Способ изготовления конденсаторов с диэлектриком из монокристалла Советский патент 1931 года по МПК H01G4/06 

При изготовлении конденсаторов с диэлектриком из монокристалла возможно йолучение значительной емкости при Сравнительно больших расстояниях между обкладками, вследствие высокой диэлектрической постоянной некоторых кристаллов, например, сегнетовой соли. Однако, обработка таких кристаллов весьма затруднительна. Настоящее изобретение касается способа изготовления , конденсаторов из монокристаллов и имеет целью устранить обработку их.

На чертеже фиг. 1 изображает сосуд с кристаллизатором и погруженными в него пластинами изготовляемого конденсатора; фиг. 2, 3 и 4-пластины для конденсатора различной формы выполнения.

В сосуд 4 с кристаллизд1тором опускаются проводящие обкладки 1, 2 конденсатора, как показано на фиг. 1. Можно также сразу поместить целый ряд обкладок 1, Г, 1 и 1, 2, 2, если нужно получить значительную ёмкость. После кристаллизации диэлектрика пластины 1, Т, 1 точно так же, как и пластины 2, 2, 2, соединяются общими проводниками и образуют конденсатор. Пластинам можно придать форму сеток, как показано на фиг. 2, или заменить их прово 1никами, натянутыми в шахматно1ч ил| ином порядке, как показано на фиг. 3 и 4. Если соединить проволоки.

обозначенные крестом, вместе и проволоки, обозначенные кружком, также вместе, то образуются две обкладки конденсатора, при чем для надлежащей ориентировки кристаллографических осей образующегося монокристалла кристаллизатор можно поместить в магнитное или электрическое поле, ориентированное надлежащим образом.

Предмет изобретения.

1.Способ изготовления конденсаторов с диэлектриком из монокристалла, отличающийся тем, что при образовании кристаллического диэлектрика обкладки конденсатора помещаются в кристалли затор и самый процесс кристаллизации идет между этими обкладками.

2.При способе, охарактеризованном в п. 1, применение для ориентировки кристаллографических диэлектрика относительно обкладок магнитного или электрического поля, проходящего через кристаллизатор.

3.При способе, охарактеризрванном в п. 1, применение в качестве обкладок системы, состоящей из ряда сеток, между которыми и идет кристаллизация.

4.При способе, охарактеризованном в п. 1, применение в качестве обкладок системы проволок, расположенных рядами в щахматном или другом порядке (фиг. 3, 4).

фигГ

фигЕ

фигЗ

/////// Х/Хс/У/X

/////// //у////

/ / / у / / /

фиг4

/////////// у//////////

///////////--; % %