Ч
и
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
ОПТОЭЛЕКТРОННЫЙ НЕЙРОЧИП | 1994 |
|
RU2137192C1 |
ОПТОЭЛЕКТРОННАЯ МОДЕЛЬ НЕЙРОННОЙ СЕТИ | 1991 |
|
RU2074417C1 |
ГИБРИДНАЯ ОПТОЭЛЕКТРОННАЯ ЯЧЕЙКА | 1991 |
|
RU2025776C1 |
ОПТОЭЛЕКТРОННАЯ МОДЕЛЬ НЕЙРОННОЙ СЕТИ | 1992 |
|
RU2070334C1 |
Оптоэлектронное вычислительное устройство для решения дифференциальных уравнений в частных производных | 1991 |
|
SU1807505A1 |
ГИБРИДНАЯ ЯЧЕЙКА ОПТОЭЛЕКТРОННОГО НЕЙРОПРОЦЕССОРА | 1992 |
|
RU2057362C1 |
ГИБРИДНАЯ ЯЧЕЙКА ОПТОЭЛЕКТРОННОГО НЕЙРОПРОЦЕССОРА | 1992 |
|
RU2057363C1 |
МОДЕЛЬ НЕЙРОННОЙ СЕТИ | 2006 |
|
RU2309457C1 |
Оптоэлектронный аналоговый преобразователь | 1984 |
|
SU1187185A1 |
ГИБРИДНЫЙ ПРОЦЕССОР | 1992 |
|
RU2096823C1 |
Использование: изобретение относится к вычислительной технике, в частности к нейроподобным оптоэлектронным вычислительным сетям, применяемым для моделирования систем с распределенными параметрами. Сущность: в нейроподобный модуль с квазипространственным переносом заряда введен блок задания локальных характеристик нейрона. Этот блок содержит два компаратора 10 и 11, два элемента памяти 12 и 13 и элемент запуска 14. Все вводимые элементы имеют внешнее оптическое управление, посредством которого задаются пороговые уровни квантования переносимых в модуле зарядов, режима записи, перезаписи и сброса управляющей информации в элементах памяти. 2 з.п.ф-лы. 2 ил.
VN
00
о
OJ
о
Ю
со
Фиг.1
TtfJ
Изобретение относится к вычислительной технике, а именно к нейроподобным элементам оптоэлектронных нейросетевых структур, применяемых для моделирования систем с распределенными параметрами.
Целью изобретения является повышение точности моделирования процессов передачи информации в элементах нейронных сетей за счет адаптации режима квантования переносимой информации в соответствии с внешними и внутренними условиями процесса передачи информации.
На фиг. 1 приведена структурная схема узлового модуля нейроподобной сети; на фиг. 2 - вариант функциональной схемы такого нейроподобного модуля на оптоэлектронных элементах.
Модуль нейроподобной сети содержит входные управляемые резисторы 1.1-1.N, накопительные конденсаторы 2 и 3, ключи 4-7, разделительный управляемый резистор 8, узловой конденсатор 9 блока выхода модуля, компараторы 10 и 11, элементы памяти 12 и 13, элемент запуска 14, 15.1-15.6 - группа управляющих входов, 16 - вход опорного потенциала.
В оптоэлектронном исполнении модуль нейросети (фиг.2) содержит входные узловые фоторезисторы 1.1-1 .N, накопительные конденсаторы 2 и 3, оптроны 4-7, где с индексом 1 - информационные фотодиоды, с индексом 2 - управляющие светодиоды, разделительный управляемый резистор 8 - выполнен как повторитель тока на оптроне 8 с то коза дающим фоторезистором 8.1 и источником излучения 8.2 и входным фоторезистором 8.3, узловой конденсатор 9, компараторы 10 и 11, выполненные на пороговых источниках излучения 10.1-11.1 и фоторезисторах 10.2, и 11.2 для задания порогового потенциала на источниках излучения 10,1, 11.1. Элементы памяти 12 и 13 выполнены на запоминающих конденсаторах 12.1 и 13.1, оптоэлектронных ключах записи 12,2 и 13.2, оптоэлектронных ключах перезаписи 12.3 и 13.3, оптоэлектронных ключах сброса 12.4 и 13.4, элемент запуска выполнен из фоторезисторов 14.1, 14,3 и 14.5 и источников излучения 14.2, 14.4 и 14.6, элементы 17 и 18 оптической индикации локальных потенциалов и элемент 19 оптической индикации потенциала выхода модуля.
