ЖДУЩИЙ МУЛЬТИВИБРАТОР НА ТРАНЗИСТОРАХ Советский патент 1967 года по МПК H03K3/284 

Известны ждущие мультивибраторы на транзисторах с применением дополнительных зарядно-разрядных транзисторов для уменьшения времени восстановления схемы.

В предложенном устройстве совместно применены двухкаскадный сравнивающий усилитель и разрядный транзистор, что обеспечивает повышение стабильности длительности выходного импульса и уменьшение времени восстановления схемы.

Предложенное устройство отличается от известных тем, что к коллектору транзистора одного плеча мультивибратора подключен вход двухкаскадного сравнивающего усилителя на транзисторах, выход которого подключен к общей точке соединения баз указанного транзистора мультивибратора п дополнительного разрядного транзистора противоположного типа проводимости, эмиттер которого соединен с базой транзистора второго плеча мультивибратора, а коллектор заземлен.

Предложенное устройство обеспечивает повышение стабильности длительности выходного импульса и уменьшение времени восстановления схемы.

На чертеже изображена принципиальная схема предложенного устройства, которое работает следующим образом. В исходном (устойчивом) состоянии транзистор / заперт, а транзисторы 2 и 3, базы которых через сопротивление 4 под лючены к коллектору транзистора /, насыщены базовыми токами, проходящими через сопротивления 4, 5. Транзистор 3 работает в инверсном включении.

Напряжение на базе транзистора / равно напряжению на эмиттере насыщенного транзистора 3 и близко к нулю, что обеспечивает надежное запирание транзистора 7. Напряжение на коллекторе насыщенного транзистора 2 также близко к нулю. Так как для однотипных транзисторов напряжение насыщения при работе транзистора в норма,чьном и инверсном включении отличается незначительно, напряжение между обкладками времязадающего конденсатора 6 близко к нулю.

Сравнивающий усилитель в цепи обратной связи выполнен на транзисторах 7 и 8. В устойчивом состоянии потенциал эмиттера транзистора 7 отрицателен и равен по величине

опорному напряжению, получаемому на выходе делителя на сопротивлениях 9 и 10. Потенциал базы транзистора 7, равный напряжению на коллекторе насыщенного транзистора 2, близок к нулю, благодаря чему транзистор 7 заперт.

Положительный запускающий импульс одновременно подается на базы транзисторов 2 и 3, запирая их. Отрицательное папряжение на коллекторе транзистора 2 стремится увелипо цепи; эмиттер-база транзистора 1, времязадающее сопротивление //, термокомпенсирующий диод 12, источник питания 13. Ток заряда конденсатора 6, являющийся базовым током транзистора /, переводит транзистор в состояние насыщения, поэтом} схема остается в неустойчивом состоянии и после прекращения запускающего импульса. В этом состоянии выходное напряжение приблизительно равно нулю, и транзистор 2 и 3 поддерживаются в запертом состоянии напряжением всномогательного источиика 14, подаваемым в нх базы через сопротивление 15.

По мере заряда конденсатора 6 увеличивается напряжение на базе транзистора 7. В момент равенства напряжений на базе и эмиттере транзистора 7 эмиттерный переход его отпирается, что приводит к появлению базового и коллекторного токов и возникновению в результате этого положительного перепада напряжения на коллекторе 7. Этот перепад через разделительный конденсатор 16 передается на вход второго каскада усилителя, выполненного на транзисторе 8 по схеме с общим эмиттером.

Ток покоя транзистора 8 задается и стабилизируется с помощьЕО схемы автоматического смещения (сопротивления 17 и 18 и конденсатор 19), в которой конденсатор 19 устраняет параллельную отрицательную обратную связь по переменному напряжению. На коллекторе транзистора 8 образуется усиленный отрицательный перепад напряжения, который через разделительный конденсатор 20 поступает на базы транзисторов 2 и 3, вызывая их насыщение. Насыщение транзистора 3 лриводит к запиранию транзистора /, напряжение на коллекторно-эмиттерном переходе его вновь увеличивается до первоначального значения, благодаря чему транзисторы 2 и 3 остаются и в дальнейщем насыщенными. После отпирания транзисторов 2 н 3 времязадающий конденсатор 6 быстро разряжается через

малое сопротивление транзисторов 2 и 5. По окончании разряда конденсатора 6 схема возвращается в исходное состояние.

Включение в цеиь обратной связи сравнивающего двухкаскадного усилителя с больщим коэффициентом усиления позволяет получить выходной импульс, оканчивающийся практически сразу же после отпирания транзистора 7. Благодаря этому величина и стабильность

коэффициента усиления насыщенного в неустойчивом состоянии транзистора / не оказывает влияния на длительность выходного импульса.

Температурная стабильность схемы зависит

также от стабильности напряжения на базово-эмиттерном переходе насыщенного транзистора / и напряжения отпирания транзистора 7. ГТоскольку оба напряжения действуют на открытых /7 -/1-переходах, их темнературные

изменения имеют одинаковые знаки, чем достигается частичная теркомпенсация схемы.

Полная компенсация может быть получена введением в схему компенсирующего диода 12. Требуемый ток через диод задается сопротивлением 21 от всиомогательного источника 13 напряжения.

Предмет изобретения

Ждущий мультивибратор на транзисторах с применением дополнительного разрядного транзистора, отличающийся тем, что, с целью повыщения стабильности длительности выходного импульса и уменьщения времени восстановления, к коллектору транзистора одного плеча мультивибратора подключен вход двухкаскадного сравнивающего усилителя на транзисторах, выход которого подключен к общей точке соединения баз указанного транзистора мультивибратора и дополнительного разрядного транзистора противоположного типа проводимости, эмиттер которого соединен с базой транзистора второго плеча мультивибратора, а коллектор его - заземлен.

Exi