ФОТОЭЛЕКТРОННЫЙ ВАКУУМНЫЙ ПРИБОР Советский патент 1967 года по МПК H01J40/16 

В известных фотоэлектронных приборах критерием характера освещенности фотокатода является величина фотоэлектронного тока с фотокатода.

FJ описываемом приборе роль фотоэмиссии с фотоэмиссионного слоя сводится к изменению заряда и потенциала на поверхности диэлектрика, на который нанесен этот слой. Диэлектрик расположен в междуэлектродном промежутке, в котором с помощью специального источника электронов (электронного прожектора) создается облако электронного пространственного заряда с отрицательным значением минимального потенциала (виртуальный катод). Потенциал поверхности диэлектрика является граничным потенциалом виртуального катода, и его изменение может привести к значительному изменению тока через междуэлектродный промежуток.

На чертеже изображена схема предлагаемого прибора.

Электронный поток, сформированный пушкой /, проходя через отверстие в электроде 2, которое может быть затянуто сеткой, поступает в промежуток между электродами 2 и 3 (промежуток взаимодействия). Электрод 3 является коллектором прощедших через промежуток взаимодействия электронов.

В промежутке взаимодействия помещен диэлектрик, qbopMa которого определяется конкретным назначением детектора. Диэлектрический элемент должен иметь такие размеры и помещаться в промежутке взаимодействия таким образом, чтобы проходящий поток электронов мог частично оседать на его поверхности, создавая ща ней поверхностный заряд. В простейшем случае это может быть прозрачный диэлектрический цилиндр 4, окружающий электронный поток и соосный с ним (внутренний диаметр цилиндра больше ил; равен диаметру электронного потока). Внутренняя поверхность диэлектрика, обращенная к электронному потоку, покрыта полупрозрачным фотоэмиссионным слоем 5.

Интегральная чувствительность предлагаемого прибора достигает 1 ма/мвт, т. е. превышает чувствительность известных вакуумных фотоэлементов, при инерционности, не превышающей по предварительным данным 10-10 сек.

Предмет изобретеь ия

Фотоэлектронный вакуумный прибор, содержащнй фотоэмиттирующий слой, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности и быстродействия, фотоэмиссионный слой нанесен на диэлектрическую подложку, помещенную в мелчдуэлектродиьг;

1

.

c: