ПРИБОР С ПЕРЕНОСОМ ЗАРЯДА С ВИРТУАЛЬНОЙ ФАЗОЙ Советский патент 2006 года по МПК H01L29/78 

Описание патента на изобретение SU1840250A1

Изобретение относится к оптоэлектронике и может быть использовано в телевизионных системах различного назначения.

Известны приборы с переносом заряда, включающие тактовый электрод.

Недостатками этих приборов являются:

низкая радиационная стойкость, обусловленная использованием в подобных структурах в качестве материала тактового электрода сильнолегированного поликристаллического кремния;

- ухудшение передаточной характеристики и отношения сигнал/шум вследствие влияния перекрестных помех;

- низкий процент выхода годных из-за сложности совмещения и неконтролируемых растравов сильнолегированного поликремния.

Наиболее близким к предлагаемому является прибор с переносом заряда с виртуальной фазой, включающий тактовый электрод.

К недостаткам прибора с виртуальной фазой относятся:

- ограничение радиационной стойкости вследствие использования в качестве материала тактового электрода сильнолегированного поликристаллического кремния;

- низкая помехозащищенность и как следствие ограничение передаточной характеристики и отношения сигнал/шум;

- низкий процент выхода годных из-за сложности совмещения и неконтролируемых растравов сильнолегированного поликремния.

Целью изобретения являются улучшение эксплуатационных характеристик приборов с зарядовой связью с виртуальной фазой за счет одновременного повышения радиационной стойкости, устойчивости к перекрестным помехам и процента выхода годных.

Поставленная цель достигается тем, что в известном приборе с переносом заряда с виртуальной фазой тактовый электрод выполнен из двух материалов: нелегированного полупроводника и непрозрачного проводника, причем материалы тактового электрода имеют электрический контакт по всей его ширине, а величина их перекрытия не более длины нелегированного полупроводнике. Выполнение тактового электрода из двух материалов - нелегированного поликремния и проводящего материала позволяет отказаться от использования в приборе с переносом заряда с виртуальной фазой сильнолегированного поликремния, приводящего к деградации эксплуатационных характеристик при воздействии радиации. Проводящий материал при обеспечении электрического контакта по всей ширине тактового электрода шунтирует высокоомный полупроводник и обеспечивает высокую проводимость тактового электрода.

Непрозрачный проводник экранирует примыкающие друг к другу участки соседних элементов и обеспечивает высокую помехозащищенность при воздействии перекрестных засветок, а следовательно, и улучшение отношения сигнал/шум и передаточной характеристики.

Величина перекрытия высокоомного полупроводника не должна превышать величину его длины, ибо в противном случае образуется потенциальный барьер, приводящий к снижению эффективности переноса.

Использование нелегированного поликремния исключает неконтролируемые растравы, а следовательно, помимо повышения выхода годных, при самосовмещенной технологии имплантированного барьера под тактовым электродом уменьшает технологические допуски критических размеров при проектировании и позволяет повысить степень интеграции.

Шунтирование сильнолегированных шин на периферии приборов с зарядовой связью алюминием используется для увеличения их проводимости, однако не приводит к повышению радиационной стойкости, устойчивости к перекрестным помехам и увеличению процента выхода годных. Использование непрозрачного проводящего материала совместно с высокоомным, нелегированным полупроводником обеспечивает достижение новых технических свойств.

На чертеже показан прибор с переносом заряда с тактовым электродом, выполненным из двух материалов.

На полупроводниковой подложке 1, покрытой изолирующем материалом 2, размещен тактовый электрод, выполненный из нелегированного полупроводника и непрозрачного проводника 4. В качестве подложки могут быть использованы кремний и другие полупроводниковые материалы и соединения: нелегированным полупроводником - любой поликристаллический, аморфный и монокристаллический слой, например кремний, а также любой другой полупроводниковый материал; непрозрачным проводником может быть любой металл, его проводящее соединение, керамика, например алюминий.

Прибор с переносом заряда с виртуальной фазой с тактовым электродом из двух материалов изготавливается с использованием известных технологических методов и приемов.

Работает прибор с переносом заряда с виртуальной фазой и тактовым электродом из нелегированного полупроводника в сочетании с непрозрачным проводником аналогично известным с тактовым электродом; выполненным из материала, однородного по составу и свойствам по всей площади.

Технико-экономическая эффективность от использования прибора с переносом заряда с виртуальной фазой с тактовым электродом, выполненным из двух материалов, заключается в улучшении характеристик телевизионных систем различного назначения, в расширении областей их применения при упрощении процесса производства фоточувствительных микросхем данного типа, возможности и повышения степени интеграции и числа элементов.

