Контактное устройство для коммутации измерительной аппаратуры к бескорпусным СВЧ-микросхемам на ленточных носителях в заводской таре Советский патент 1993 года по МПК G01R31/26 H05K1/18 

Описание патента на изобретение SU1798742A1

Изобретение относится к радиоэлектронной технике и предназначено для подключения бескорпусных схем на пленочных . носителях к измерительной аппаратуре при контроле параметров.

Целью изобретения является повышение надежности коммутации и уменьшение разброса значений контактных сопротивлений путем реализации плавающего пружинно-прижимного контакта, а . также, обеспечение возможности контроля бескорпусных СВЧ-микросхем на ленточных носителях в заводской таре.

На фиг.1 приведен пример конкретной реализации заявленного технического решения при работе с бескорпусными СВЧмикросхемами на ленточных носителях в заводской таре.

, Контактное устройство для коммутации измерительной аппаратуры к бескорпусным СВЧ-микросхемам на ленточных носителях в заводской таре содержит плоскую диэлектрическую подложку 1. в отверстии которой введены N выступов 2, На поверхности плоской диэлектрической подложки 1, снабженной выступами 2, и на вершинах N выступов 2 всем шлейфом закреплена металлизированная диэлектрическая СВЧ пленка 3. Из металлизации диэлектрической СВЧ-пленки 3, например, травлением, сформированы пленочные проводники 4. Участки плёночных проводников 4. расположенные на плоских вершинах выступов 2,

XI ю

00

ч

Ј Ю

являются контактными площадками 5 и представляют собой зеркальное изображение ленточных выводов контролируемой микросхемы, На другой стороне плоской диэлектрической подложки 1 выполнена металлизация 6. Пленочные проводники 4 совместно с металлизацией 6 образуют несимметричные микрбпрлбсковые линии передачи коммутационной схемы. Подложка 1 закреплена в корпусе 7, снабженном N плоскими пружинами 8, с помощью винтов 9. Каждая пружина 8 установлена между корпусом .7.и соответствующим выступом 2.

Плоская диэлектрическая подложка 1 с выступами 2 может быть выполнена, например, из поликора. ,

Выступы 2 выполнены из диэлектрика, например, из фторопласта и снабжены плоской вершиной. Длина плоской вершины не. .больше ширины отверстия в заводской таре (см.фиг.2), открывающей N ленточных выводов бескорпусной схемы, например, серии 6500 (фиг. 1). Ширина d2 плоской вершины каждого выступа 2 определяется соотношением: -х- , где оЧ

шаг, с которым

выполнены ленточные выводы микросхемы.

Плоские пружины 8 предназначены.для обеспечения плавающего пружинно-прижимного контакта и могут быть выполнены, например, из пружинной бронзы.

В качестве металлизированной диэлектрической СВЧ-пленки 3 может быть использована полИиМидная пленка, металлизированная пйлиимйдная пленка 3 закреплена на поверхности подложки 1 и вершинах N выступов 2 с помощью поли- имидного лака.. :

Пленочные проводники 4 характеризуются шириной . Ширина . пленочных проводников определяется как ширина сигнального проводника микроподосковой линии с волновым сопротивлением :W, сформированной на диэлектрической подложке толщиной Н. .

Контактное устройство для коммутации измерительной аппаратуры к бескорпусным. СВЧ-микросхемам на ленточных носителях в заводской таре работает следующим образом.. . . -.-.

N выступов 2 с металлизированной диэлектрической пленкой 3, из металлизации которой сформированы пленочные проводники 4, вводятся как в гнездо, в открывающее N ленточных выводов углубление заводской тары. Контактные площадки 5, которые являются частью пленочных проводников 4, устанавливаются на открытые поверхности ленточных выводов, Плавающий пружинно-прижимной контакт с каждым ленточным выводом микросхемы обеспечивается за счет пружин 8. Диэлектрическая СВЧ-пленка 3, закрепленная всем шлейфом на поверхности подложки 1 и вершинах N выступов 2, распределяет по всему, шлейфу диэлектрической СВЧ-пленки механические напряжения, возникающие при

смещении выступов. Это обстоятельство позволяет обеспечить надежный контакт с леяточныМи выводами и малый разброс значений сопротивлений контакта при неплоскостности заводской мкм.

При апробации контактного устройства на бескорпусных СВЧ-микросхемах серии 6500 в заводской таре к нему подключали импульсный генератор, входящий в состав серийно выпускаемого измерителя неодно

родностей Р5-11. Устройство обеспечивало неискаженную передачу импульсов с длительностью фррнта -180 пс.

