Способ выращивания рассады овощных культур в защищенном грунте Советский патент 1990 года по МПК A01G7/00 

Изобретение относится к- сельскому хо-. зяйству и может быть использовано при выращивании рассады овощных культур.

IJ,ejibro изобретения является интенсификация развития растений и повыщение урожайности.

Сущность способа заключается в том, что увеличение доли излучения в спектральных диапазонах от 400 до 500 нм и от 600 до 700 нм относительно доли излучения в диапазоне от 500 до 600 нм позволяет существенно повысить интенсивность развития рассады. При этом спектральный диапазон от 600 до 700 нм обладает больщей эффективностью, что Позволяет получать максимальный эффект при минимальном уровне облученности в области фотосинтетически активной радиации.

Пример I. Семена огурцов, предварительно обработанные растворами КзМпО (1%) и смесью микроэлементов (0,01%), высаживают в торфяные горщочки по общепринятой технологии, соответствующей требованиям для тепличного производства.

После появления всходов производят облучение растений светом со спектром, содержащим область фотосинтетически активной радиации так, что соотнощение потоков лучистой энергии в спектральных диапазонах от 400 до 500 нм, от 500 до 600 нм и от 600 до 700 нм составляет 0,7:1:0,34. При этом облученность в области фотосинтетически активной радиации составляет 40,6 Вт/м.

Облучение осуществляют после появления всходов с 1-го по 8-й дни в течение 16 ч в сутки, с 9-го по 18-й дни в течение 14 ч в сутки и далее в течение 12 ч в сутки. Выращивание производят ночью при 20°С, днем - при 22°С, влажности воздуха 75-80%.

Облучательная установка представляет собой комбинированный источник излучения состоящий из дуговых ртутно-люминесцент- ных ламп типа ДРЛФ-400 и 40-ваттных люминесцентных ламп. Энергопотребление такого источника составляет 389 Вт на один метр облучаемой площади. Взаимное расположение ламп подобрано таким образом, чтобы пространственные вариации облучен01

;о

00

со

ности не превышали 15%. При этом расстояние между соседними лампами типа ДРЛФ- 400 в ряду составляет ,2 м, расстояние между лампами ДРЛФ-400 в соседних рядах ,7 м, ширина ряда d,2 м, расстояние между соседними светильниками типа ПВЛМ 2X40 с люминесцентными лампами в ряду составляет ,6 м, величина прохода между рядами ,5 м, высота подвеса ламп ,75-0,8 м.

В данном варианте используются люминесцентные лампы типа ЛДЦ-40. Через 21 - 22 дня после начала облучения появляется пятый лист и рассада готова к высадке в грунт.

Контролем служит рассада огурцов, выращиваемая при облучении лампами ДРЛФ- 400, этот способ широко распространен в практике тепличного овощеводства. Облученность в области фотосинтетически активной радиации составляет 23 Bт/м, энергопотребление источника составляет 278 Вт на один метр облучаемой поверхности. При этом соотнощение потоков лучистой энергии в спектральных диапазонах от 400 до 500 нм, от 500 до 600 нм и от 600 до 700 нм составляет 0,39:1:0,33.

Облучение осуществляют после появления всходов с 1-го по 8-й дни в течение Ш ч в сутки, с 9-го по 18-й день в течение 14 ч в сутки и далее в течение 12 ч в сутки. Выращивание производят ночью при 20°С, днем при 22°С, влажности воздуха 75-80%. Рассада готова к высадке в грунт на 28-30-й день после начала облучения.

Данные морфометрических измерений 23-дневной рассады огурцов приведены в табл. 1.

Пример 2. Рассаду огурцов выращивают при тех же условиях, что и в примере 1, однако при этом соотношение потоков лучистой энергии в спектральных диапазонах от 400 до 500 нм, от 500 до 600 нм и от 600 до 700 нм составляет 0,44:1:0,46. Облученность в об- ла сти фотосинтетически активной радиации составляет 27,7 Вт/м.

В данном варианте используются люминесцентные лампы типа ЛР-40.

Через 20-21 день облучения появляется пятый лист и рассада готова к высадке в грунт.

Данные морфометрических измерений 23-дневной рассады огурцов приведены в табл. 1.

