Способ отбраковки резистивной структуры с нелинейной рабочей характеристикой Советский патент 1992 года по МПК G01R31/02 

Описание патента на изобретение SU1764001A1

1

(21)4802727/21 (22)26.12.89 (46)23.09.92. Бюл. №35

(71)Киевский политехнический институт им. 50-летия Великой Октябрьской социалистической революции

(72)С.Ф.Панов и Л.Н.Щербак

(56)Сборник тезисов докладов научно-технической конференции Проблемы качества и надежности изделий электронной техники, радиоэлектронной аппаратуры и средств управления, - Минск, 1-2 декабря 1988 г., с. 129-130; статья Сердюка Г.Б. и др. Флуктуации нелинейности как информативный параметр при электрофизическом диагностировании объектов.

(54) СПОСОБ ОТБРАКОВКИ РЕЗИСТИВ- НОЙ СТРУКТУРЫ С НЕЛИНЕЙНОЙ РАБОЧЕЙ ХАРАКТЕРИСТИКОЙ

(57)Изобретение относится к контрольно- измерительной технике и может быть использовано для получения диагностической информации при определении технического

состояния элементов на входном контроле, а также различных участках технологического процесса изготовления электронной техники. Целью изобретения является повышение достоверности результатов отбраковки. Способ заключается в одновременной подаче на контактные площадки резистивной структуры испытательного напряжения в виде суммы двух переменных напряжений с частотами со i и со г, а также постоянного напряжения смещения. Амплитуды указанных переменных напряжений устанавливают одинаковыми, частоты ш и шг выбирают из интервала 20...200 кГц, соотношение этих частот устанавливают как ( (Ог - u)i)/ 1 N, где N изменяют в пределах от 0,002 до 0,05; соотношение между амплитудой V переменных напряжений и постоянным напряжением смещения V. устанавливают равным V 0,02 Vmax выделяют и измеряют на резистивной структуре с нелинейной рабочей характеристикой напряжения разностной частоты, а о годности

у

fe

Похожие патенты SU1764001A1

название год авторы номер документа
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПРОФИЛЯ КОНЦЕНТРАЦИИ ЛЕГИРУЮЩЕЙ ПРИМЕСИ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ 1987
  • Абатуров М.А.
  • Елкин В.В.
  • Кротова М.Д.
  • Мишук В.Я.
  • Плесков Ю.В.
  • Сахарова А.Я.
SU1499634A1
Устройство для определения концентрации примесей в полупроводниках 1974
  • Нахмансон Рауль Самуилович
SU658507A1
СПОСОБ СОЗДАНИЯ ДВУХЧАСТОТНОЙ ПОМЕХИ 2012
  • Млечин Виктор Владимирович
RU2486536C1
Преобразователь температуры в частоту 1985
  • Баржин Владимир Яковлевич
  • Солодовник Виктор Федорович
  • Шевелев Владимир Алексеевич
  • Чебан Михаил Иванович
SU1696905A1
Устройство для определения параметров глубоких уровней в поверхностно-барьерных структурах 1982
  • Турчаников В.И.
  • Лысенко В.С.
  • Гусев В.А.
SU1101088A1
Устройство для измерения концентрации примесей в полупроводниках 1980
  • Усик Виктор Иванович
SU924634A1
ВОЛОКОННО-ОПТИЧЕСКИЙ ИЗМЕРИТЕЛЬ НАПРЯЖЕНИЯ 2019
  • Смирнов Александр Борисович
  • Карпенко Олег Иванович
  • Муллин Фанис Фагимович
  • Морозов Олег Геннадьевич
  • Нуреев Ильнур Ильдарович
  • Фасхутдинов Ленар Маликович
  • Сахабутдинов Айрат Жавдатович
  • Кузнецов Артем Анатольевич
RU2715347C1
Устройство для градуировки электроакустических преобразователей 2020
  • Волощенко Вадим Юрьевич
  • Плешков Антон Юрьевич
  • Тарасов Сергей Павлович
  • Пивнев Петр Петрович
  • Воронин Василий Алексеевич
  • Волощенко Александр Петрович
RU2782354C2
СПОСОБ ФАЗИРОВАНИЯ РАДИОСИГНАЛОВ 2012
  • Млечин Виктор Владимирович
RU2489729C1
Способ измерения нелинейности непроволочных резисторов и их ТКС 1985
  • Василенко Николай Андреевич
  • Фесенко Анатолий Герасимович
  • Тихолозов Дмитрий Тимофеевич
SU1354133A2

Реферат патента 1992 года Способ отбраковки резистивной структуры с нелинейной рабочей характеристикой

Формула изобретения SU 1 764 001 A1

О

&

о

реэистивной структуры судят по величине отклонения от эталонного значения отношения напряжения разностной частоты к посто- янному напряжению смещения V , Устройство, реализующее способ, содержит источник 1 переменного двухчастотного напряжения, источник 2 постоянного напряжения, фильтр 3, селективный микровольтметр 4 и двухкоординатный самописец 5. Изобретение повышает достоверность отбраковки

Изобретение относится к контрольно- измерительной теЯнике и может быть использовано для получения первичной диагностической информации при определении технического состояния элементов на входном контроле, а также в процессе изготовления.