Структурно нейроподобный модуль оформлен в виде трех основных функциональных блоков (фиг.1): блок входа (блок конвергенции входных сигналов), скрытый- внутренний блок (блок однонаправленной передачи сигналов) и блок выхода (блок интегрального выходного сигнала).
При выборе такой структуры преследовалась цель сохранить соответствие (аналогию) функциональных назначений блоков нейроподобного модуля и моделируемого
нейрона, так например, блок конвергенции моделирует узел сходящихся дендритов нейронов, блок однонаправленной передачи сигналов моделирует ядро нейрона, в котором осуществляется интегрирование
0 входных сигналов и однонаправленный перенос, блок выхода моделирует аксон нейрона.
Блок входа выполнен на управляемых входных узловых резисторах 1.1-1.N, блок
5 однонаправленной передачи сигналов выполнен на накопительных конденсаторах 2 и 3, четырех ключах 4-7, двух компараторах 10 и 11, двух элементах памяти 12 и 13 и элементе запуска 14, блок выхода выполнен
0 на управляемом резисторе 8 в виде повторителя тока и выходном узловом интегрирующем конденсаторе 9,
Применяемые в модуле элементы могут иметь различное исполнение в зависимости
5 от схемного исполнения нейроподобной сети и внешних блоков управления параметрами этой сети. Управляемые резисторы и ключи модуля могут быть кодоуправляемы- ми при цифровых внешних управляющих
0 блоках, либо могут иметь оптоэлектронное исполнение при оптическом внешнем управлении.
Нейроподобный модуль работает следующим образом.
5 в соответствии с моделируемой распределенной системой составляется топология нейроподобной сети,в которой узловые точки сети соединены между собой посредством предлагаемых нейроподобных
0 модулей. При этом выход модуля включен в одну из узловых точек нейросети, а входы соединены с соседними узловыми точками нейросети, каждый со своим синаптическим весом. Вес каждого входного узлового уп5 равляемого резистора и других параметров элементов нейроподобного модуля задается в соответствии с условиями моделирования, которые получают сравнением уравнений, описывающих поведение узло0 вых функций моделируемой распределенной системы, и уравнений, описывающих изменение потенциалов в схеме нейроподобного модуля.
При выполнении нейроподобного моду5 ля на оптоэлектронных элементах появляется возможность потоком оптических управляющих сигналов осуществлять параллельное задание соответствующих пара- метров во всех модулях нейросети одновременно. Оптическими сигналами задаются режимы возбуждения и торможения нейроподобного элемента, пороговые уровни и синаптические веса каналов связи ней- роподобных модулей.
Рассмотрим режимы работы предлагаемого нейроподобного модуля в соответст- рии со структурной схемой на фиг,1, а затем некоторые особенности работы функциональной схемы на фиг.2, имеющей структу- эу схемы фиг.10 но выполненной на эптоэлектронных элементах.
