Гибридная интегральная схема Советский патент 1993 года по МПК H01L27/12 

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении гибридных интегральных схем.

Целью изобретения является повышение прочности.

На чертеже изображена гибридная интегральная схема, содержащая керамическое основание 1, металлическую подложку 2. В металлической подложке 2 установлены полупроводниковые кристаллы 3 с нижней поверхностью 4 и лицевой поверхностью 5, причем лицевая поверхность 5 полупроводниковых кристаллов 3 находится на одном уровне с поверхностью металлической подложки 2. Выводы 6 питания полупроводниковых кристаллов 3 соединены с металлической подложкой 2. Элементы 7 многослойной коммутации расположены на планарной поверхности подложки с полупроводниковыми кристаллами 3. На выводной рамке 8 находятся пленарные контакты 9, сверху устройство закрыто крышкой 10.

В предлагаемой конструкции гибридной интегральной схемы полупроводниковые кристаллы 3, установленные в металлической подложке 2 таким образом, что их лицевая поверхность 5 находится на одном уровне с металлической подложкой 2. образуя монолитную структуру с безрельефной поверхностью, позволяют уменьшить количество планарных операций по созданию многослойной коммутации, что увеличивает надежность устройства. Кроме того, металлическая подложка 2, в которой находятся полупроводниковые кристаллы 3, является своеобразным теплорассекателем для теплонагруженных элементов, создающим одинаковый температурный режим работы кристаллов 3.

Металлическая подложка 2 также выполняет функции шины питания при соединении выводов 6 кристаллов 3 с ней. Это позволяет сократить количество слоев тонкопленочных проводников и снизить токовую нагрузку.

(Л

С

О

Таким образом, предлагаемая конструкция гибридной интегральной схемы при упрощении повышает ее надежность, Формулаизобретения Гибридная интегральная схема, содержащая металлическую подложку с запрессованными в ней полупроводниковыми кристаллами и элементы многослойной коммутации, отличающаяся тем. что, с целью повышения прочности, введено керамическое основание, с которым соединена подложка, верхняя плоскость которой выполнена на одном уровне с лицевой поверхностью кристаллов, при этом одноименные выводы питания кристаллов соединены с металлической подложкой.

Сущность изобретения: кристаллы схемы установлены в застывшем расплаве эвтектического состава. Многослойная коммутация нанесена над кристаллами по планарной технологии. Металлическая подложка является шиной питания. 1 ил.