Известны способы прецизионного совмещения двух рисунков для тех случаев, когда один из них выполнен на прозрачной подложке, например, для совмещения фотошаблонов с рисунком на полупроводниковом материале в производстве интегральных полупроводниковых схем. В основу их положено визуальное совмещение при помощи микроскопа или других оптических систем.
Однако в ряде сдучаев необходимо совместить рисунки, выполненные не менее, чем на двух непрозрачных подложках. Например, при изготовлении интегральных субсистем необходимо совместить полупроподниковую матрицу с тонкопленочным многослойным рисунком соединений, выполненным на пассивной подложке. Это инвертированный способ присоединения, дающий значительные возможности повышения надежности аппаратуры при высокой плотности компоновки п степени автоматизации производства. Трудность заключается в том, что в этих случаях нельзя визуально производить совмещение.
Предложенный способ прецизионного совмещения рисунков, выполненных не менее, чем на двух непрозрачных подложках, состоит в том, что совмещение осуществляют путем регистрации максимальной величины емкости вспомогательных емкостных элементов, выполненных на этих подложках таким образом,
что на каждой подложке наносят часть вспомогательного емкостного элемента.
Па одной подложке вынолнены две или более вспомогательные фигуры, например, два круга, состоящие из двух слоев.
Нижний слой - это нроводящий материал, например алюминий, медь или золото, а верхний Coioii - диэлектрик, например, двуокись кремния, пятиокись тантала, двуокись титана, окись алюминия.
На другой подложке выполнена аналогичная вспомогатсльпа.ч фигура, состоящая из одного с;1оя проводян его материала, например алюмнння, меди или золота.
Вспомогательные ф;:гуры могут быть нанеcoibi, напрнмер, путем обработки тонких пленок матерналов, которые покрывают всю поверхность подложек. Материал на подложку может быть нанесен катодным распылением, реактивным расныленнем, испарением в вакууме, хнмическим осаждением, термнческим разложением легколетучнх соединений, анодированием в газоразрядной плазме плн в злектрнческой вапне, путем реакции в паровой фазе н т. д. Материал может быть обработан фотолитографическим травление, электронным лучом и другими снособамн.
Вспомогательные фигуры можно также нанести через маски путем, например, пснарения в вакууме, катодного нлп реактивного распылеыия. Причем маски могут быть как механическими, так и удаляемыми, т. е. наносимыми непосредственно на подложки и удаляемыми после их использования. Вспомогательные фигуры можно получать сочетанием указанных выше приемов. Вспомогательные фигуры выполняют либо одновременно с проведением аналогичных процессов на подложках, например, получением проводящих, диэлектрических, резистивных рисунков и покрытий, и в этом случае способ получения фигур для совмещения связан со способами обработки подложек (как активных, так и пассивных), либо могут быть выполнены самостоятельно, независимо от основных процессов обработки подложек. Перемещение одной подложки относительно другой осуществляют при помощи какой-либо системы, например механической, вручную, или при помощи автоматического контура. При малых размерах вспомогательных фигур могзт быть нредусмотрены относительно грубая предварительная ориентировка совмещаемых подложек по отношению друг к другу и грубое выставление вспомогательных фигур путем сканирования вручную либо с помощью автоматического контура. Прецизионное совмещение рисунков путем регистрации максимальной величины емкости вспомогательных емкостных элементов может быть использовано для решения других задач, связанных с совмещением двух рисунков, вынолненных не менее, чем па двух непрозрачных подложках. Предмет изобретения Способ прецизионного совмещения рисунков, выполненных не менее, чем на двух непрозрачных подложках, например, при изготовлении интегральных субсистем или гибридных тонконленочпых схем, отличающийся тем, что, с целью новышения точности, наносят часть вспомогательного емкостного элемента на каждую нодложку и регистрируют величину максимальной емкости при совмещении этих подложек.
