СПОСОБ СЛЕЖЕНИЯ ЗА ИСТОЧНИКОМ СВЕТОВОГОИЗЛУЧЕНИЯ Советский патент 1968 года по МПК H01L31/16 B64G3/00 

Известны различные способы слежения за источником светового излучения, основанные на использовании позицнонно-чувствительных датчиков светсвого излучения, работаюш их на иснользовании известных фотовольтаических явлениях в полупроводнике, при облучении его сильно поглош.аемым светом.

При исиользовании этих способов слежения необходимо модулирование светового потока с целью noBbiojeuHB соотношения снгнал-шум.

Кроме того, датчики, используемые при этом, илохо работают при наличии светового фона.

Предложенный способ слежения за .источником светового излучения основан на использовании продольного магпитоконцентраиионного эффекта в полупроводнике (эффект фокусировки) и позволяет избавиться от перечисленных недостатков.

Чертеж поясняет описываемый способ.

На плоской пластине из германия установлены две пары коллекторов 1, 2 и 5 и 4. Переменное магнитное поле, образующееся между полюсами электромагнита, действует на инъектпрованные носители в направлении коллекторов / и 2. Согласно теория магнитокоицентрационного эффекта, включение магнитного ноля приводит к образованию э.тлиисов равных концентраций, большая ось которых направлена вдоль коллекторов / и 2. Поэтому четыре коллекторных зонда для съема сигнала располагаются также по эллипсу, уравнение которого

.ПН 2

1+N

(Х + У)

I -const.

С) У .

Коллекторы / и 2, осуществляюгцие контроль объекта слежения по оси А , отстоят друг от друга на расстоянии, меньшем, чем длина диффузионного смеп,ения носигеле тока (примерно 2-4 мм).

Коллекторы 3 н 4, контролирующие объект

1/

. ПН 2

по оси У, имеют расстояние в

меньшее.

Такое расположение коллекторных пар позволяет снимать с них сигнал с одинаковой амплитудой. Модуляция лолезного сигнала осуществляется подачей на обмотки электромагнита переменного напряжения. Частота снимаемого с зондов сигнала равна удвоенной частоте изменения магнитного поля, поскольку оно не влияет на направление тока полупроводника, а лишь измеияет его амнлитуду.

25

Предмет изобретения

полупроводниковой пластины .с двумя парами взаимно перпендпкулярных зоидов, исполь зующий пулевой метод, отличающийся тем, что, с целью повышепия чувствительпостп п

увеличения отпошепия сигиал-шум, датчик помещают Б перемеппое Л1агпптпое поле, вектор магнитпой индукции которого лежит в плоскости пластины.