Двухтактный эмиттерный повторитель Советский патент 1993 года по МПК H03F3/26 

зit П4

i

o/ff

СЛ

С

Изобретение относится к радиотехнике. Цель изобретения - повышение КПД. Двухтактный эмиттерный повторитель содержит транзисторы 1, 2, цепь из параллельно включенных прямосмещенного диода 3 и резистора 4, генератор тока 5, резистор 6. Благодаря этому достигается гальваническая развязка первого и второго транзисторов 1 и 2 и повышение КПД путем уменьшения тока покоя. 1 ил.

ш

оо

О

О Ч) ОТ

СА

Изобретение относится к радиотехнике и может использоваться в устройствах автоматики, измерительной техники, радиотехнических устройствах различного назначения.

Цель изобретения - повышение КПД.

На чертеже представлена принципиальная электрическая схема двухтактного эмиттерного повторителя,

Двухтактный эмиттерный повторитель содержит первый и второй транзисторы 1 и 2, прямосмещенный диод 3, первый резистор 4, генератор тока (ГТ) 5, второй резистор 6, шины 7 и 8 питания/входные и выходные шины 9 и 10.

Двухтактный эмиттерный повторитель содержит первый и второй транзисторы 1 и 2, прямосмещенный диод 3, первый резистор. 4, генератор тока (ГТ) 5, второй резистор 6, шины 7 и 8 питания, входные и выходные шины 9 и 10,

Двухтактный эмиттерный повторитель рабртает следующим образом.

При отсутствии сигнала на базу транзистора 1 подают потенциал, содержащий этот транзистор 1 в начальном проводящем состоянии.

Величина тока покоя, протекающего через транзистор 2 и цепь из параллельно включенных диода 3 и резистора 4, выбрана такой, что падение напряжения на резисторе 4/номмнал которого сравним по порядку номиналом нагрузки/равно напряжение отпирания диода 3, причем основная часть тока покоя протекает через резистор 4. Сама же величина тока покоя определяется падением напряжения на резисторе 6, которое, в свою очередь, определяется величиной тока, формируемого ГТ 5. Таким образом, величина тока покоя транзистора 1 будет равна сумме тока, формируемого ГТ 5, и тока покоя, протекающего через транзистор 2, диод 3 и резистор 4.

С возрастанием амплитуды положительной полуволны сигнала проводимость транзистора 1 возрастает, что приводит к возрастанию тока в его эмиттерной цепи, одновременно вызывая некоторое увеличение падения напряжения на прямосмешен- ном диоде 3. На ту же величину уменьшается падение напряжения на пря- мосмещенном базо-эмиттерном переходе транзистора 2. Однако запирания транзистора 2 не происходитд.к. в соответствии с законом Кирхгофа и ввиду постоянства величины тока, формируемого ГТ 5, наряду с уменьшением базового тока транзистора 2 на ту же величину возрастает ток, протекающий через резистор 6, что приводит к увеличению падения напряжения на нем и

препятствует резкому запиранию транзистора 2.

. С другой стороны, уменьшающийся базовый ток транзистора 2 будет, как минимум, на порядок меньше возрастающего эмиттерного тока транзистора 1 /т.к. 1Э / 1б/, поэтому уменьшающийся базовый ток транзистора 2 не приведет к какому-либо измерению режима работы транзистора 1 и,

соответственно, не вызовет изменения формы выходного сигнала.

С убыванием амплитуды отрицательной полуволны сигнала потенциал на базе транзистора 1, а следовательно, и потенциал на

его эмиттере уменьшаются. Но на такую же

величину уменьшается и потенциал на базе

транзистора 2, т.к. транзистор 1, резистор 6

и ГТ образуют транслятор уровня. Если

величина тока, задаваемая ГТ 5, выбрана на порядок больше величины максимального базового тока транзистора 2 при максимальной амплитуде отрицательной полуволны сигнала, тогда при максимальном башовом токе транзистора 2 падение напряжения на резисторе 2 не уменьшится на такую величину, при которой ток, протекает от эмиттера транзистора 1 через резистор 4 на выход схемы, не меняет своего

знака и не становится равным нулю. При этом несмотря на запирание диода 3. шунтированного небольшим по номиналу резистора 4, потенциал на эмиттере транзистора 1, а следовательно, и на базе транзистора 2

не меняются, вследствие чего уменьшаются искажения и повышается КПД, поскольку в заявленной схеме при уменьшении тока покоя не уменьшается максимальный ток, формируемый в нагрузке. При этом величина

КПД предложенной схемы характерна для двухтактных схем, работающих в режиме АВ.

Формула изобретения Двухтактный эмиттерный повторитель, содержащий первый и второй транзисторы, включающие по схеме с общим коллектором и имеющие разную структуру, делитель напряжения, первый вывод которого соединен с эмиттером первого, второй вывод - с коллектором второго, отвод - с базой второго транзисторов, первый резистор, первый вывод которого соединен с эмиттером пер- воготранзистора, база которого является входом, а второй вывод первого резистора - выходом двухтактного эмиттерного повторителя, отличающийся тем, что, с целью повышения КПД, параллельно первому резистору введен прямосмешенный диод, делитель напряжения выполнен на последовательно соединенных между его

первым и вторым выводами втором рези-жения, при этом эмиттер второготранзистостсре и генераторе тока, точка соединенияра соединен с вторым выводом первого рекоторых является отводом делителя напря-зистора.