Перед тем, как нейроподобный модуль Начинает участвовать в общем процессе передачи и преобразования информации в йейросетевом ансамбле, производится запуск - перевод в активное (возбужденное) фостояние такого модуля. Эта процедура производится подачей управляющего сиг- $апа запуска на управляющий вход 15.3 эле- йента запуска 14, если на выходах Элементов памяти 12 и 13 управляющие сигналы отсутствуют, либо имеются, но недо- |таточны для включения ключей 4-7, то на йыходе элемента запуска генерируется управляющий сигнал, который подается на ключ запуска элемента памяти 12, произво- ится подключение запоминающего кон- енсатора этого элемента памяти и на выходе элемента памяти 12 формируется управляющий сигнал, подаваемый на управляющие входы ключей 4 и 6, посредст- в|ом первого накопительного конденсатора 2| подключается ко входу блока однонаправленной передачи сигналов, посредством второго накопительный конденсатор 3 под- к|пючается к выходу блока однонаправленной передачи сигналов. Накопительный конденсатор 2 переводится в режим слежения за входной информацией и интегрирования значений входных сигналов до определенной величины, а с накопительно- rfy конденсатора 3 производится сброс за- , соответствующего по величине значению передаваемой информации, и по- с едством повторителя тока 8 на управляемых резисторах производится перезапись с 5расываемой величины заряда на выход- н )й узловой интегрирующий конденсатор 9, с выхода которого, являющегося выходом м(одуля, эта информация поступает на входи других нейроподобных модулей, подключенных к этой узловой точке сети. Накопительный конденсатор 2 в это время интегрирует входную информацию (сигна- лф), поступающие на этот конденсатор от дфугих точек сети через управляемые резисторы 1.1-1.N, каждый со своим весом, за- дйваемым управляющими потенциалами . Как только потенциал накопленного на ксЫденсаторе 2 заряда становится больше,
чем значение потенциала порогового уровня 15.1, происходит срабатывание компаратора 10, и на его выходе формируется управляющий сигнал, подаваемый на управляющий вход ключа записи элемента памяти 13 и на управляющий вход ключа перезаписи элемента памяти 12, при этом в элементе памяти 13 запоминающий конденсатор заряжается и на выходе этого элемен0 та памяти появляется управляющий сигнал, подаваемый на управляющие входы ключей 5,7 и открывающий эти ключи, в то же время в элементе памяти 12 запоминающий конденсатор разряжается и переводится в на5 чальное (нулевое) состояние, управляющий сигнал на выходе элемента памяти 12 исчезает и ключи 4 и 6 становятся закрытыми (разомкнутыми). На этом кончается первый такт работы блока однонаправленной пере0 дачи, когда накопительный конденсатор 2 подключен ко входу этого блока, а накопительный конденсатор 3 к выходу блока, во втором такте ко входу блока подключен накопительный конденсатор 3, а к выходу 5 накопительный конденсатор 2, и картина интегрирования входного сигнала на конденсаторе 3, отслеживание компаратором 11 определенного порога зарядки этого конденсатора перезаписи заряда с накопитель0 ного конденсатора 2 на интегрирующий узловой выходной конденсатор 9 и переключение ключей 4-7 повторяется.
Такая двухтактовая схема однонаправленной передачи сигналов в виде периоди5 ческого квазипереноса квантованных зарядов от входа блока к выходу работает на самозапуск до тех пор, пока не будет произведен останов (торможение) этого периодического процесса либо при длительном
0 отсутствии сигнала на входе модуля, либо внешним управляющим сигналом 15.4, осуществляющим сброс (разряд) запоминающих конденсаторов обоих элементов памяти 12 и 13, что приводит к обесточива5 нию цепей управления ключей 4-7 и отключению накопительных конденсаторов от входа и выхода блока однонаправленной передачи сигнала.
В качестве элементов памяти могут
0 применяться статические элементы памяти на триггере, но применение динамических элементов памяти на запоминающем конденсаторе имеет преимущества при моделировании процессов с самоторможени5 ем, когда отсутствие возбуждающих сигналов на входе модуля в течение определенного времени переводит схему в пассивное состояние. Моделирование такого режима самоторможения в предлагаемой схеме возможно за счет разряда запоминающего конденсатора через цепь управления ключей 4-7. Так, например, если схема модуля активизирована (возбуждена), то в элементе памяти 13 на запоминающем конденсаторе записан заряд, достаточный для того, чтобы в течение определенного времени удерживать пары ключей 4,6 или 5, 7 в замкнутом состоянии.
Если за промежуток времени, пока одна из пар находится в замкнутом состоянии, на накопительном конденсаторе, подключенном ко входу модуля, накопится проинтегрированный заряд, по величине превышающий некоторое заданное пороговое значение, то произойдет переключение другого накопи- тельного конденсатора ко входу модуля и этот конденсатор переводится в режим слежения и интегрирования входных сигналов. Но может оказаться так, что если на накопительном конденсаторе за промежуток вре- мени, пока замкнута одна из групп ключей и этот конденсатор находится в режиме слежения и интегрирования входных сигналов, не сформируется пороговый сигнал, достаточный для срабатывания компаратора, и заряд на запоминающем конденсаторе за счет разряда через цепь управления и снизится в конце промежутков времени слежения меньше уровня, достаточного для удержания ключей в замкнутом состоянии, то происходит их размыкание в результате усталости внимания и модуль переводится в пассивное состояние (торможение). На управляющие входы элемента запуска 14 от элементов памяти 12 и 13 перестают посту- пать сигналы индикации содержимого элементов памяти и теперь уже элемент запуска переводится в режим слежения и если на вход 15.3 будет подан сигнал, то произойдет включение ключа запуска, произой- дет зарядка запоминающего конденсатора в элементе памяти и модуль снова переводится в режим обработки и передачи сигналов от одних узловых точек нейросети к другим узловым точкам. Элемент запуска 14 устроен таким образом, что при наличии одного из сигналов управления с выходов элементов памяти 12 и 13, управляющий вход 15.3 блокирован и если на этот вход поступает управляющий сигнал, то включе- ние ключа запуска не произойдет.
