Известны мостовые схемы на полупроводниковых диодах. Известны также схемы параметрических амплитудных модуляторов, выполненных в виде управляемых мдэдулирующим сигналом делителей напряжения.
Предлагаемый амплитудный модулятор на полупроводниковых диодах содержит два диодных моста, соединенных последовательно для .модулируемого колебания и параллельно для модулирующего. Через мосты пропускается ток от постоянного источника напряжения, посредством которого выбирается начальная рабочая точка устройства. Благодаря применению двух диодных мостов постоянная составляющая на выход устройства не поступает.
Вследствие внутренней компенсации постоянной составляющей начальная рабочая точка практически независима от уровня подводимых модулирующего и модулируе1мого напряжений. Введение начального смещения диодов позволяет осуществить модуляцию при малых значениях напряжений (порядка десятков и сотен милливольт) и получить малые искажения модулированного колебания.
дается полол ительное напряжение. Этим напряжением подбирается рабочая точка диодов. В точку 5 через конденсатор 6 поступает модулируемое напряжение, которое распределяется поровну на каждый .из мостиков.
Амплитуда модулируемого напрял ения в точке 7 наполовину меньще, чем в точке 5. Индуктивности 8, 9, 10 и // имеют больщое сопротивление для модулируемого сигнала и небольшое - для модулирующего сигнала.
Модулирующее напряжение поступает на точки 12, 13 в противофазе. В тот мол1ент, когда в точке 14 амплитуда модулирующего напряжения положительной полярности, в точке
15 она будет равна амплитуде модулирующего наирял :ения в точке 14, но с отрицательной полярностью -по отношению к напряжению между точками 5 и 16 диодного мостика и земли. Постоянная составляющая напрял ения в точке 16 из-за противофазных нанрял ений в точках 14 и 15 диодного мостика не изменится по сравнению с исходным состоянием. Сопротивление мостика по диагонали 5 и 16 изменится, так как изменится ток, проходящий через диоды, а вольтамперные характеристики диодов нелинейные. При соответствующей рабочей точке для небольших амплитуд модулирующего сигнала сопротивления диодов будут меняться по закону модулируюгично, НО на вход модулирующего сигнала модулирующее напряжение поступает в противофазе по сравнению с напряжением, поступающим на вход модулирующего сигнала первого диодного мостика. Модулированный сигнал снимается с точки 7 через конденсатор 17.
Предмет изобретения
Ам плитудный модулятор на полупроводниковых диодах, состоящий из двух диодных мостов и развязывающих цепочек на элементах R и С, отличающийся тем, что, с целью получения глубокой амплитудной модуляции при малых амплитудах модулирующего напряжения и уменьщения нелинейных искажений в цепь источника несущей частоты, оба моста включены последовательно своими диагоналями с разноименными полюсами диодов, причем выходной сигнал снимается с общей точки обоих мостов, а модулирующее напряжение подведено к диагоналям с одноименными полюсами диодов каждого из мостов со сдвигом по фазе на 180°.