Цель изобретения - повышение достоверности результатов отбраковки за счет выявления скрытых дефектов в процессе их изготовления,

Поставленная цель достигается тем, что в известном способе отбраковки резистивных структур с нелинейной рабочей характеристикой, включающем подачу на их контактные площадки испытательного переменного напряжения в виде суммы двух напряжений и постоянного напряжения смещения, измерения напряжения на разностной частоте, на контактные площадки подают переменное напряжение суммы двух частот с одинаковыми амплитудами и устанавливают их соотношение

(U2- wi)

где N изменяется в пределах от 0,0025 до 0,05, причем соотношение между постоянным и переменным напряжениями устанавливается V 0,02 V max, частоты ил и выбирают из интервала (20...200) кГц, а о годности резистивной структуры судят по величине отклонения от эталонного значения отношения напряжения разностной частоты к постоянному напряжению смещения.

На чертеже представлена структурная схема устройства, реализующая предложенной способ отбраковки резистивных структур с нелинейной рабочей характеристикой

Устройство содержит двухчастотный источник 1 переменного-напряжения, исрезистивных структур, при этом упрощается анализ и оценка качества контроля этих структур, снижаются ресурсные затраты при проведении испытаний на надежность. Изобретение обеспечивает оперативность получения первичной диагностической информации, высокую чувствительность и может быть использовано в автоматизированных системах производства резистивных структур. 1 ил.

точник 2 постоянного напряжения, например генератор пилообразного напряжения, фильтр 3, селективный микровольтметр 4 и двухкоординатный самописец 5. Выходы источника 1 переменного и постоянного 2 напряжений соединены с входом фильтра 3 и первым входом самописца 5, а также с первым выводом объекта 6 контроля, второй вывод которого соединен с общим выводом.

Выход фильтра 3 через микровольтметр 4 соединен с вторым входом самописца 5.

Устройство работает следующим образом.

Электрический двухчастотный сигнал с

близкими частотами ими (а 2, находящимися в диапазоне (20...200) кГц, и одинаковыми амплитудами с выхода источника 1 переменного напряжения подают на контактные площадки резистивной структуры 6. Второй

составляющей стимулирующего сигнала является постоянное напряжение, подаваемое на структуру от источника 2 постоянного напряжения, которое служит для выбора рабочих исходных точек выбранного интервала измерения параметров нелинейности рабочей характеристики резистивной структуры. На указанной структуре происходит преобразование переменного двухчастотного сигнала, что проявляется в расширении дискретного спектра переменного сигнала с образованием ряда новых составляющих, Самой большой по мощности является спектральная составляющая на наименьшей разностной

частоте 0)2 ОУ i. Поэтому в качестве информационного сигнала выбирают напряжение на наименьшей разностной частоте. Предварительную фильтрацию производят с помощью фильтра 3, а затем с помощью

селективного микровольтметра 4. Такой порядок операций определяет последовательность получения первичной диагностической

информации в виде отношения напряжения разностной частоты Vp к постоянному напряжению смещения V- и получения окончательной информации на двухкоординатном самописце 5 в виде VP/V-. На чувствительность результатов измерений оказывает влияние амплитуда переменного двухча- стотного сигнала. Чем меньше У„ тем более тонкие эффекты динамической вольт-амперной характеристики резистивной структуры могут быть выявлены с помощью предлагаемого способа. В связи с этим необходимо при реализации способа выполнение условия k 0,02V-max. Соотношение интервала частот ( (о 2 - w 0/ са 1 N, где N изменяют в пределах от 0,0025 до 0,05, устанавливается экспериментальным путем, выход за границы (20...200) кГц не приводит к получению положительного эффекта по предлагаемому способу.

Изобретение повышает достоверность резистивных структур, при этом упрощается анализ и оценка качества контроля этих структур, снижаются ресурсные затраты при проведении испытаний на надежность. Изобретение обеспечивает оперативность получения первичной диагностической информации, высокую чувствительность и может быть использовано в автоматизированных системах производства резистивных структур.

Формула изобретения Способ отбраковки резистивной структуры с нелинейной рабочей характеристикой, включающий одновременную подачу

на контактные площадки резистивной структуры с нелинейной рабочей характеристикой испытательного переменного напряжения в виде суммы двух переменных напряжений соответствующих частот ш ,

и постоянного напряжения смещения, измерение на резистивной структуре с нелинейной рабочей характеристикой напряжения на разностной частоте, отличающийся тем, что, с Целью повышения

достоверности результатов отбраковки, амплитуды указанных переменных напря- жений устанавливают одинаковыми, частоты ал и 0)2 указанных напряжений выбирают из интервала 20-200 кГц, а их соотношение устанавлиаают как ( - a) i)/ со 1 N, где N изменяют в пределах 0,002-0,05, причем соотношение между амплитудами переменных напряжений Vji no- стоянным напряжением смещения VL

устанавливают равным V 0,02 V.max, а о годности резистивной структуры судят по величине отклонения от эталонного значения отношения напряжения на разностной частоте к постоянному напряжению смещенияУ-.

SU 1 764 001 A1

Авторы

Панов Сергей Феофанович

Щербак Леонид Николаевич

Даты

1992-09-23Публикация

1989-12-26Подача