Похожие патенты SU1840250A1

название год авторы номер документа
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПРИБОРОВ С ЗАРЯДОВОЙ СВЯЗЬЮ С ВИРТУАЛЬНОЙ ФАЗОЙ 1989
  • Крымко Михаил Миронович
  • Манагаров Владимир Дмитриевич
  • Марков Аркадий Николаевич
SU1840194A1
ПРИБОР С ПЕРЕНОСОМ ЗАРЯДА С ВИРТУАЛЬНОЙ ФАЗОЙ 1989
  • Крымко Михаил Миронович
  • Манагаров Владимир Дмитриевич
  • Марков Аркадий Николаевич
SU1840165A2
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПРИБОРА С ПЕРЕНОСОМ ЗАРЯДА С ОБЛАСТЬЮ ВИРТУАЛЬНОЙ ФАЗЫ 1989
  • Крымко М.М.
  • Манагаров В.Д.
  • Марков А.Н.
SU1782139A1
МОЩНЫЙ ПСЕВДОМОРФНЫЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ СВЧ 2014
  • Аветисян Грачик Хачатурович
  • Адонин Алексей Сергеевич
  • Колковский Юрий Владимирович
  • Миннебаев Вадим Минхатович
RU2574808C2
МОЩНЫЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ СВЧ 2014
  • Аветисян Грачик Хачатурович
  • Адонин Алексей Сергеевич
  • Колковский Юрий Владимирович
  • Миннебаев Вадим Минхатович
RU2574810C2
БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ 2012
  • Аветисян Грачик Хачатурович
  • Перевезенцев Александр Владимирович
  • Шишков Дмитрий Владимирович
RU2507633C1
Лавинный фотодетектор (варианты) и способ его изготовления (варианты) 2019
  • Колобов Николай Афанасьевич
  • Ситарский Константин Юрьевич
  • Шубин Виталий Эммануилович
  • Шушаков Дмитрий Алексеевич
  • Богданов Сергей Витальевич
RU2732694C1
Способ изготовления латерального ДМОП - транзистора с увеличенным значением напряжения пробоя 2023
  • Шоболова Тамара Александровна
  • Шоболов Евгений Львович
  • Мокеев Александр Сергеевич
  • Герасимов Владимир Александрович
  • Серов Сергей Дмитриевич
  • Трушин Сергей Александрович
  • Кузнецов Сергей Николаевич
  • Суродин Сергей Иванович
  • Рудаков Сергей Дмитриевич
RU2803252C1
Лавинный фотодетектор (варианты) и способ его изготовления (варианты) 2019
  • Колобов Николай Афанасьевич
  • Ситарский Константин Юрьевич
  • Шубин Виталий Эммануилович
  • Шушаков Дмитрий Алексеевич
  • Богданов Сергей Витальевич
RU2731665C1
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР 1995
  • Иоффе Валерий Моисеевич
  • Максутов Асхат Ибрагимович
RU2117360C1

Реферат патента 2006 года ПРИБОР С ПЕРЕНОСОМ ЗАРЯДА С ВИРТУАЛЬНОЙ ФАЗОЙ

Изобретение относится к оптоэлектронике и может быть использовано в телевизионных системах различного назначения. Сущность: прибор содержит тактовый электрод, выполненный из двух материалов - нелегированного полупроводника и непрозрачного проводника. При этом материалы тактового электрода имеют электрический контакт по всей его ширине, а величина их перекрытия меньше длины нелегированного полупроводника. Технический результат: повышение отношения сигнал/шум и улучшение передаточной характеристики за счет повышения устойчивости к перекрестным оптическим помехам. 1 ил.

Формула изобретения SU 1 840 250 A1

Прибор с переносом заряда с виртуальной фазой, включающий тактовый электрод, отличающийся тем, что, с целью повышения отношения сигнал/шум и улучшения передаточной характеристики за счет повышения устойчивости к перекрестным оптическим помехам, тактовый электрод выполнен из двух материалов - нелегированного полупроводника и непрозрачного проводника, причем материалы тактового электрода имеют электрический контакт по всей его ширине, а величина их перекрытия меньше длины нелегированного полупроводника.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 2006 года SU1840250A1

Секен К., Томпсет М
Приборы с переносом заряда, М., Мир, 1978 г., с.39-41
КЛЕЕВАЯ КОМПОЗИЦИЯ ДЛЯ СОЕДИНЕНИЯ КАУЧУКА С СУБСТРАТОМ 1991
  • Шеер Ханс[De]
  • Байерсдорф Вольф-Дитер[De]
  • Пурпс Ханс-Йоахим[De]
RU2021313C1

SU 1 840 250 A1

Авторы

Крымко Михаил Миронович

Кузнецов Юрий Алексеевич

Манагаров Владимир Дмитриевич

Марков Аркадий Николаевич

Даты

2006-07-10Публикация

1989-01-19Подача