Запоминающие тонкопленочиые магнитные элементы с одноосной анизотропией известны.
Существующие в настоящее время плоские и цилиндрические тонкопленочные запоминающие элементы отличаются тем, что поток магнитной индукции, обусловленный собственной намагниченностью пленки, замыкается по воздуху либо в статическом состоянии, либо в динамике при записи и считывании информации. При малых размерах запоминающих ячеек обусловленное этим магнитное поле формы достигает значительной величины и, вычитаясь из полей управления, приводит к необходимости увеличения амплитуд управляющих токов. Магнитное поле формы, действуя на соседние запоминающие элементы, снижает допустимую плотность размещения информации в матрицах и кубах ОЗУ (оперативного запоминающего устройства). Кроме того, это же поле, суммируясь с полями всевозможных помех, снижает надежность хранения информации в ОЗУ.
Предлагаемый замкнутый тонкопленочный магнитный запоминающий элемент отличается тем, что магнитный поток замыкается главным образом по тонкой магнитной пленке (ТМП) как в статическом режиме хранения информации, так и в динамике при считывании и записи информации в любой момент переклЕочения (даже при переключении когерентным вращением вектора намагниченности ТМП).
На чертеже схематически показан замкнутый тонкопленочный магнитный запомипа.ощнй элемент тороидальной формы.
Он состоит из цилиндрического проводника / (подложки), изогнутого в виде тора н покрытого ТМП, тонкого слоя 2 ферромагнитного материала (кипера) для замыкания магнитного потока по зазору (этот слой кипера может быть сведен к минимуму и совсем прн малом зазоре отсутствовать), многопроводиой обмотки 3 возбуждения.
Замыкание магнитного потока но воздуху в
пебольшом зазоре при отсутствии кипера приводит к тому, что магнитное поле формы сосредоточено в основном в зазоре и практически не действует на ТМП запоминающего элемента.
Ось легкого намагничивания (ОЛИ) анизотропной ТМП у элементов первого типа совпадает с окружностями сечений, плоскости которых содержат ось вращения тора. Обмотка возбул{дения у этих элементов является обмоткой числового управления, а проводник с нанесенной ТМП является одновременно сигнальной линией и обмоткой разрядного управления.
плоскости которых перпендикулярны оси вращения тора. У элементов этого типа провода принадлежат нескольким обмоткам управления и сигнальной обмотке.
Предлагаемый элемент пеобязательио должен иметь тороидальную форму. Р1ногда нро1де и техиологнчнее выгибать нроводник в виде прямоугольннка или других замкнутых фигур, по ТМП должна обязательно охватывать подложку.
Основным условием для работы предлагаемого элемепта является замыкапие магнитного потока, обусловленного собственной намагниченностью пленки как в статике, так и в динамике, в любой момент переключения при любом способе переключения. В остальном работа данного элемента ничем не отличается
от работы извест1Н)1Х запоминающих элементов на анизотропных ТМП.
Предмет изобретения
Замкнутый тонкоплепочный магнитный заноми1:аюн щй элемент, содержаидий нилиндрическую подложку с нанесенным на нее магнитным покрытием и обмотками управления, отличающийся тем, что, с целью уменьщеиия амплитуд управляющих токов, снижения потребляемой мощности и повыщения надежности хранения информации, цилиндрическая подложка выполнена в виде контура, имеющего зазор, заполненный ферромагнитным материалом, нрнчем упомянутые обмотки управления охвачены этим контуром.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
МАГНИТНЫЙ НЕЙРОН | 2001 |
|
RU2199780C1 |
ДАТЧИК СЛАБЫХ ВЫСОКОЧАСТОТНЫХ МАГНИТНЫХ ПОЛЕЙ | 2013 |
|
RU2536083C1 |
ПЕРЕКЛЮЧАЕМЫЙ ЭЛЕМЕНТ С ПАМЯТЬЮ | 1995 |
|
RU2093905C1 |
МАГНИТНЫЙ ИНВЕРТОР | 1996 |
|
RU2120142C1 |
ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ НА ПЛАНАРНОМ ЭФФЕКТЕ ХОЛЛА | 2006 |
|
RU2320033C1 |
Накопитель для запоминающего устройства | 1982 |
|
SU1067533A1 |
ТОНКОПЛЕНОЧНЫЙ МАГНИТНЫЙ ИНВЕРТОР | 1999 |
|
RU2168774C1 |
Магнитопленочная запоминающая матрица | 1973 |
|
SU447756A1 |
МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЙ ПОРОГОВЫЙ НАНОЭЛЕМЕНТ | 2007 |
|
RU2342738C1 |
СМЕСИТЕЛЬ ЧАСТОТ | 1999 |
|
RU2169428C2 |
Даты
1967-01-01—Публикация