Ф о р м у л а .и з о б р е т е.н и я Контактное устройство для коммутации

измерительной аппаратуры к бескорпусным ОВЧ-микросхемам на ленточных носителях в заводской таре, содержащее плоскую подложку, одна сторона которой снабжена выступами расположение которых

соответствует зеркальному изображению контактов контролируемой микросхемы, при этом плоская подложка снабжена коммутационной схемой, подключенной к внешним измерительным приборам, о т л а.ю щ е е с я тем, что, с целью, повышения надежности коммутации за счет реализации плавающего пружинно-прижимного контакта, плоская подложка и снабженные плоской в-ершиной выступы выполнены из

СВЧ-диэл ектрика, между плоской подложкой и каждым выступом установлена пружина, на стороне плоской диэлектрической подложки, снабженной диэлектрическими

выступами, закреплена металлизированная

диэлектрическая СВЧ-пленка, на которой сформированы пленочные проводники коммутационной схемы, расположенные на плоских вершинах диэлектрических выступов и образующие контактные площадки.

. ;.

Фиг.I.

Похожие патенты SU1798742A1

название год авторы номер документа
КОНТАКТНЫЙ УЗЕЛ НА ВСТРЕЧНЫХ КОНТАКТАХ С КАПИЛЛЯРНЫМ СОЕДИНИТЕЛЬНЫМ ЭЛЕМЕНТОМ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ 2008
  • Таран Александр Иванович
  • Белов Андрей Александрович
RU2374793C2
МНОГОСЛОЙНАЯ ГИБРИДНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА СВЧ И КВЧ ДИАПАЗОНОВ 1992
  • Иовдальский В.А.
  • Буданов В.Н.
  • Яшин А.А.
  • Кандлин В.В.
RU2088057C1
СВЧ-выключатель 1991
  • Суднов Анатолий Александрович
SU1781740A1
ГИБРИДНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА СВЧ-ДИАПАЗОНА 2011
  • Иовдальский Виктор Анатольевич
  • Манченко Любовь Викторовна
  • Добровольская Наталья Михайловна
  • Моргунов Виктор Григорьевич
RU2478240C1
МНОГОСЛОЙНАЯ ГИБРИДНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА СВЧ И КВЧ ДИАПАЗОНОВ 1996
  • Иовдальский В.А.(Ru)
  • Буданов В.Н.(Ru)
  • Яшин А.А.(Ru)
  • Кандлин В.В.(Ru)
RU2148874C1
МНОГОСЛОЙНАЯ ГИБРИДНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА СВЧ 1992
  • Иовдальский В.А.
  • Яшин А.А.
  • Кандлин В.В.
  • Буданов В.Н.
RU2071646C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ГИБРИДНОЙ ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЫ СВЧ-ДИАПАЗОНА 2009
  • Иовдальский Виктор Анатольевич
  • Молдованов Юрий Исаевич
  • Коцюба Александр Михайлович
RU2417480C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ГИБРИДНОЙ ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЫ СВЧ-ДИАПАЗОНА 2006
  • Иовдальский Виктор Анатольевич
  • Молдованов Юрий Исаевич
  • Моргунов Виктор Григорьевич
  • Виноградов Владимир Григорьевич
RU2314595C2
ЗОНДОВАЯ ГОЛОВКА ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ КРИСТАЛЛОВ 1981
  • Темнов А.М.
RU2076392C1
НОСИТЕЛЬ КРИСТАЛЛА ИС 1998
  • Таран А.И.
  • Любимов В.К.
RU2134466C1

Иллюстрации к изобретению SU 1 798 742 A1

Реферат патента 1993 года Контактное устройство для коммутации измерительной аппаратуры к бескорпусным СВЧ-микросхемам на ленточных носителях в заводской таре

Сущность изобретения: контактное устройство содержит плоскую диэлектрическую подложку, в отверстий которой введены N выступов. На поверхности плоской диэлектрической подложки, снабженной выступами, и на вершинах N выступов всем шлейфом закреплена металлизированная диэлектрическая СВЧ-пленка. Из металлизации диэлектрической СВЧ-пленки, например, травл.ением сформированы пленочные проводники; Участки пленочных проводников, расположенные на плоских вершинах выступов, являются контактными площадками и представляют собой зеркальное изображение ленточных выводов контролируемой микросхемы. На другой стороне плоской диэлектрической подложки выполнена металлизация. Пленочные проводники совместно с металлизацией образуют несимметричные микрополосковые линии передачи коммутационной схемы. Подложка закреплена в корпусе, снабженном N плоскими пружинами, с помощью винтов. Каждая пружина установлена между корпусом и соответствующим выступом. 2 ил. ел

Формула изобретения SU 1 798 742 A1

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1993 года SU1798742A1

Иглоноситель для контроля полупроводниковых микросхем 1978
  • Зеевалд Вернер
  • Гохт Хартмут
  • Крюгер Карл-Хейнц
SU964556A1
Печь для непрерывного получения сернистого натрия 1921
  • Настюков А.М.
  • Настюков К.И.
SU1A1
Устройство для видения на расстоянии 1915
  • Горин Е.Е.
SU1982A1
Патент США № 4585991, кл
Печь для непрерывного получения сернистого натрия 1921
  • Настюков А.М.
  • Настюков К.И.
SU1A1

SU 1 798 742 A1

Авторы

Стеклов Игорь Владимирович

Даты

1993-02-28Публикация

1990-10-30Подача