Изобретение относится к сельскому хозяйству, а именно к способам выращивания растений в условиях защищенного грунта, и может быть использовано для выращивания растений способами гидропоники, аэропо- ники или агрегатопоники.
Известен способ выращивания растений, включающий облучение растений источниками света, расположенными над растениями, при этом регистрируют температуру верхнего уровня листовой поверхности и сравнивают ее с заданной, а источники света перемещают в вертикальной плоскости по результатам этого сравнения.
Недостатком известного способа является снижение урожайности из-за опадания соцветий вследствие недоиспорениях с них влаги.
Целью изобретения является повышение урожайности.
Указанная цель достигается тем, что в способе выращивания растений в условиях защищенного грунта, включающем облучение растений в процессе их культивирования осуществляют облучение энергией с
длиной волны 7200-8700 нм в ночное время и при снижении солнечной радиации ниже 100 вт/м2 в период от бутонизации до образования завязей, при этом источник излучения располагают у растений на уровне соцветий.
Способ осуществляют следующим образом.
В теплице поддерживают температуру . 20-25°С. Между рядами растений устанавливают низкотемпературные ИК-излучате- ли. При этом излучатели располагают ниже уровня верхней листовой поверхности на уровне (или чуть ниже) соцветий, обеспечивая их максимальную облученность. Излучатели устанавливают с возможностью их перемещения в вертикальном направлении соответственно росту растений и поворотов.
При появлении бутонов включают ИК- излучители. Включение проводят в ночное время и при солнечной радиации ниже 100 Вт/м2. Облучение ведут до массовой завязи
со
с
4 00 О
о ел
4
плодов. Экспериментальные данные приведены в табл. 1 и 2.
Облучение в период развития листьев (до бутонообразования) или в период развития и созревания плодов не оказывает существенного влияния на урожайность, но ведет к дополнительным энергозатратам. Поэтому облучение в эти периоды не целесообразно.
Расположение излучателя над растением ведет к тому, что бутоны (цветы), располагающиеся под листьями, слабо обогреваются, что снижает урожайность.
Формула изобретения Способ выращивания растений в условиях защищенного грунта включающий облучение растений в процессе их
культивирования, отличающийся тем, что, с целью повышения урожайности, облучение осуществляют энергией с длиной волны 7200-8700 нм в ночное время и при снижении солнечной радиации ниже 100
вт/м2 в период от бутонизации до образования завязей, при этом источники излучения располагают у растений на уровне соцветий.
| название | год | авторы | номер документа |
|---|---|---|---|
| СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ РАССАДЫ ТОМАТА В ЗАЩИЩЁННОМ ГРУНТЕ | 2019 |
|
RU2708321C1 |
| Способ фотостимуляции растений в теплице | 2018 |
|
RU2674599C1 |
| Способ искусственного освещения растений | 2023 |
|
RU2822662C1 |
| СПОСОБ ОЦЕНКИ ПОТЕНЦИАЛЬНОЙ ПРОДУКТИВНОСТИ БОБОВОЙ КУЛЬТУРЫ | 2008 |
|
RU2366156C1 |
| СПОСОБ ОЦЕНКИ ПОТЕНЦИАЛЬНОЙ ПРОДУКТИВНОСТИ СОИ НА ЗЕРНО | 2007 |
|
RU2360404C1 |
| Способ выращивания рассады овощных культур в защищенном грунте | 1988 |
|
SU1598917A1 |
| СПОСОБ ПРОГНОЗИРОВАНИЯ СЕМЕННОЙ ПРОДУКТИВНОСТИ РАСТЕНИЙ СОЛОДКИ | 2008 |
|
RU2363146C1 |
| Комбинированная облучательная система для многоярусной фитоустановки | 2019 |
|
RU2724513C1 |
| Способ выращивания овощных культур в условиях защищенного грунта | 1991 |
|
SU1824110A1 |
| СПОСОБ ПОВЫШЕНИЯ ВЕГЕТАЦИИ И ЖИЗНЕСТОЙКОСТИ РАСТЕНИЙ | 2011 |
|
RU2469526C2 |
Область применения: сельское хозяйство, в частности овощеводства защищенного грунта. Сущность изобретения: выращивание растений осуществляют, используя их облучение энергией с длиной волны 7200- 8700 нм. Обработку проводят путем установки источников излучения около растений на уровне соцветий, в ночное время и при снижении солнечной радиации ниже 100 Вт/м , 2 табл.
Таблица 1
Таблица 2
| Способ облучения растений | 1983 |
|
SU1119632A1 |
| Печь для непрерывного получения сернистого натрия | 1921 |
|
SU1A1 |
