряда ИК 2 от времени .заряда использована зависимость превышения величины тока заряда, измеренного спустя 2 с, после выдачи напряжения ИПН 1 на ИК 2 над величиной предельно-допустимого значения тока утечки для данного типа конденсатора Ток утечки измеряют М5 (через 2 с), нажав кнопку 4 Измеренное значение тока сравнивают с табличным для данного типойоминала конденсатора и бракуют ИК 2. если его ток больше табличного

Формула изобретения SU 1 757 367 A1

Формула изобретения СПОСОБ ОТБРАКОВКИ КОНДЕНСАТОРОВ С ОКСИДНЫМ ДИЭЛЕКТРИКОМ, включающий подачу нарастающего напряжения от источника постоянного напряжения на испытуемый конденсатор, соединенный последовательно с источником постоянного напряжения через резистор, и отбраковку конденсаторов по аномальному виду временной зависимости параметров заряда, отличающийся тем, что, с целью снижения трудоемкости, величину напряжения источника постоянного напряжения выбирают равной величине

номинального напряжения испытуемого конденсатора, величину номинала резистора выбирают из условия получения величины постоянной времени цепи заряда конденсатора в пределах 0,01 - 0,1 с, а в качестве аномального вида зависимости

параметров заряда от времени заряда используют зависимость с превышением величины тока заряда конденсатора, измеренного через 2с после подачи нарастающего напряжения йд испытуемый конденсатор, над величиной предельно допустимого значения тока утечки для данного типа конденсатора.

SU 1 757 367 A1

Авторы

Кулаков В.Д.

Даты

1993-12-15Публикация

1990-01-23Подача