1
(21)4802727/21 (22)26.12.89 (46)23.09.92. Бюл. №35
(71)Киевский политехнический институт им. 50-летия Великой Октябрьской социалистической революции
(72)С.Ф.Панов и Л.Н.Щербак
(56)Сборник тезисов докладов научно-технической конференции Проблемы качества и надежности изделий электронной техники, радиоэлектронной аппаратуры и средств управления, - Минск, 1-2 декабря 1988 г., с. 129-130; статья Сердюка Г.Б. и др. Флуктуации нелинейности как информативный параметр при электрофизическом диагностировании объектов.
(54) СПОСОБ ОТБРАКОВКИ РЕЗИСТИВ- НОЙ СТРУКТУРЫ С НЕЛИНЕЙНОЙ РАБОЧЕЙ ХАРАКТЕРИСТИКОЙ
(57)Изобретение относится к контрольно- измерительной технике и может быть использовано для получения диагностической информации при определении технического
состояния элементов на входном контроле, а также различных участках технологического процесса изготовления электронной техники. Целью изобретения является повышение достоверности результатов отбраковки. Способ заключается в одновременной подаче на контактные площадки резистивной структуры испытательного напряжения в виде суммы двух переменных напряжений с частотами со i и со г, а также постоянного напряжения смещения. Амплитуды указанных переменных напряжений устанавливают одинаковыми, частоты ш и шг выбирают из интервала 20...200 кГц, соотношение этих частот устанавливают как ( (Ог - u)i)/ 1 N, где N изменяют в пределах от 0,002 до 0,05; соотношение между амплитудой V переменных напряжений и постоянным напряжением смещения V. устанавливают равным V 0,02 Vmax выделяют и измеряют на резистивной структуре с нелинейной рабочей характеристикой напряжения разностной частоты, а о годности
у
fe
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПРОФИЛЯ КОНЦЕНТРАЦИИ ЛЕГИРУЮЩЕЙ ПРИМЕСИ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ | 1987 |
|
SU1499634A1 |
Устройство для определения концентрации примесей в полупроводниках | 1974 |
|
SU658507A1 |
СПОСОБ СОЗДАНИЯ ДВУХЧАСТОТНОЙ ПОМЕХИ | 2012 |
|
RU2486536C1 |
Преобразователь температуры в частоту | 1985 |
|
SU1696905A1 |
Устройство для определения параметров глубоких уровней в поверхностно-барьерных структурах | 1982 |
|
SU1101088A1 |
Устройство для измерения концентрации примесей в полупроводниках | 1980 |
|
SU924634A1 |
ВОЛОКОННО-ОПТИЧЕСКИЙ ИЗМЕРИТЕЛЬ НАПРЯЖЕНИЯ | 2019 |
|
RU2715347C1 |
Устройство для градуировки электроакустических преобразователей | 2020 |
|
RU2782354C2 |
СПОСОБ ФАЗИРОВАНИЯ РАДИОСИГНАЛОВ | 2012 |
|
RU2489729C1 |
Способ измерения нелинейности непроволочных резисторов и их ТКС | 1985 |
|
SU1354133A2 |
-Ч
О
&
о
реэистивной структуры судят по величине отклонения от эталонного значения отношения напряжения разностной частоты к посто- янному напряжению смещения V , Устройство, реализующее способ, содержит источник 1 переменного двухчастотного напряжения, источник 2 постоянного напряжения, фильтр 3, селективный микровольтметр 4 и двухкоординатный самописец 5. Изобретение повышает достоверность отбраковки
Изобретение относится к контрольно- измерительной теЯнике и может быть использовано для получения первичной диагностической информации при определении технического состояния элементов на входном контроле, а также в процессе изготовления.
Цель изобретения - повышение достоверности результатов отбраковки за счет выявления скрытых дефектов в процессе их изготовления,
Поставленная цель достигается тем, что в известном способе отбраковки резистивных структур с нелинейной рабочей характеристикой, включающем подачу на их контактные площадки испытательного переменного напряжения в виде суммы двух напряжений и постоянного напряжения смещения, измерения напряжения на разностной частоте, на контактные площадки подают переменное напряжение суммы двух частот с одинаковыми амплитудами и устанавливают их соотношение
(U2- wi)
где N изменяется в пределах от 0,0025 до 0,05, причем соотношение между постоянным и переменным напряжениями устанавливается V 0,02 V max, частоты ил и выбирают из интервала (20...200) кГц, а о годности резистивной структуры судят по величине отклонения от эталонного значения отношения напряжения разностной частоты к постоянному напряжению смещения.
