СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ Советский патент 1967 года по МПК H01L21/66 

При исследовании термоэлектрических свойств полупроводниковых материалов методом Хармана при пропускании постоянного электрического тока через образец электрическое напряжение на потенциальнг гх электродах образца складывается из омичеекого падения напряжения и термо-э.д.с. за счет эффекта Пельтье. Известен способ измерения этих напряжений, основанный па инерционности тепловых процессов. Однако такой способ измерения не предусматривает непрерывной записи температурной зависимости термоэлектрических параметров.

По предложенному способу через образец пропускают периодически прерывающийся ток одного направления, составляющие зондового напряжения разделяются с помощью фильтрующих цепей, после чего из усиленной постоянной составляющей, являющейся суммой двух напряжений, вычитается усиленная переменная составляющая, представляющая собой омическое падение напряжения. Благодаря этому обеспечивается возможность проведения одновременных измерении омического падения напряжения и термо-э.д.с. и непрерывной записи температурных ходов этих величин.

Предмет изобретения

Способ измерения термоэлектрических параметров полупроводниковых материалов, использующий инерционность тепловых процессов в образце для разделения омического падения напряжения и термо-э.д.с., отличающийся тем, что, с целью одновременного измерения и непрерывной записи температурных ходов омического падения напряжения и термо-э.д.с., через образец пропускают периодически прерывающийся ток одного направления, составляющие зондового напряжения разделяются с помощью электрических фильтрующих цепей, после чего из усиленной постоянной составляющей в разностной схеме .вычитается усиленная переменная составляющая.