Пример 3. Рассаду огурцов выращивают при тех же условиях, что и в примере 1, однако при этом соотнощение потоков лучистой энергии в спектральных диапазонах от 400 до 500 нм, от 500 до 600 нм и от 600 до 700 нм составляет 0,4:1:0,5. Облученность в области фотосинтетически активной радиации составляет 25,5 Bт/м.

В данном варианте используются люминесцентные лампы типа ЛК-40.

Через 19-20 дней облучения появляется пятый лист и рассада готова к высадке в грунт.

Данные морфометрических измерений 5 23-дневной рассады огурцов приведены в табл. 1.

Пример 4. Рассаду огурцов выращивают при тех же условиях, что и в примере 1, однако при этом соотнощение потоков лучистой энергии в спектральных диапазонах от 400 до 500 нм, от 500 до 600 нм и от 600 до 700 нм составляет 0,4:1:0,25. Облученность в области фотосинтетически активной радиации составляет 38,4 Вт/м.

Облучательная установка описана в при- 15 мере 1. В данном варианте используются люминесцентные лампы ЛЗ-40.

Сравнительный анализ с контролем, описанным в примере 1, показал, что данные морфометрических измерений практически не отличаются от контрольных.

Несмотря на повышенный уровень облученности, 38,4 Вт/м против 23 Вт/м в контроле, рассада готова к высадке в грунт на 28-30-й день после начала облучения.

Данные морфометрических измерений 25 23-дневной рассады огурцов приведены в табл. 1.

Анализ результатов испытаний, приведенных в табл. 1, показывает, что морфомет- рические показатели улучщаются при увеличении доли излучения в «красной области 30 спектра (от 600 до 700 нм) и доли излучения в «синей области спектра (от 400 до 500 нм) относительно доли излучения в «зеленой области спектра (от 500 до 600 нм), при этом увеличение доли излучения в «красной области спектра имеет более высокую эффек- 5 тивность.

Исследования показали, что при облу- ченностях ниже 25,5 Вт/м- существенно снижается интенсивность работы фотосинтети- ческого аппарата, при облученностях, пре- вышающих 40,6 Вт/м, регуляторные эффекты нивелируются за счет повышения скорости фотосинтеза.

В табл. 2 приведены характеристики растений, выращенных в различных условиях 5 освещения. В контроле величина облученности Вт/м и пропорция потоков 0,39:1:0,33. В опыте ,5 Вт/м2 и пропорция потоков 0,4:1:0,5.

Таким образом, выращивание рассады данным способом позволяет ускорить ее раз- 0 витие и повысить урожайность.

Формула изобретения

Способ выращивания рассады овощных

культур в защищенном грунте, включающий

искусственное освещение рассады светом

со .спектром в области фотосинтетически

активной радиации, отличающийся тем, что.

1598917 56

с целью интенсификации развития и повы- и соотношении потоков в диапазонах длин шения урожайности, освещение проводят волн 400-500, 500-600, 600-700 нм в пропри величине облученности 26-40. Вт/м порции (0,4-0,7) :1: (0,34-0,5).

Изобретение относится к сельскому хозяйству и может быть использовано при выращивании рассады овощных культур. Целью изобретения является интенсификация развития растений и повышение урожайности. Увеличение доли излучения в спектральных диапазонах 400-500 и 600-700 нм относительно доли излучения в диапазоне 500-600 нм позволяет существенно повысить интенсивность развития рассады. Искусственное освещение рассады проводят при величине облученности 26-40 Вт/м² и соотношении потоков в диапазонах 400-500, 500-600, 600-700 нм в пропорции (0,4-0,7):1:(0,34-0,5). 2 табл.

Контроль 5,0 100

5,5 110

6,0 120 6,6 132

5,0 100 5,3 106

Таблица 1

Продолжение табл. 1

49757418-216 54 901076418333 58 1191258731420 61 981018739386

50767419-219 52 93975511,6308,6

ыт

Томаты

Перец

Горох

Томаты

Перец

Горох

40(100)

13(100)

24(100)

32(80)

15(115)

28(116)

0,46(100) 0,2(100)

0,7(152) 0,4(200)

Таблица 2

28,9(100) 2,9(100)

48,6(168) 4,2(147)

2,36(100) 0,22(100)

4,7(199) 0,36(164)