Изобретение относится к оптоэлектронике и может быть использовано в телевизионных системах различного назначения.
Известны приборы с переносом заряда, включающие тактовый электрод.
Недостатками этих приборов являются:
низкая радиационная стойкость, обусловленная использованием в подобных структурах в качестве материала тактового электрода сильнолегированного поликристаллического кремния;
- ухудшение передаточной характеристики и отношения сигнал/шум вследствие влияния перекрестных помех;
- низкий процент выхода годных из-за сложности совмещения и неконтролируемых растравов сильнолегированного поликремния.
Наиболее близким к предлагаемому является прибор с переносом заряда с виртуальной фазой, включающий тактовый электрод.
К недостаткам прибора с виртуальной фазой относятся:
- ограничение радиационной стойкости вследствие использования в качестве материала тактового электрода сильнолегированного поликристаллического кремния;
- низкая помехозащищенность и как следствие ограничение передаточной характеристики и отношения сигнал/шум;
- низкий процент выхода годных из-за сложности совмещения и неконтролируемых растравов сильнолегированного поликремния.
Целью изобретения являются улучшение эксплуатационных характеристик приборов с зарядовой связью с виртуальной фазой за счет одновременного повышения радиационной стойкости, устойчивости к перекрестным помехам и процента выхода годных.
Поставленная цель достигается тем, что в известном приборе с переносом заряда с виртуальной фазой тактовый электрод выполнен из двух материалов: нелегированного полупроводника и непрозрачного проводника, причем материалы тактового электрода имеют электрический контакт по всей его ширине, а величина их перекрытия не более длины нелегированного полупроводнике. Выполнение тактового электрода из двух материалов - нелегированного поликремния и проводящего материала позволяет отказаться от использования в приборе с переносом заряда с виртуальной фазой сильнолегированного поликремния, приводящего к деградации эксплуатационных характеристик при воздействии радиации. Проводящий материал при обеспечении электрического контакта по всей ширине тактового электрода шунтирует высокоомный полупроводник и обеспечивает высокую проводимость тактового электрода.
Непрозрачный проводник экранирует примыкающие друг к другу участки соседних элементов и обеспечивает высокую помехозащищенность при воздействии перекрестных засветок, а следовательно, и улучшение отношения сигнал/шум и передаточной характеристики.
Величина перекрытия высокоомного полупроводника не должна превышать величину его длины, ибо в противном случае образуется потенциальный барьер, приводящий к снижению эффективности переноса.
Использование нелегированного поликремния исключает неконтролируемые растравы, а следовательно, помимо повышения выхода годных, при самосовмещенной технологии имплантированного барьера под тактовым электродом уменьшает технологические допуски критических размеров при проектировании и позволяет повысить степень интеграции.
Шунтирование сильнолегированных шин на периферии приборов с зарядовой связью алюминием используется для увеличения их проводимости, однако не приводит к повышению радиационной стойкости, устойчивости к перекрестным помехам и увеличению процента выхода годных. Использование непрозрачного проводящего материала совместно с высокоомным, нелегированным полупроводником обеспечивает достижение новых технических свойств.
На чертеже показан прибор с переносом заряда с тактовым электродом, выполненным из двух материалов.
На полупроводниковой подложке 1, покрытой изолирующем материалом 2, размещен тактовый электрод, выполненный из нелегированного полупроводника и непрозрачного проводника 4. В качестве подложки могут быть использованы кремний и другие полупроводниковые материалы и соединения: нелегированным полупроводником - любой поликристаллический, аморфный и монокристаллический слой, например кремний, а также любой другой полупроводниковый материал; непрозрачным проводником может быть любой металл, его проводящее соединение, керамика, например алюминий.
Прибор с переносом заряда с виртуальной фазой с тактовым электродом из двух материалов изготавливается с использованием известных технологических методов и приемов.
Работает прибор с переносом заряда с виртуальной фазой и тактовым электродом из нелегированного полупроводника в сочетании с непрозрачным проводником аналогично известным с тактовым электродом; выполненным из материала, однородного по составу и свойствам по всей площади.
Технико-экономическая эффективность от использования прибора с переносом заряда с виртуальной фазой с тактовым электродом, выполненным из двух материалов, заключается в улучшении характеристик телевизионных систем различного назначения, в расширении областей их применения при упрощении процесса производства фоточувствительных микросхем данного типа, возможности и повышения степени интеграции и числа элементов.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПРИБОРОВ С ЗАРЯДОВОЙ СВЯЗЬЮ С ВИРТУАЛЬНОЙ ФАЗОЙ | 1989 |
|
SU1840194A1 |
ПРИБОР С ПЕРЕНОСОМ ЗАРЯДА С ВИРТУАЛЬНОЙ ФАЗОЙ | 1989 |
|
SU1840165A2 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПРИБОРА С ПЕРЕНОСОМ ЗАРЯДА С ОБЛАСТЬЮ ВИРТУАЛЬНОЙ ФАЗЫ | 1989 |
|
SU1782139A1 |
МОЩНЫЙ ПСЕВДОМОРФНЫЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ СВЧ | 2014 |
|
RU2574808C2 |
МОЩНЫЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ СВЧ | 2014 |
|
RU2574810C2 |
БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ | 2012 |
|
RU2507633C1 |
Лавинный фотодетектор (варианты) и способ его изготовления (варианты) | 2019 |
|
RU2732694C1 |
Способ изготовления латерального ДМОП - транзистора с увеличенным значением напряжения пробоя | 2023 |
|
RU2803252C1 |
Лавинный фотодетектор (варианты) и способ его изготовления (варианты) | 2019 |
|
RU2731665C1 |
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР | 1995 |
|
RU2117360C1 |
Изобретение относится к оптоэлектронике и может быть использовано в телевизионных системах различного назначения. Сущность: прибор содержит тактовый электрод, выполненный из двух материалов - нелегированного полупроводника и непрозрачного проводника. При этом материалы тактового электрода имеют электрический контакт по всей его ширине, а величина их перекрытия меньше длины нелегированного полупроводника. Технический результат: повышение отношения сигнал/шум и улучшение передаточной характеристики за счет повышения устойчивости к перекрестным оптическим помехам. 1 ил.
Прибор с переносом заряда с виртуальной фазой, включающий тактовый электрод, отличающийся тем, что, с целью повышения отношения сигнал/шум и улучшения передаточной характеристики за счет повышения устойчивости к перекрестным оптическим помехам, тактовый электрод выполнен из двух материалов - нелегированного полупроводника и непрозрачного проводника, причем материалы тактового электрода имеют электрический контакт по всей его ширине, а величина их перекрытия меньше длины нелегированного полупроводника.
Секен К., Томпсет М | |||
Приборы с переносом заряда, М., Мир, 1978 г., с.39-41 | |||
КЛЕЕВАЯ КОМПОЗИЦИЯ ДЛЯ СОЕДИНЕНИЯ КАУЧУКА С СУБСТРАТОМ | 1991 |
|
RU2021313C1 |
Авторы
Даты
2006-07-10—Публикация
1989-01-19—Подача