Полупроводниковый модуль Советский патент 1993 года по МПК H01L25/03 H01L23/14 

Описание патента на изобретение SU1820962A3

Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно, к выпрямительным блокам, и может быть использовано в качестве вторичных источников питания в различных преобразовательных устройствах.

Целью изобретения является повышение надежности модуля путем увеличения расстояния между основанием и коллекторным выводом.

На фиг.1 - изображен предлагаемый модуль, разрез; на фиг.2 - то же, вид сверху.

Модуль содержит полупроводниковые структуры 1 (транзисторные и диодные элементы, соединенные в определенной последовательности), которые расположены на монтажной площадке 2 выводной рамки. Монтажная площадка изолирована от мед- . ного основания 3 керамической подложкой 4, имеющей металлизацию. По меньшей мере один из выводов 5 рамки (коллекторный вывод) выполнен с изгибом, который начинается от края монтажной площадки и заканчивается не доходя до торцевой поверхности корпуса 6, что определено его геометрическими размерами: а - высотой изгиба, относительно нижней плоскости монтажной площадки 2 и о - шириной изгиба.

В конкретном случае размеры изгиба лежат в пределах: а 1 - 1,2 мм, Ь 1,5- 1,6

о

мм, что соответствует отношению т- 0,62 -0,8 и не выходит за его пределы. Увеличение размеров изгиба приводит к тому, что неоправданно возрастает расход материала. Изгиб выходит за пределы стандартного корпуса, а это ведет к увеличению размера корпуса, и, следовательно, теряется возможность взаимозаменяемости приборов. Уменьшение размеров ведет к снижению электрических параметров по пробою, которые регламентированы, и, соответственно, к снижению надежности. Использование стандартного оборудования в свою очередь требует точной установки в одной плоскости верхней плоскости основания 3 и верхней

СО

с

со

N3 О

ч: о

S3

со

плоскости выводов 5, что тоже является определяющим при выборе размеров изгиба. Поперечное сечение изгиба может иметь любую форму (прямоугольную, трапецеидальную), однако, изгиб, приведенный в примере, определяется наибольшей технологичностью его изготовления.

При работе прибора на вход модуля подают сигнал, а выходной сигнал снимают с коллекторной цепи. Модуль работает как обычный транзистор, лишь с тем различием, что он имеет защитный диод:

Предлагаемая конструкция увеличивает надежность .модуля и позволяет наладить

серийное производство практически без его переоснащения.

Формула изобретения.

Полупроводниковый модуль, содержащий полупроводниковые структуры с выводами, расположенные на монтажной площадке выводной рамки, изолированной от основания, отличающийся тем, что по меньшей мере один из выводов рамки выполнен с изгибом, при этом высота изгиба а относительно нижней плоскости монтажной площадки выводной рамки и его ширина Ь выбраны из соотношения

| 0,62-0,8.

Похожие патенты SU1820962A3

название год авторы номер документа
Мощный полупроводниковый модуль 1990
  • Фалин Анатолий Иванович
  • Потапчук Владимир Александрович
  • Горохов Людвиг Васильевич
  • Гридин Лев Никифорович
  • Богачев Николай Михайлович
  • Валюженич Раиса Ивановна
SU1721668A1
Мощный полупроводниковый модуль 1991
  • Горохов Людвиг Васильевич
  • Гридин Лев Никифорович
  • Фалин Анатолий Иванович
  • Валюженич Раиса Ивановна
SU1775754A1
Мощный полупроводниковый модуль 1989
  • Фалин Анатолий Иванович
  • Гридин Лев Никифорович
  • Горохов Людвиг Васильевич
  • Богачев Николай Михайлович
SU1631627A1
Мощный полупроводниковый модуль 1991
  • Горохов Людвиг Васильевич
  • Гридин Лев Никифорович
  • Потапчук Владимир Александрович
  • Фалин Анатолий Иванович
  • Валюженич Раиса Ивановна
SU1771008A1
Полупроводниковый модуль 1990
  • Горохов Людвиг Васильевич
  • Гридин Лев Никифорович
  • Дученко Юрий Васильевич
  • Матанов Александр Викторович
  • Потапчук Владимир Александрович
  • Фалин Анатолий Иванович
SU1735941A1
Полупроводниковый светоуправляемый модуль 1990
  • Горохов Людвиг Васильевич
  • Гридин Лев Никифорович
  • Фалин Анатолий Иванович
  • Валюженич Раиса Ивановна
SU1746438A1
Полупроводниковый модуль 1991
  • Горохов Людвиг Васильевич
  • Потапчук Владимир Александрович
  • Дученко Юрий Васильевич
SU1804665A3
Полупроводниковый модуль 1990
  • Горохов Людвиг Васильевич
  • Гридин Лев Никифорович
  • Евсеев Юрий Алексеевич
  • Фалин Анатолий Иванович
  • Лифанова Елена Николаевна
SU1760578A1
Высоковольтный каскадный тороидальный трансформатор 1988
  • Яковлев Владимир Васильевич
SU1573515A1
Полупроводниковый модуль 1982
  • Абрамович Марк Иосифович
  • Либер Виктор Евсеевич
  • Сакович Анатолий Алексеевич
SU1064356A1

Иллюстрации к изобретению SU 1 820 962 A3

Реферат патента 1993 года Полупроводниковый модуль

Область использования: в выпрямительных блоках в качестве вторичных источников питанияв различных преобразовательных устройствах. За счет того, что, по меньшей мере, один из выводов выводной рамки, на монтажной площадке которой расположены полупроводниковые структуры, выполнен с изгибом, геометри- ческие камеры которого выбирают из соотношения -| 0,62-0,8, где а - высота, Ь ширина изгиба, увеличивается расстояние между основанием и коллекторным выводом. Это позволяет повысить надежность модуля. 2 ил.

Формула изобретения SU 1 820 962 A3

i ..

;

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1993 года SU1820962A3

Каталог фирмы Powerex (USA), 1989
Патент США.Ns 3654527, кл
Клапан 1919
  • Шефталь Н.Б.
SU357A1
Очаг для массовой варки пищи, выпечки хлеба и кипячения воды 1921
  • Богач Б.И.
SU4A1
Патент США № 4067041, кл
Клапан 1919
  • Шефталь Н.Б.
SU357A1
Переносная печь для варки пищи и отопления в окопах, походных помещениях и т.п. 1921
  • Богач Б.И.
SU3A1

SU 1 820 962 A3

Авторы

Горохов Людвиг Васильевич

Дученко Юрий Васильевич

Бернат Николай Николаевич

Богомяков Анатолий Анатольевич

Якунин Владимир Михайлович

Даты

1993-06-07Публикация

1991-12-26Подача