На чертеже представлена структурная схема устройства, реализующая предложенной способ отбраковки резистивных структур с нелинейной рабочей характеристикой
Устройство содержит двухчастотный источник 1 переменного-напряжения, исрезистивных структур, при этом упрощается анализ и оценка качества контроля этих структур, снижаются ресурсные затраты при проведении испытаний на надежность. Изобретение обеспечивает оперативность получения первичной диагностической информации, высокую чувствительность и может быть использовано в автоматизированных системах производства резистивных структур. 1 ил.
точник 2 постоянного напряжения, например генератор пилообразного напряжения, фильтр 3, селективный микровольтметр 4 и двухкоординатный самописец 5. Выходы источника 1 переменного и постоянного 2 напряжений соединены с входом фильтра 3 и первым входом самописца 5, а также с первым выводом объекта 6 контроля, второй вывод которого соединен с общим выводом.
Выход фильтра 3 через микровольтметр 4 соединен с вторым входом самописца 5.
Устройство работает следующим образом.
Электрический двухчастотный сигнал с
близкими частотами ими (а 2, находящимися в диапазоне (20...200) кГц, и одинаковыми амплитудами с выхода источника 1 переменного напряжения подают на контактные площадки резистивной структуры 6. Второй
составляющей стимулирующего сигнала является постоянное напряжение, подаваемое на структуру от источника 2 постоянного напряжения, которое служит для выбора рабочих исходных точек выбранного интервала измерения параметров нелинейности рабочей характеристики резистивной структуры. На указанной структуре происходит преобразование переменного двухчастотного сигнала, что проявляется в расширении дискретного спектра переменного сигнала с образованием ряда новых составляющих, Самой большой по мощности является спектральная составляющая на наименьшей разностной
частоте 0)2 ОУ i. Поэтому в качестве информационного сигнала выбирают напряжение на наименьшей разностной частоте. Предварительную фильтрацию производят с помощью фильтра 3, а затем с помощью
селективного микровольтметра 4. Такой порядок операций определяет последовательность получения первичной диагностической
информации в виде отношения напряжения разностной частоты Vp к постоянному напряжению смещения V- и получения окончательной информации на двухкоординатном самописце 5 в виде VP/V-. На чувствительность результатов измерений оказывает влияние амплитуда переменного двухча- стотного сигнала. Чем меньше У„ тем более тонкие эффекты динамической вольт-амперной характеристики резистивной структуры могут быть выявлены с помощью предлагаемого способа. В связи с этим необходимо при реализации способа выполнение условия k 0,02V-max. Соотношение интервала частот ( (о 2 - w 0/ са 1 N, где N изменяют в пределах от 0,0025 до 0,05, устанавливается экспериментальным путем, выход за границы (20...200) кГц не приводит к получению положительного эффекта по предлагаемому способу.
Изобретение повышает достоверность резистивных структур, при этом упрощается анализ и оценка качества контроля этих структур, снижаются ресурсные затраты при проведении испытаний на надежность. Изобретение обеспечивает оперативность получения первичной диагностической информации, высокую чувствительность и может быть использовано в автоматизированных системах производства резистивных структур.
Формула изобретения Способ отбраковки резистивной структуры с нелинейной рабочей характеристикой, включающий одновременную подачу
на контактные площадки резистивной структуры с нелинейной рабочей характеристикой испытательного переменного напряжения в виде суммы двух переменных напряжений соответствующих частот ш ,
и постоянного напряжения смещения, измерение на резистивной структуре с нелинейной рабочей характеристикой напряжения на разностной частоте, отличающийся тем, что, с Целью повышения
достоверности результатов отбраковки, амплитуды указанных переменных напря- жений устанавливают одинаковыми, частоты ал и 0)2 указанных напряжений выбирают из интервала 20-200 кГц, а их соотношение устанавлиаают как ( - a) i)/ со 1 N, где N изменяют в пределах 0,002-0,05, причем соотношение между амплитудами переменных напряжений Vji no- стоянным напряжением смещения VL
устанавливают равным V 0,02 V.max, а о годности резистивной структуры судят по величине отклонения от эталонного значения отношения напряжения на разностной частоте к постоянному напряжению смещенияУ-.
Авторы
Даты
1992-09-23—Публикация
1989-12-26—Подача