Стеновой камень Советский патент 1993 года по МПК E04C1/00 

ФигА

(А

Изобретение относится к строительству, а именно к конструкциям стеновых камней, используемых для возведения зданий и сооружений. Здания и сооружения могут быть построены и в районах сейсмически неспокойных.

Целью изобретения является обеспечение универсальности использования камня, повышение прочности и устойчивости стены.

На фиг. 1 изображен общий вид стенового камня, вертикальная проекция; на фиг.2

-то же, вид сверху; на фиг.З - то же. вид снизу; на фиг. 4 - то же, общий вид. аксонометрия; на фиг.5 - фрагмент кладки стены, вид сбоку; на фиг.6 - фрагмент кладки стены, вид сверху; на фиг.7 - фрагмент кладки стены, изометрия.

Стеновой камень содержит на верхней постельной поверхности два симметрично расположенных относительно продольной и поперечной осей выступа 1 в форме квадратной усеченной пирамиды, размещенной большим основанием на камне, и на нижней

-соответствующие им впадины 5. К граням выступов 1 с понижением по высоте примыкают уступы 3 и А, имеющие в зоне примы- кания трапецеидальное сечение, сужающееся от размера, равного стороне квадрата верхнего основания выступа 1. Со стороны камня, имеющего выступ 7 на торцовой поверхности, уступы 4 на боковой по-1 верхности образуют выступы 8, а со стороны камня, имеющего выемку 6 на торцовой поверхности, образуют ответные выемки 9. Выступы 7 и 8 и выемки 6 и 9 имеют ширину, равную стороне квадрата верхнего основания выступа 1. В центре каждого выступа 1 камень имеет вертикальные сквозные полости 10, выполненные в форме квадратной усеченной пирамиды и выходящие большими основаниями на нижнюю постельную поверхность.

Камень выполняется прессованием. Материалом для его изготовления может быть скоп - отходы производства (хвосты аглофабрик, горелые породы).

Монтаж стены ведется без строительного раствора. Сейсмостойкость зданий и сооружений достигается за счет прокладки арматуры в отверстиях, идущих по вертикальной порядовке при любой раскладке камней по горизонтали, начиная с первого ряда кладки на фундаменте и до самого верхнего ряда. Арматура может быть прядевой или стержневой, напряженной и ненапряженной.

Формула изо б ре т е н и я Стеновой камень, содержащий на верхней постельной поверхности выступы в форме квадратной усеченной пирамиды, размещенной большим основанием на камне, и на нижней - соответствующие им впадины, а в центре каждого выступа сквозные вертикальные полости, и выполненный по

боковым и торцовым граням с уступчатой поверхностью, образующей на торцовых гранях взаимосопрягаемые выступ и выемку, о т л и ч а ю щ и и с я тем, что, с целью обеспечения универсальности использования камня, повышения прочности и устойчивости стены, верхняя постельная поверхность выполнена с двумя симметрично расположенными относительно продольной и поперечной осей выступами, к граням

которых с понижением по высоте примыкают уступы, имеющие в зоне примыкания трапецеидальное сечение, сужающееся от размера, равного стороне квадрата верхне- ,го основания выступа, а уступны на боковых

поверхностях, соосные с выступами на постельной поверхности и расположенные между ними, а также сопрягаемые выступы и выемки по торцовым поверхностям имеют ширину, равную стороне квадрата верхнего

основания выступа, причем со стороны камня, имеющего выступ на торцовой поверхности, уступы на боковой поверхности образуют выступы, а со стороны камня, имеющего выемку на торцовой поверхности, образуют ответные выемки, при этом сквозные вертикальные полости выполнены в форме квадратной усеченной пирамиды и выходят большими основаниями на нижнюю постельную поверхность.

9Ъг, 2

5

Использование: в строительстве, для возведения зданий и сооружений, возможно и в районах сейсмически неспокойных. Сущность изобретения: стеновой камень содержит на верхней и нижней постельных поверхностях соответственно выступы 1 и впадины 5. В центре каждого выступа имеются вертикальные сквозные полости 10. Боковые и торцовые грани камня выполнены с уступчатой поверхностью, имеющей уступы 3 и 4 и взаимосопрягаемые выступы 7 И 8 и выемки 6 и 9. 7 ил.

А I fl, FT/

ч х7 S. X 7 7

J

Df

td

7

7

Й/г.б

ОЭ

p,

/ 1

A

ft/.J

А

ЈС

СП2,

4Г2.

Ш,

//

W

Л

/

/

V

/

Фиг. 7