Магниторезистивная головка Советский патент 1993 года по МПК G11B5/31 

Изобретение относится к приборостроению, в частности к технике магнитной записи и воспроизведения информации, и может быть использовано в электронно-вычислительной аппаратуре в устройствах магнитной памяти.

Известна магниторезистивная головка, содержащая немагнитную подложку, магни- торезистивный элемент, смещающий проводники магнитные экраны по обе стороны от магниторезистивного элемента.

Недостатком этой головки является недостаточное качество воспроизведения сигнала, связанное с недостаточно равномерным распределением поля смещения по высоте магниторезистивного эле мента.

Наиболее близкой по технической сущности к изобретению является магниторезистивная головка, содержащая магниторезистивный элемент и два параллельных ему магнитных экрана, расположенных по обе стороны на разном от него расстоянии.

Недостатком данной головки является низкое качество воспроизведения сигнала, связанное с неравномерным распределением поля смещения по высоте магниторезистивного элемента, -

Целью изобретения является повышение качества воспроизведения. Использование изобретения позволяет увеличить амплитуду воспроизводимого сигнала на 6% без увеличения его искажений или уменьшить искажения воспроизводимого сигнала при той же максимальной амплитуде.

Цель достигается за счет того, что в маг- ниторезистивной головке, содержащей маг- ниторезйстипиый элемент и два параллельных ему магнитных экрана, расположенных по обе стороны на разном от него расстоянии, в экранах со стороны маг- ниторезистизного элемента и симметрично его средней линии сделаны выемки гипер sj

ю со

N о

болической формы, ширина которых равна ширине магниторезистивного элемента.

Сущность изобретения заключается в том, что наличие выемок гиперболической формы в экранах со стороны магниторезистивного элемента позволяет создать более равномерное распределение поля смещения по высоте магниторезистивного элемента, что расширяет амплитудный диапазон воспроизводимого сигнала, снижает частотные искажения и, следовательно, повышает качество воспроизведения.

Существенным отличием изобретения является наличие выемок гиперболической формы в экранах со стороны магниторезистивного элемента, симметричных его сред- ней линии и равных по ширине магниторезистивному элементу.

На фиг. 1 изображено сечение предлагаемой магниторезистивной головки; на фиг. 2 - графики распределения намагниченности М по высоте Н магниторезистивного элемента под воздействием поля смещения в прототипе (а) и в изобретении

(б). ..

Магниторезистивная головка (фиг. 1) содержит магниторезистивный элемент 1 и два магнитных экрана 2 и 3, в каждом из которых сделаны выемки 4 гиперболической формы.

Магниторезистивная головка работает следующим образом.

Под воздействием внешнего сигнального магнитного поля в.магниторезистивном элементе 1 изменяется ориентация вектора намагниченности относительно ориентации вектора плотности тока детектирования на некоторый угол в, что вызывает изменение удельного электрического сопротивления р материала, из которого выполнен магниторезистивный элемент 1, по закону

+Д/э соз2(#+я/4), (1)

где ро изотропная составляющая удельного электрического сопротивления материала магниторезистивного элемента 1; Д/э- максимальная величина изменения

сопротивления в магниторезистивном элементе 1. При протекании по магниторезистивному элементу 1 постоянного тока, называемого током детектирования, происходит изменение электрического напряжения на магниторезистивном элементе пропорционально изменению его сопротивления.

Протекающий по магниторезистивному

элементу 1 ток детектирования наводит вокруг магниторезистивного элемента постоянное магнитное поле, которое намагничивает магнитные экраны 2 и 3 в противоположных направлениях. Причем

магнитный экран 2, расположенный ближе к магниторезистивному элементу, намагничивается сильнее. Магнитные поля, наводимые экранами, воздействуют на магниторезистивный элемент и создают в

нем смещение рабочей точки. На фиг. 2а показаны распределения намагниченности М по высоте Н магниторезистивного элемента 1, вызываемые каждым из экранов 2 и 3 (см. фиг. 2а, кривые 5 и 6), и их результирующее воздействие для прототипа (кривая 7). Как видно из фигуры, намагниченности магниторезистивного элемента 1, вызванные каждым из экранов 2 и 3, а также результирующая намагниченность имеют

значительно, большую величину в средней части магниторезистивного элемента 1, чем на его краях. Применение в экранах 2 и 3 выемок 4 гиперболической формы позволяет планеризовать распределения намагниченностей, вызванных каждым из экранов 2 и 3 (см. фиг. 2 б, кривые 5, 6), что позволяет планеризовать распределение результирующей намагниченности (см. фиг. 26. кривая 7) и, следовательно, смещение рабочей точки.

Таким образом, за счет того, что в экранах 2 и 3 имеются выемки 4, планеризуется распределение смещения рабочей точки по высоте Н магниторезистивного элемента 1 и, следовательно, расширяется амплитудный диапазон воспроизводимого сигнала, снижаются частотные искажения, а значит, повышается качество воспроизведения.

Использование: для магнитной записи и воспроизведения информации в устройствах тлагнитной памяти. Сущность изобретения: наличие выемок гиперболической формы в экранах со стороны магниторезистивного элемента позволяет создать более равномерное распределение поля смещения по высоте магниторезистивного элемента, что расширяет амплитудный диапазон воспроизводимого сигнала, снижает частотные искажения и, следовательно, повышает качество воспроизведения. 2 ил.

Ф о р м у л а и з о б р е т е н и я Магниторезистивная головка, содержащая магниторезистивный элемент и два параллельных ему экрана, расположенных по обе сто роны на разном от него расстоянии, отличающаяся тем, что, с целью

повышения качества воспроизведения, в экранах со стороны магниторезистивного элемента и симметрично его средней линии выполнены выемки гиперболической формы/ширина которых равна ширине магниторезистивного элемента.

-м

а)

М

-м

м

б)