Магнитопленочная запоминающая матрица Советский патент 1974 года по МПК G11C11/14 

Изобретение относится к автоматике и вычислительной технике и предназначено для использования в запоминающих устройствах.

Известны магнитопленочные запоминающие матрицы для хранения информации, которые содержат подложку, запоминающий слой в виде дискретных плоских пленочных нятен, числовые и разрядные шины и размещенный над шинами ферромагнитный кипер - гибкую пластину на основе смеси синтетических каучуков с наполнителем из ферритового порошка. В этих матрицах ферромагнитный кипер предварительно размагничивается при сборке матриц, а сам накопитель из матриц заключается в магнитный экран. В силу гистерезисности характеристики (Я) ферромагнитного кипера, он намагничивается импульсными полями, возникающими вследствие многократного воздействия импульсов считывания - записи, а также проникающими сквозь экран внешними магнитными полями, так как магнитный экран не полностью защищает матрицу от внешних магнитных полей, а лишь ослабляет последние в определенное число раз, равное коэффициенту ослабления. Намагниченный ферромагнитный кипер создает магнитные поля, которые демпфируют поворот намагниченности пленочного пятна, и тем самым нарушает работоспособность запоминающей матрицы.

2

Цель изобретения - повышение помехозащищенности магнитопленочной запоминающей матрицы. В связи с этим ферромагнитный кипер выполнен из двух слоев - ферритового и

пермаллоевого с высокой магнитной проницаемостью.

На фиг. 1 изображена конструкция предложенной матрицы; на фиг. 2 - кривые распределения уровней сигналов с запоминающих

элементов матрицы.

Магнитопленочная запоминающая матрица содержит фольгированное стеклотекстолитовое основание 1, диэлектрическую подложку 2, плоские пленочные пятна 3, числовые шины 4, стеклотекстолитовую прокладку 5, разрядные шины 6, ферритовый слой ферромагнитного кипера 7 и пермаллоевый слой ферро магнитного кипера 8. На фиг. 2 приведены кривые зависимости

f(Uc}, где Не - пороговое значение сигнала, N - число запоминающих элементов матрицы, имеющих амплитуды сигналов, превышающих данный уровень сигнала. При этом цифрами 9 обозначена кривая распределения уровней сигналов с матрицы при размагниченном ферритовом слое (пермаллоевый слой отсутствует), 10 - кривая распределения уровней сигналов с матрицы при намагниченном ферритовом слое магнитным полем 50э

(пермаллоевый слой отсутствует), И - кривал распределения уровней сигналов с матрицы при намагниченном ферритовом слое магнитным полем 50э (пермаллоевый слой присутствует и плотно прилегает к ферритовому слою).

Двухслойный ферромагнитный кипер устраняет влияние остаточных магнитных полей ферритового слоя на работоспособность магнитопленочной матрицы, замыкая пермаллоевым слоем 8, плотно прилегающим к ферритовому слою 7, поля последнего. В результате этого они не взаимодействуют с намагниченностью пленочных элементов.

Кривые распределения уровней сигналов с матрицы при намагниченном ферритовом слое и неплотно прилегающем к нему пермаллоевом слое находятся между кривыми 10 и 11, причем положение их определяется зазором между слоями. Совпадение кривых 9 и 11 указывает на полное устранение влияния остаточных магнитных полей ферритового слоя на работоспособность магнитопленочной запоминающей матрицы.

Кроме того, конструкция предложенной магнитопленочной запоминающей матрицы с двухслойным ферромагнитным кипером заэкранирована от внещних магнитных полей. Действительно, внешнее магнитное поле, проникающее в пермаллоевый слой 8 с высокой магнитной проницаемостью, сильно ослабляется в нем. Пленочные пятна в рассматриваемой конструкции матрицы находятся достаточно близко к пермаллоевому слою 8. Поэтому в силу непрерывности изменения тангенциальной составляющей поля на границе двух сред, на пленочные пятна действуют сильно ослабленное внешнее магнитное поле. Это также хорошо подтверждается экспериментальными результатами.

Предмет изобретения

Магнитопленочная запоминающая матрица, содержащая диэлектрическую подложку с расположенными на ней плоскими пленочными пятнами и числовыми и разрядными шинами и размещенный над ней ферромагнитный кипер, отличающаяся тем, что, с целью повышения помехозащищенности, ферромагнитный кипер выполнен из двух слоев - ферритового и пермаллоевого - с высокой магнитной проницаемостью.

ISO

wo

50

Hf40

fiti

80 Фиг. 2