СИММЕТРИРОВАННЫЙ ЭМИТТЕРНЫЙ ПОВТОРИТЕЛЬ Советский патент 1969 года по МПК H03F3/50 

В известных симметрированных эмнттерных повторителях для усиления сигналов зву.ковой частоты, выполненных на транзисторах, усиление НО току и .входное еолротивленне ограниче lЫ по величине коэффициентом усиления ио току каждого транзистора, симметрия плеч нарушена. Надежность этих повторителей - относительно «изкая, вследствие больших величин .коэффициентов нестабильности то«ов эмиттеров транзисторов.

Предложенный повторитель отличается тем, что входной сигнал подается на базу одного из транзисторов, эмиттер которого соединен с базой одного транзистора через нелинейную цепь с малым динамическим сопротивлением, на.црнмер стабилитрон.

На чертеже схематически изображен лредложенный эмиттерный повторитель,

Нсточник } сигнала и цепь 2 смешения иодключены к базе транзистора 3 типа р-п-р. Эмиттер транзистора 3 соединен с базой транз.истора 4 типа п-р-п через стабилитрон 5,

Коллекторы транзисторов 3 н 4 соединены с соответствующими полюсами 6 и 7 источника питания. Эмиттеры этих же транзисторов соединены между собой через два последовательно .включенных сопротивления 8 и 9, к обшей точке которых подключена нагруз.ка 10.

включенных сопротивления // и 12, общая точка которых соединена с нагрузкой 10 через конденсатор 13.

При режиме покоя, когда на базу транзисюра 5 не подается сигнал от источника /, постоянство напряжения смещения на стабилитроне 5 обеспечи1вает постоянное падение напряжения на сопротивлениях 8 п 9 и стабильность лроходящих через них токов эмиттеров

транзисторов 3 и 4. Причем стабилитрон 5 комиенсирует температурный дрейф напряжения на эмиттерном переходе транзистора 4. Ток смещения через стабилитрон 5 задается сопротивлениями // и 12.

Динамическое сопротивление по постоянному току в цепи эМИттера транзистора 3 велико и намного превыщает величину сопротивлений 8 и 9, так как изменение постоянного тока через НИХ мало, благодаря соединению эмиттера транзистора 3 через стабилитрон 5 с базой транзистора 4. Поэтому влияние температурного .дрейфа напряжения на эмиттерном атереходе транзистора 3 на его режим очень мало, коэффициент нестабильности тока эмиттера

транзистора 3, характеризующий влияние дрейфа обратного тока коллектора, также ,мал. Динамическое сопротивление .по постоянному току в цепи базы транзистора 4 низкоомно, так как определяется малым сопротивле