НИЗКОЧАСТОТНЫЙ МУЛЬТИВИБРАТОР Советский патент 1968 года по МПК H03K3/28 

В известных траязиСторных мультивибраторах, содержащих эмиттерные повторители, для получения импульсов большой длительности применяют электролитические конденсаторы, температурная и временная нестабильность параметров которых очень велика.

Предлагаемый низкочастотный мультивибратор позволяет исключить указанный недостаток и отличается от известных тем, что последовательно с сопротивлениями нагрузки эмиттерных повторителей включены туннельные диоды, которые через ограничительные сопротивления перекрестно подключены к базам транзисторов мультивибратора. Выход В)нешнего генератора импульсов, через дифференцирующую цепь и коммутирующие диоды подключен к эмиттерным электродам змиттерных повторителей. Указанное отличие позволяет увеличить верхний предел времязадающего -сопротивления и обеспечивает получемие импульсов большой длительности.

Принципиальная схема мультивибратора представлена на чертеже.

Мультивибратор собран на транзисторах / и 2. Времязадающими элементами являются сопротивления 3 и 4 н емкости 5 и 6. Эти емкости подключены к коллекторам транзисторов 1 и 2 через эмиттерные повторители 7 и 8. Диоды 9 1 10 уменьшают влияние температурного дрейфа обратного тока коллектора.

Последовательно с сопротивлениями 11 и 12 нагрузки эмиттерных повторителей включены туннельные диоды 13 и 14, соединяющиеся через ограничительные сопротивления 15 и 16 с базами противолежащих транзисторов 1 и 2. К эмиттерам повторителей 7 и 5 через сопротивления 3 W 4, емкости 5 и 5 и коммутирующие диоды 17 и 18 подключен выход 19 внешнего генератора импульсов.

Работа мультивибратора происходит следующим образом. Допустим, что транзистор / открыт, транзистор 7 закрыт, диод 9 находится в проводящем состоянии. Соответственно транзисторы S и 2 и диод 10 находятся в

противоположных состояниях. Через диоды 17 и 13 проходит импульсный ток, но величина его недостаточна чтобы переключить рабочую точку на диффузионную ветвь вольтамперной характеристики. Кроме того, ввиду

низкога дияам 1ческого сопротивления диода на туннельной ветви прохождение импульса от внешнего источника на базу транзистора 2 со стороны диода 13 практически исключено. Рабочая точка диода 14 находится на диффузионной ветви, напряжение на нем максимально и обеспечивает режим насыщения транзистора 1.

ся тем, что в нем участвуют вторая цепь обратной связи: туннельный диод 13, ограничительное содротивление 15 и туннельный диод 14, сопротивление 16. Толчко1М для начала лавинообразиого .процесса служит импульс от внешнего источника напряжения, появляющийся на базезакрытого транзистора 2, когда емкость 5 разряди г«ся настолько, что диод 10 начнет .проводить ток. Верхний предел времязадающих сопротивлений 5 и 4 оградичивается обратным током диодов 9 и 10. Так для днодов типа Д-223 дрейф обратного тока в диапазоне температур от О до -Ь40°С и напряжений в несколько вольт не превышает . Если считать, что этот ток не должен составлять более I-2о/о от разрядного, то ве; тичина сопротивлений 5 и - может быть выбрана в области единиц мегом, т. е. на два порядка больше, чем в обычной схеме мультивибратора.

Предмет изобретения

Низкочастотный мультивибратор на транзисторах, в котором времязадающие емкости

подключены к коллектора М транзисторов через эмиттерные повторители, а последовательно с базами транзисторов включены полупроводниковые диоды, отличающийся тем, что, с целью увеличения верхн-его предела времязадающего сопротивления, последовательно с сопротивлениядми нагрузки эмиттерных повторителей включены туннельные диоды, которые через ограничительные сопротивления перекрестно подключены к базам транзисторов

мультивибратора, а :к эмиттерным электродам эмиттерных повторителей через дифференцирующую цепь и коммутирующие диоды подключей выход внешнего генератора импульсов.

/5W