Предлагаемый способ предназначен для исследования поляризационных характеристик сегнетоэлсктрических материалов в широком диапазоне температур и напряжений и относится к области электронной техники.
В известных способах определения поляризационных характеристик сегнетоэлектриков путем обработки гистерезисных кривых, получаемых па электроннолучевом осциллографе, синусоидальное напряжение нодают на последовательном соеднненни испытуемого образца и эталонного конденсатора. Часть этого напряжения поступает на горизонтальные пластины, напряжение с эталонного конденсатора, пропорциональное поляризации испытуемого образца, подают на вертикальные пластины осциллографа. На экране осциллографа регистрируется зависимость поляризации Р от напряженности электрического поля Е (петля гистерезиса). После градуировки осей кривую фиксируют на фотопленку. Обработка изображения позволяет определить основные поляризационные характеристики сегнетоэлекгрического материала: полную поляризацию PI, обратимую поляризацию Pg и остаточную поляризацию РЗПредлагаемый способ измерения поляризационных характеристик отличается от известного тем, что на испытуемый образец и эталонный конденсатор подают гармоническое или импульсное напряжение с различной скважностью и измеряют размах напряжения на эталонном конденсаторе, по которому судят об измеряемой величине.
Благодаря этому повышается точность и уменьшается время измерения.
На фиг. 1 приведена блок-схема установки для измерения поляризационных характеристик по предлагаемому способу, на фиг. 2
изобрал ены осциллограммы напряжений на различных элементах блок-схемы.
На фиг. 1 обозначено: / - источннк высоковольтного напряжения синусоидальной формы, 2 - схема формирования сигнала, 3 -измерительная схема, 4 - импульсный вольтметр, 5 - самонишундее устройство, 6 -схема управления режимами измерения.
В ряду А представлены осциллограммы напряжений (U, U-y и L/4), подаваемых на измерительную схему, а - синусоидальный режим, б - импульсный режим со скважностью в - импульсный режпм со скважностью Y 2; в ряду Б - осциллограммы напряжений на эталонном конденсаторе при соответствуюграммы петель гистерезиса, получаемых по известному способу.
На измерительную схему 3, состоящую з последовательно соединенных испытуемого образца емкости Сх и эталонного конденсатора емкости Со, подают напряжение определенной формы, сформированное из еннусоидального сигнала с помощью схемы формирования сигнала 2. Схема управления режимами измерения 6 осуществляет автоматическое иерсключение режимов измерения. Иаиряженнс на эталонном конденсаторе, иронорцнональное поляризации испытуемого образца (ири условии ), измеряют нмиульсным вольтметром 4. Произведя градуировку вольтметра в значениях поляризации, можно измерять завиеимость поляризации от напряжения и температуры. Самопишущее устройство 5 на выходе импульсного вольтметра позволяет записать измеряемую величину автоматически.
В режиме а на измерительную схему подают синусоидальное напряжение н нзмеряют полную ноляризациЕо образца PI, в режиме б подают импульеы еинусоидальиой фор.л1ы со скважностью Y 1 и измеряют обратимую ноляризацию P-i- Остаточную поляризацию РЛ определяют графически вычитанием значений, записаниых на ленте самописца,
Р:,Рг-Р-1в режиме в на измерительную схему подают импульсы c пlycoидaльиoй формы со скважностью 2 и измеряют сумму обрати лой и рслаксирующей иоляризацип P. Релакси|)уюи1ую поляризацию онрсде.чяют графически
Р,Р,Р,.
Предлагаемый епособ позволяет определить не только характеристики, получаемые известиым способом (полную поляризацию РЬ обратимую поляризацию Ро и остаточиую ноляризацию P-i), но также н новые характеристики (обратимую поляризацию Р, и релаксирующую поляризацию РЗ) .
Соиоставлеппе поляризационных характернстик. запиеаииых на времеппой диаграмме, с сиихроппыми диаграммами температуры Т п напряженности электрического поля Е позволяет находить зависимост P f(T) нрн сопз1и Р (Е) прп 7 const.
П р с д м е т II 3 о б р е т е и и я
Способ измереиия ноляризационпых характеристик еегиетоэлектриков с использованием последовательно соедниеииых иеиьггуемого образна 1 эталонного конденсатора, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и уменьп1ения в|)еменп нзмере1П1я, па пспытуеМ1)1Й образец п эталонный конденсатор подают
гар.моиическое или импульсное иаиряжсиие с различной скважиостью ii измеряют размах ианряжеиия на эталонном конденсаторе, но которому судят об нзмеряемой велнчиие.
9игЛ
