Генератор импульсов Советский патент 1992 года по МПК H03K3/26 

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в устройствах вычислительной техники и систем управления.

Цель изобретения - упрощение схемы.

Цель достигается за счет последовательного включения эквивалентов двухба- зового диода на первом и третьем, а также на втором и четвертом транзисторах в цепь питания и подключения времязадающей RC-цепи к объединенным эмиттерам второго и третьего транзисторов. При этом обеспечивается последовательный во времени процесс заряда конденсатора через эквивалент двухбазового диода, подключенный к шине питания; и разряда конденсатора через эквивалент двухбазового диода, подключенный к общей шине.

На чертеже приведена схема генератора импульсов.

Генератор импульсов содержит, например, первый 1 и второй 2 р-п-р-тран- зисторы, третий 3 и четвертый 4 n-p-n-транзисторы, первый 5, второй 6 и третий 7 резисторы, конденсатор 8, шину 9 питания.

Базы транзисторов 2 и 3 соединены между собой, с коллекторами транзисторов 1 и 4, через резистор 5 с общей шиной и через резистор 6 - с шиной 9 питания. Эмиттеры транзисторов 1 и 4 соединены соответственно с шиной 9 питания и общей шиной, а базы - с коллекторами транзисторов 3 и 2 соответственно Эмиттеры транзисторов 2 и 3 соединены с первым выводом резистора 7, второй вывод которого через конденсатор 8 соединен с общей шиной.

В качестве р-п-р-транзисторов 1, 2 могут быть использованы транзисторы 2Т313Б, в качестве п-р-п-транзисторов 3,4- транзисторы 2Т312В, в качестве резисторов 5. 6, 7

(Л

С

4 О Ю СО 00

1

- резисторы С2-ЗЗН-0,125-12 кОм ±5%, в качестве конденсатора 8 - конденсатор К52-1-70В-2,2 мкор ±10%,

В качестве р-п-р-транзисторов 1, 2 можно использовать транзисторы матриц 2ТС622А и другие, в качестве п-р-п-транзи- сторов 3,4- транзисторы матриц 1НТ251 и другие, в качестве резисторов 5,6,7- резисторы типа С2-23 и другие, в качестве конденсатора 8 - конденсаторы типа К52-9, К53-1А и другие.

Генератор импульсов работает следующим образом.

При подаче напряжения питания на шину 9 на конденсаторе 8 и,следовательно, на эмиттерах транзисторов 2, 3 напряжение равно нулю. В точке соединения резисторов 5 и 6 устанавливается напряжение, равное 0.5 Е, где Е - напряжение питания, вызывающее открывание транзисторов 3 и открывание транзистора 1. Вследствие наличия положительной обратной связи в составе эквивалента двухбазового диода транзисторы 1 иЗ переходят в насыщенное состояние. При этом напряжение в точке соединения резисторов 5, 6 и на эмиттерах транзисторов 2 и 3 близко к Е. Транзисторы 2 и 4 закрыты. Выходное сопротивление генератора определяется насыщенным транзистором 1,

По мере заряда конденсатора 8 через резистор 7 ток эмиттера транзистора 3, а следовательно, и ток базы транзистора 1, уменьшаются. При подходе к порогу срабатывания транзистор 1 переводится в линейный режим, его ток коллектора уменьшается и вызывает напряжение на базе транзистора 3, вызывая его закрывание, а следовательно, и закрывание транзистора 1. Напряжение в точке соединения резисторов 5, 6 стремится к 0,5 Е. Напряжение на конденсаторе 8, а следовательно, и на эмиттерах транзисторов 2 и 3 близко к Е. Поэтому напряжение на эмиттерах транзисторов 2 и 3 в средней точке резисторов 5 и 6 близко к нулю. Выходное сопротивление определяется насыщенным транзистором 4.

После разряда конденсатора 8 транзисторы 2 и 4 закрываются, и процесс повторяется.

При построении заявляемого генератора импульсов используется 4 транзистора, 3 резистора и конденсатор. Всего 8 элементов.

Прототип требует для своего построения 4 транзистора, 4 диода, 8 резисторов и 3 конденсатора. Всего 19 элементов.

Следовательно, по количеству элементов схема предлагаемого генератора упрощена примерно в 2,4 раза.

Необходимо отметить, что при этом соответственно повышается надежность генератора импульсов.

Одновременно в генераторе обеспечивается возможность использования электролитических (полярных) конденсаторов, обладающих большой емкостью и большой удельной емкостью, что позволяет значительно снизить нижний предел частоты генерируемых импульсов.

Кроме того, в генераторе существенно повышена нагрузочная способность, поскольку выходное сопротивление как во время импульса, так и во время паузы определяется насыщенным транзистором. При этом амплитуда формируемых импульсов практически равна напряжению питания. Формула изобретения Генератор импульсов, содержащий первый и второй транзисторы одного типа проводимости, третий и четвертый транзисторы другого типа проводимости, три резистора и конденсатор, при этом базы первого и второго транзисторов соединены с коллекторами соответственно третьего и четвертого транзисторов, базы которых подключены к коллекторам соответственно первого и второго транзисторов, коллекторы первогс и четвертого транзисторов соответственно

через первый и второй резисторы соединены с общей шиной и шиной питания соответственно, эмиттер четвертого транзистора соединен с общей шиной, первые выводы третьего резистора и конденсатора соединены, отличающийся тем что, с целью упрощения, эмиттер первогс транзистора подключен к шине питания коллекторы первого и четвертого транзисторов соединены, эмиттеры второго и третьего транзисторов подключены к второму выводу третьего резистора, второй вывор конденсатора соединен с общей шиной.

Использование: в устройствах вычислительной техники и систем управления. Сущность изобретения: генератор импульсов содержит первый и второй транзисторы одного типа проводимости, третий и четвертый транзисторы другого типа проводимости, первый, второй и третий резисторы, конденсатор, шину питания. Последовательное включение эквивалентов двухбазо- вого диода на первом и третьем, а также на втором и четвертом транзисторах в цепь питания и подключение времязадающей RC-цепи к объединенным эмиттерам второго и третьего транзисторов позволяет упростить схему. 1 ил.