Выполнение нейроподобного модуля на оптоэлектронных элементах имеет свои особенности. В принципе схема работает так же, только функции управления осуще- ствляются оптическими сигналами, что упрощает взаимосвязи между элементами схемы модуля и существенно улучшаются возможности взаимосвязи модулей в нейро- сетевом ансамбле.
Управляющие входы модуля 15.1-15.5- оптические управляющие входы, на которые подаются оптические управляющие сигналы, посредством которых производится запуск модуля, задание пороговых уровней, начальных условий и синаптических весов для входных каналов.
Запуск оптоэлектронного нейроподобного модуля осуществляется оптическим сигналом, направленным на фоторезистор 14.5, который после освещения открывается (увеличивает свою проводимость) и если фоторезисторы 14.1 и 14.3 не освещены и, следовательно, закрыты ( а это в том случае, если в цепях управления ключей 4-7 управляющие сигналы отсутствуют и ни одна из пар этих ключей не включена), то увеличивается ток через светодиод 14,6, вызывает его свечение и открывает ключ запуска и одновременно записи 12.2, производится заряд конденсатора 12 и открываются оптоэлект- ронные ключи 4 и 6, подключая накопительный конденсатор 2 через фоторезисторы
I.1-1.N ко входу модуля, а накопительный конденсатор 3 через повторитель тока на фоторезисторах 8.1, 8.3 и источнике излучения 8.2 к выходу модуля. Схема оптоэлектронного повторителя тока представлена одной из самых простых схем для иллюстрации принципа однонаправленной передачи сигнала от накопительного конденсатора к конденсатору 9.
После зарядки накопительного конденсатора, подключенного ко входу модуля до определенного значения, которое устанавливается величиной проводимости фоторезисторов 10.2 и 11.2 задания пороговых характеристик и которое определяется характеристиками срабатывания оптронов, содержащих попарно оптоэлектронные фотоприемники и излучатели 10.1, 12.3, 13.2 и
II.1, 12.2, 13.3, происходит высвечивание оптического сигнала на источнике излучения, подключенного к заряжаемому накопительному конденсатору, приводящее к соответствующему переключению оптоэлектронных ключей 4-7 и смене режима зарядки - разрядки накопительных конденсторов. Заряженный до определенного значения накопительный конденсатор переключается ко входу оптоэлектронного повторителя тока и через входную цепочку последовательно соединенных фоторезистора 8.3 и источника излучения 8.2 заряд с этого конденсатора стекает на шину нулевого потенциала, инициируя при этом за счет свечения источника излучения 8.2 в токозадающем фоторезисторе 8.1 ток зарядки конденсатора 9, по величине пропорциональный току, который стекает с накопительного конденсатора,
при этом величина заряда на конденсаторе 9 повышается на величину, равную заряду накопительного конденсатора. Накопительный конденсатор после разрядки через цепочку фоторезистора 8.3 и источника излучения 8.2 готов к следующему циклу Переключений, скорость разрядки накопительного конденсатора определяется емкостью накопительного конденсатора и реличиной сопротивления источника излучения 8.2 и фоторезистора 8.3. проводимость последнего задается внешним Оптическим сигналом 15.6.
Оптоэлектронная реализация ключей и управляемых резисторов позволяет довольно простыми техническими средствами осуществлять синхронизацию переключений накопительных конденсаторов от входа модуля к его выходу. Применение в управляющих цепях ключей источников излучений позволяет их использовать одновременно как элементы открывания оптоэлектронных ключей, как резистивные элементы разрядки запоминающих конденсаторов для моделирования процессов ослабления внимания (торможения), а также как элементы визуальной индикации режимов работы оптоэлектронных ключей, высвечиваемые при эдем оптические сигналы могут применяться для управления другими процессами в нейросетях.
