СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЛАВКИХ ПРЕДОХРАНИТЕЛЕЙ Советский патент 2007 года по МПК H01H69/02 

Описание патента на изобретение SU1840432A1

Изобретение относится к способу изготовления полупроводниковых приборов, замкнутых накоротко легкоплавкой перемычкой, образовавшейся в результате пробоя тела кристалла.

Известен способ изготовления устройства для защиты от токов перегрузки, выполненного на основе полупроводникового кристалла с легкоплавкой перемычкой шунтирующей его переход (1)

Недостатком указанного способа является сложность его осуществления.

Целью изобретения является упрощение способа изготовления устройства для защиты от токов перегрузки.

Указанная цель достигается благодаря тому, что через полупроводниковый кристалл пропускают в прямом или обратном направлении электрический ток, амплитуда и длительность прохождения которого достаточны для необратимого термоэлектрического пробоя р-n перехода и прославления тела кристалле перемычкой из электродного сплава, выполняющей функции легкоплавкой вставки устройства.

Существо предлагаемого способа заключается в следующем.

В качестве исходного материала для создания описанных устройств (предохранителей) берутся полупроводниковые приборы одного из известных типов: диоды, транзисторы, тиристоры или любые иные приборы, обладающие одним или несколькими р-n переходами. Наличие р-n перехода необходимо для возникновения эффекта шнурования тока при прохождении через прибор больших токов, приводящего, в конечном счете, к проплавлению тела кристалла электродным сплавом и к образованию перемычки. Следует подчеркнуть, что в качестве исходного материала в данном случае могут использоваться как полностью исправные полупроводниковые приборы, так и приборы, не удовлетворяющие отдельным требованиям ТУ и морально устаревшие приборы, не находящие спроса и лежащие на складах мертвым грузом.

Первой технологической операцией предлагаемого способа является операция образования токопроводящей перемычки в теле полупроводникового кристалла. Эту операция осуществляют путем пропускания через полупроводниковый прибор тока. необходимого для возникновения в теле кристалла необратимого теплового пробоя. Точная величина этого тока и длительности его протекания подбираются экспериментально применительно к конкретному типу прибора, так, чтобы обеспечить создание перемычки желаемого диаметра.

Указанная операция может осуществляться путем пропускания электрического тока через прибор как в прямом, так и в обратном направлении (последний вариант требует приложения к прибору достаточно высокого напряжения, превышающего напряжение пробоя). Несколько лучшие результаты с точки зрения достижения малых сопротивлений токопроводящей перемычки можно получить в случае, когда необратимый тепловой пробой осуществляют током, протекающим через р-n переход в прямом направлении.

На этом процесс преобразования полупроводникового прибора в плавкий предохранитель можно считать законченным. Однако практическому использованию таких предохранителей, как правило, должна предшествовать дополнительная операция контроля качества образовавшейся перемычки. Эту операцию осуществляют путем измерения сопротивления короткозамкнутого прибора, либо, в наиболее ответственных случаях, путем изучения конфигурации проплавленного канала методами интроскопии.

В частном случае (для отдельных типов приборов со сравнительно легкоплавкими внутренними токоотводами), когда номинал полученного таким образом предохранителя определяется не диаметром перемычки, а диаметром указанных токоотводов, рассматриваемая контрольная операция резко упрощается.

Похожие патенты SU1840432A1

название год авторы номер документа
Способ дозированного отпуска электрической энергии потребителю 1984
  • Камышный Алексей Николаевич
SU1269045A1
УСТРОЙСТВО КОМБИНИРОВАННОЙ МНОГОСТУПЕНЧАТОЙ ЗАЩИТЫ 1984
  • Камышный Алексей Николаевич
  • Кондратьев Борис Владимирович
  • Пожидаев Сергей Леонидович
  • Черепанов Вадим Павлович
SU1840696A1
УПРАВЛЯЕМЫЙ ОДНОРАЗОВЫЙ КОММУТАТОР 1986
  • Камышный Алексей Николаевич
SU1840631A1
СПОСОБ КОММУТАЦИИ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ЦЕПЕЙ ОДНОРАЗОВОГО ДЕЙСТВИЯ 1971
  • Алексеев Геннадий Алексеевич
  • Камышный Алексей Николаевич
  • Тищенко Владимир Павлович
SU1840716A1
УПРАВЛЯЕМЫЙ ОДНОРАЗОВЫЙ ЗАМЫКАТЕЛЬ ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ЦЕПИ 1979
  • Камышный Алексей Николаевич
  • Кондратьев Борис Владимирович
  • Некроенко Нелли Васильевна
SU1840443A1
СПОСОБ СПЛАВЛЕНИЯ 2014
  • Ксенофонтов Олег Петрович
RU2564685C1
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПОДАВЛЕНИЯ ШУМА В СИГНАЛЕ ПИТАНИЯ ПЕРЕМЕННОГО ТОКА 1999
  • Охцубо Казуо
RU2232458C2
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОГРАНИЧИТЕЛЕЙ НАПРЯЖЕНИЯ 2017
  • Скорняков Станислав Петрович
  • Глухов Александр Викторович
  • Глушков Анатолий Евгеньевич
  • Чищин Владимир Фёдорович
RU2651624C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ГЕНЕРАТОРА (ВАРИАНТЫ) 2008
  • Арбузов Юрий Дмитриевич
  • Евдокимов Владимир Михайлович
  • Стребков Дмитрий Семенович
  • Шеповалова Ольга Вячеславовна
RU2371812C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ГЕНЕРАТОРА 2004
  • Стребков Д.С.
  • Заддэ В.В.
  • Шеповалова О.В.
RU2265915C1

Реферат патента 2007 года СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЛАВКИХ ПРЕДОХРАНИТЕЛЕЙ

Изобретение относится к области электротехники. Техническим результатом является упрощение изготовления. Технический результат осуществляется за счет того, что в известном способе изготовления устройства для защиты от токов перегрузки, выполненных на основе полупроводниковых кристаллов с легкоплавкой перемычкой, шунтирующей его переход, через полупроводниковый кристалл пропускают в прямом или обратном направлении электрический ток, амплитуда и длительность прохождения которого достаточны для необратимого пробоя р-n перехода и проплавления тела кристалла перемычкой из электродного сплава, выполняющей функции легкоплавкой вставки устройства. 1 ил.

Формула изобретения SU 1 840 432 A1

Способ изготовления устройства для защиты от токов, перегрузки, выполненного на основе полупроводникового кристалла с легкоплавкой перемычкой, шунтирующей его переход, отличающийся тем, что, с целью упрощения, через полупроводниковый кристалл пропускают в прямом или обратном направлении электрический ток, амплитуда и длительность прохождения которого достаточны для необратимого термоэлектрического пробоя р-n перехода и проплавления тела кристалла перемычкой из электродного сплава, выполняющей функции легкоплавкой вставки устройства.

SU 1 840 432 A1

Авторы

Камышный Алексей Николаевич

Иванов Владимир Иванович

Алексеев Геннадий Алексеевич

Даты

2007-03-10Публикация

1969-05-20Подача