Способ определения комплексной диэлектрической проницаемости жидкости на СВЧ Советский патент 1993 года по МПК G01R27/26 

ел С

Использование: исследование физических и химических свойств сильнопоглощающих жидких систем. Сущность изобретения: способ определения комплексной диэлектрической проницаемости жидкости на СВЧ включает размещение слоя исследуемой жидкости (СИЖ) в короткбзамкнутый волновод, изменение СИЖ и измерение величин отраженной мощности для СИЖ, соответственно равных бесконечному слою, во втором максимуме и первом минимуме кривой зависимости отраженной мощности от толщины СИЖ, а также значения толщин СИЖ, при которых величина отраженной мощности равна значению мощности/отраженной от бесконечного СИЖ. Искомые параметры определяют по соответствующим математическим выражениям. 2 ил.

Изобретение относится к радиоизмерительной технике и может использоваться для исследования физических и химических свойств сильнопоглощающих систем.

Известен способ измерения комплексной диэлектрической проницаемости жидкости на СВЧ, в котором выставляется начальная толщина слоя жидкости, равная трем четвертям длины волны в заполненном исследуемой жидкостью волноводе, затем измеряются два значения толщин - слоя, при которых отраженная мощность равна мощности, отраженной от начального слоя. По данным значений двух толщин рассчитывают значения действительной части комплек- сной диэлектрической проницаемости и величина угла потерь исследуемой жидкости.

Однако в данном способе присутствует погрешность, связанная с определением толщины начального слоя исследуемой жидкости.

Известен также способ определения комплексной диэлектрической проницаемости жидкости на СВЧ, заключающийся в том, что слой исследуемой жидкости помещают в короткозамкнутый волновод, устанавливают толщину слоя исследуемой жидкости, соответствующую величине бесконечного слоя Хоо , измеряют величину отраженной мощности А(Хоо ) от этого слоя исследуемой жидкости, уменьшают толщину слоя исследуемой жидкости и последовательно измеряют значения величины отраженной мощности во втором максимуме А(ХМакс) и первом минимуме А(ХМин) завиV400 О О N

Формула изобретения Способ определения комплексной диэлектрической проницаемости жидкости на СВЧ, заключающийся в том, что слой иссле- дуемой жидкости помещают в короткозамк- нутый волновод, устанавливают толщину

слоя исследуемой жидкости, соответствующую величине бесконечного слоя (Хоо.), измеряют величину отраженной мощности А(Хоо ) от этого слоя исследуемой жидкости, уменьшают толщину слоя исследуемой жид- ЛРСти и последовательно измеряют значе

Ш с

e

С «-JC4 .

«SJ

I