Подавая одновременно управляющие рптические сигналы 15.4 на оптические входы фотодиодов 12.4 и 13.4 можно переводить либо выборочные нейроподобные модули в заторможенное состояние, либо целые зоны нейросети.
Из предлагаемых модулей набирают н,ейроподобную сеть в соответствие с условиями решаемой задачи. При этом математическую модель той распределенной системы, которую моделируют на нейропо- дЪбной сети, интерпретируют как распределительную систему дискретно-сетевой структуры, в узловых точках которой моделируются локальные параметры сетевой структуры, а связь узловых точек осуществляется посредством каналов связи с однонаправленной передачей сигналов.
Математическая модель модуля нейроподобной сети может быть представлена дифференциальными уравнениями, описывающими изменение локальных функций DJ внутреннего блока однонаправленной передачи и функции Uj на выходе модуля отно- сительно входных сигналов Vij, поступающих на вход модуля, включенного в j-ю узловую точку нейроподобной сети, от выходов модулей, включенных в соседние i-e узловые точки такой сети.
В общем виде уравнения изменения локального потенциала DJ и выходного потенциала Uj для j-ro модуля имеют вид:
5Су 5 GijCVij-Ujj-C fjUj at Ц
- ,О)
ю
C9j- i C2jfjU;-f9jUj-GjUj; (2)
5
0
5
0
5
0
5
0
5
где Uj - потенциал выходного сигнала j-ro модуля;
Uj - локальный потенциал блока однонаправленной передачи сигналов j-ro модуля;
Vij - потенциал входного сигнала на входе j-ro модуля от соседних i-x узлов нейроподобной сети;
GJJ - проводимость каналов связи от i-x узлов нейроподобной сети к i-му модулю;
GJ - эквивалентное значение проводимости каналов связи выхода j-ro модуля с другими узловыми точками нейроподобной сети;
- емкость накопительного конденсатора в блоке однонаправленной квантованной передачи сигнала j-ro модуля;
92) - проводимость цепей ослабления (торможения) локального потенциала Uj за счет утечки через накопительный конденсатор, схему компаратора и источник излучения;
Cgj - емкость узлового выходного конденсатора в j-м модуле;
ggj - проводимость цепей ослабления (торможения) потенциала выхода Uj за счет утечки через конденсатор 9 и включенный параллельно ему источник излучения оптического вывода операционных результатов модуля;
Uj -пороговый потенциал квантованного заряда, переносимого накопительным конденсатором в блоке однонаправленной передачи сигналов в j-м модуле;
fj - частота переключения накопительных конденсаторов в j-м модуле.
Для моделирования распределенных систем на нейроподобных сетях, набранных из предлагаемых модулей, производят преобразование математической модели распределенной системы к виду уравнений (1) и (2), сравнивают члены при подобных членах уравнений моделируемой системы и уравнений модуля и получаютусловия моделирования, в соответствии с которыми задают необходимые параметры элементов модуля. Задание параметров элементов модуля задают оптическими управляющими сигналами, задаются синаптические веса входных каналов связи в блоке конвергенции, пороговые характеристики и выходные характеристики блока выхода, кроме того посредством оптических сигналов задают режимы запуска (возбуждения) и останова (торможения) модуля. Оптические сигналы источников излучения оптоэлектронных элементов модуля используются для внутреннего управления характеристиками ней- роподобного модуля и одновременно могут служить как оптические выходы оптоэлект- ронного нейроподобного модуля для передачи информационных, либо управляющих сигналов другим модулем нейроподобной сети.
Таким образом, предлагаемая схема нейроподобного модуля на накопительных конденсаторах с автозапуском режимов переключения этих конденсаторов позволяет повысить качество моделирования процессов переноса квантованной информации в мейроподобных сетях. Исполнение схемы на оптоэлектронных элементах делает схему модуля относительно простой и позволяет использовать операционные оптические сигналы для управления и передачи информации от модуля к модулю в нейроподобной сети.
Формула изобретения 1. Модуль нейроподобной сети, содержащий входной блок конвергенции, блок однонаправленной передачи сигналов и блок выхода, при этом блок конвергенции состоит из N узловых входных управляемых резисторов, блок однонаправленной передачи сигнала из двух накопительных конденсаторов и четырех ключей, блок выхода из разделительного управляемого резистора и узлового выходного конденсатора, первые информационные выводы входных узловых управляемых резисторов являются входами блока конвергенции, вторые информационные выводы этих управляемых резисторов соединены между собой и являются выходом блока конвергенции, в блоке однонаправленной передачи сигналов первые информационные выводы первого и четвертого ключей соединены между собой и являются входом блока однонаправленной передачи, а первые информационные выводы второго и третьего ключей соединены между собой и являются выходом блока однонаправленной передачи сигналов, вторые информационные выводы первого и второго ключей соединены между собой и подключены к первому выводу первого накопительного конденсатора, вторые информационные выводы третьего и четвертого ключей соединены между собой и подключены к первому выводу второго накопительного конденсатора, вторые выводы первого
и второго накопительных конденсаторов подключены к шине нулевого потенциала, в блоке выхода первый вывод узлового разделительного управляемого резистора является входом этого блока, второй вывод этого
0 резистора соединен с первым выводом узлового конденсатора и образует выход блока, второй вывод узлового конденсатора подключен к шине нулевого потенциала, входы блока конвергенции одновременно
5 являются входами модуля, выход блока конвергенции соединен с входом блока однонаправленной передачи сигналов, выход блок соединен с входом блока выхода, а выход этого блока является выходом моду0 ля, управляющие входы управляемых резисторов блока конвергенции образуют первую группу управляющих входов модуля для задания входных параметров, управляющий вход разделительного управляемого
5 резистора является управляющим входом модуля для задания параметров блока выхода, отличающийся тем, что, с целью повышения точности моделирования процессов передачи информации в элементах
0 нейронных сетей, введен блок задания ло- . кальных параметров, содержащий два компаратора, два элемента памяти, элемент запуска, каждый элемент памяти содержит запоминающий конденсатор, ключ записи,
5 ключ перезаписи, ключ сброса, элемент запуска содержит три управляемых резистора и один ключ запуска, в каждом элементе памяти первый вывод запоминающего конденсатора, первые информационные выво0 ды ключа записи, ключа перезаписи и ключа сброса соединены между собой и являются выходом элемента памяти, второй вывод запоминающего конденсатора, вторые информационные выводы ключа перезаписи и
5 ключа сброса подключены к шине нулевого потенциала, второй информационный вывод ключа записи подключен к шине опорного потенциала, в элементе запуска первый и второй управляемые резисторы соединены в
0 параллель и их первые информационные выводы подключены к шине нулевого потенциала, а вторые информационные выводы этих резисторов и первый информационный вывод третьего управляемого резистора соеди5 нены между собой и подключены к управляющему входу ключа запуска, второй информационный вывод третьего управляемого резистора подключен к шине опорного потенциала, первый информационный вывод ключа запуска подключен к
выходу первого элемента памяти, второй информационный вывод этого ключа подключен к шине опорного потенциала, управ- ляющий вход первого управляемого резистора элемента запуска подключен к выходу первого элемента памяти управляющий вход второго управляемого резистора элемента запуска подключен к выходу второго элемента памяти, первый вход первого компаратора подключен к первому выводу первого накопительного конденсатора, первый вход второго компаратора подключен к первому выводу второго накопительного конденсатора, выход первого компаратора соединен с управляющим входом ключа за- писи во втором элементе памяти и с управляющим входом ключа перезаписи в первом элементе памяти, выход второго компаратора соединен с управляющим входом ключа записи в первом элементе памяти и с управ- ляющим входом ключа перезаписи во втором элементе памяти, вторые входы первого и второго компараторов являются соответственно первым и вторым управляющими входами модуля для задания поро-
говых характеристик модуля, управляющие входы ключей сброса в элементах памяти являются управляющими входами модуля для останова и задания начальных условий, управляющий вход третьего управляемого резистора элемента запуска является управляющим входом для запуска модуля.
Узловой элемент RC-сеточного процессора для решения задач теории переноса | 1988 |
|
SU1580405A1 |
Приспособление для точного наложения листов бумаги при снятии оттисков | 1922 |
|
SU6A1 |
Авторы
Даты
1993-03-23—Публикация
1990-07-28—Подача